澤田孝幸 (Takayuki Sawada) - マイポータル

基本情報

所属: 北海道科学大学工学部電気電子工学科教授

学位: 工学博士(北海道大学)
工学修士(北海道大学)

J-GLOBAL ID: 200901092943642052
researchmap会員ID: 1000166465

研究キーワード

研究分野

経歴

1991年 - 1994年

北海道大学教授
1991年 - 1994年

北海道大学
1994年

- 北海道工業大学教授
1994年

- Hokkaido Institute of Technology, Professor
1987年 - 1991年

電気通信大学講師・助教授
1987年 - 1991年

University of Electro-Communications,
1986年 - 1987年

北海道大学助手
1986年 - 1987年

Hokkaido University, Research Assistant
1984年 - 1985年

コロラド大学客員研究員
1984年 - 1985年

University of Colorado, Visiting Research
1978年 - 1984年

北海道大学助手
1978年 - 1984年

Hokkaido University, Research Assistant
Lecturer and Assistant Professor
Associate

学歴

- 1977年

北海道大学, 工学研究科, 電気工学
- 1977年

北海道大学

MISC

Characterization of Ni/i-AlGaN/GaN Schottky Samples Fabricated after H3PO4-Etching

Sawada Takayuki, Kaizuka Yuta, Takahashi Kensuke, IMAI Kazuaki

電子情報通信学会技術研究報告 ED2008-107(122) 351-355 2008年
Light up-conversion mechanism of ZnSe-ZnTe superlattices

M. Ohashi, G. Shigaura, Y. Ichinohe, M. Kanamori, Y. Chikarayumi, Y. Sasaki, Na Kimura, No Kimura, T. Sawada, K. Suzuki …

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 301 306-309 2007年4月
Deep emissions of MBE-ZnTe on tilted GaAs substrate

G. Shigaura, M. Ohashi, Y. Ichinohe, M. Kanamori, Na Kimura, No Kimura, T. Sawada, K. Suzuki, K. Imai

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 301 297-300 2007年4月
Suppression of Gate Leakage Current in i-AlGaN/GaN Hetero- strucures by Insertion of Anodic Al2O3 Layer and Influence of Thermal Annealing on Channel Electrons

T.Sawada, K.Takahashi, K.Ise, K.Suzuki, K.Kitamori, N.Kimura, K.Imai, S.-W.Kim, T. Suzuki

phys. stat. sol. (c) 4 2686-2689 2007年
Electrical properties of Ni/i-AlGaN/GaN structures and influence of thermal annealing

T. Sawada, N. Kimura, K. Suzuki, K. Imai, S. -W. Kim, T. Suzuk

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6 3(6) 1704-1708 2006年
Effects of sub-gap irradiation on the time-of-flight current waveforms of high resistivity CdTe

K Suzuki, S Seto, T Sawada, K Imai

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 4 3(4) 1130-+ 2006年
Excitation intensity dependence of up-converted emission in ZnSe-ZnTe superlattice grown by MBE

M Ohashi, Y Ichinohe, G Shigaura, Y Sasaki, Y Chikarayumi, N Kimura, N Kimura, T Sawada, K Suzuki, K Imai …

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 278(1-4) 320-324 2005年5月
Interpretation of Leakage Current in Ni/n-(Al)GaN Schottky Structures and Its Influence on Surface Preparation Conditions

T.Sawada, S.Yoneta, N.Kimura, K.Imai, K.Suzuki, S.-W.Kim, T.Suzuki

Inst. Phys. Conf. Ser. NO.184 463-466 2005年
Ni/i-AlGaN/GaN ゲート構造の電気的特性評価と熱処理の影響

澤田孝幸, 米田里志, 高橋健輔, 金聖祐, 鈴木敏正

電子情報通信学会技術研究報告 ED2005-135 79-84 2005年
Interpretation of current transport properties at Ni/n-GaN Schottky interfaces

T Sawada, N Kimura, K Imai, K Suzuki, K Tanahashi

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 22(4) 2051-2058 2004年7月
Cleaning Effect of ZnSe Surface by Hydrogen Treatment

Y.Sasaki, M.Ohashi, I.Tsubono, N.Kimura, T.Sawada, K.Suzuki, K.Imai, H.saito

phys. stat. sol. (c) 1(4) 670-673 2004年
Properties of GaN and AlGaN Schottky contacts revealed from I-V-T and C-V-T measurements

T Sawada, Y Izumi, N Kimura, K Suzuki, K Imai, SW Kim, T Suzuki

APPLIED SURFACE SCIENCE 216(1-4) 192-197 2003年6月
Photomagnetoelectric Effects of High Resistivity CdTe

K.Suzuki, S.Seto, T.Sawada, K.Imai

Appl. Surf. Sci. 216 192-197 2003年
Carrier transport properties of HPBCdZnTe and THM CdTe : Cl

K Suzuki, S Seto, T Sawada, K Imai

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE 49(3) 1287-1291 2002年6月
Characterization of Metal/GaN Schottky Interfaces Based on I-V-T Characteristics

190, 326-329 2002年
Optical Characterization of Nuclear Detector Materials

SUZUKI K, SETO S, SAWADA T, IMAI K, ADACHI M, INABE K

phys. stat. sol. (b) 229(1) 601-604 2002年
GaNおよびAlGaNショットキー界面特性の評価と制御

電子情報通信学会技術研究報告 ED2002-190, 29-34 2002年
Characterization of Metal/GaN Schottky Interfaces Based on I-V-T Characteristics

190, 326-329 2002年
Optical Characterization of Nuclear Detector Materials

phys. stat. sol. (b) 229(1) 601-604 2002年
Photoluminescence Measurements on Undoped CdZnTe Grown by the High-Pressure Bridgman Method(共著)

J. Electronic Materials 30(6) 603-607 2001年

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所属学協会

Works(作品等)

金属/GaN系半導体界面の評価

1998年 - 2001年
Characterization of Metal/GaN interfaces

1998年 - 2001年
(]G0003[)-(]G0005[)族半導体のMBE成長と評価

1995年 - 2001年
MBE-growth and Characterization of (]G0002[)-(]G0006[) Compound Semiconductors

1995年 - 2001年

共同研究・競争的資金等の研究課題

化合物半導体界面の評価と電子デバイスへの応用
半導体量子機能デバイスの作製と評価

その他の研究制度
(]G0003[)-(]G0005[)族化合物半導体表面・界面の評価と電子デバイスへの応用

その他の研究制度
窒化ガリウム系半導体の結晶成長と評価

その他の研究制度
Characterization of compound semiconductor interfaces and their applications to electron devices
Fabrication and characterization of semiconductor quantum functional devices

The Other Research Programs
Characterization of (]G0003[)-(]G0005[)Compound Semiconductor interfaces and their applications to electron devices

The Other Research Programs
Growth and Characterization of CaN-related compound semiconductors

The Other Research Programs