棟方忠輔 (Chusuke Munakata) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 旧所属東北工業大学工学部電子工学科/大学院工学研究科電子工学専攻，工学部電子工学科教授

学位: 博士(工学)(東北大学)

J-GLOBAL ID: 200901075833266088
researchmap会員ID: 1000166686

研究キーワード

4

研究分野

2

経歴

3

1960年 - 1993年

日立製作所中央研究所研究職
1960年 - 1993年

Research Worker at Central Research Laboratory,
Hitachi, Ltd.

学歴

2

- 1960年

東北大学, 工学部, 電気工学科
- 1960年

東北大学

MISC

23

Analytical estimation of effective lifetimes of minority carriers injected with laser pulse into dry-oxidized p-type silicon wafer

C Munakata

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 43(11A) L1394-L1396 2004年11月
Field-Induced Positive Oxide Charge in Radiation-Damaged Oxide Layers on n-Type Silicon Wafers

Japan. J. Appl. Phys. (43) L290-L292 2004年
Estimation of volume lifetimes in small square pillars of silicon using empirical formulae

C Munakata, A Ogawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 42(6A) 3299-3303 2003年6月
Lateral size effect in the lifetime measurement by frequency-dependent surface photovoltage technique

M Chusuke, O Nobutoshi, K Yutaka, Y Tomosuke

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 42(1) 33-37 2003年1月
Charge storage effect in the microwave detected photoconductive decay method

C Munakata, K Watanabe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 41(5A) 2796-2800 2002年5月
Fixed oxide charge in n-type silicon wafers studied by ac surface photovoltage technique

C Munakata, H Shimizu

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 15(1) 40-43 2000年1月
Scanning Photon microscope based on ac surface photovoltage : Applications to nondestructive evaluation of metallic contaminants in silicon wafers(共著)

Proc, SPIE meeting, 25-26 Oct. 1995, Austin(SPIE, Bellingham, 1995) 2638 60-71 1995年
Nondestructive diagnostic method using ac surface photovoltage for detecting metallic contaminants in silicon wafers (共著)

Joural of Applied Physics 73(12) 8336-8339 1993年
Characterization of Damaged Layer Using AC Surface Photovoltage in Silicon Wafers (共著)

Japanese Journal of Applied Physics 32(9A) 3780 1993年
Nondestructive Diagnostic Method Using AC Surface Photovoltage in Silicon Wafers Rinsed with Metal-Contaminated Water Solutions (共著)

Japanese Journal of Applied Physics 32(9A) 3775 1993年
Simplified AC Photovoltaic Measurement of Minority Carrier Lifetime in Czochralski-Grown Silicon Wafers Having Ring-Distributed Stacking Faults (共著)

Japanese Journal of Applied Physics 32(8) 3639 1993年
Recombination lifetime in a gold-doped p-type silicon crystal (共著)

Semiconductor Science & Technology 8(2) 230-235 1993年
Iron-induced alternating current surface photo-voltages in n-type silicon wafers (共著)

Applied Physics Letters 62(3) 276-277 1993年
Photovoltaic evidence for interface trapped charge in X-ray irradiated oxidised n-type silicon wafers (共著)

Semiconductor Science & Technology 6(7) 612-615 1991年
Aluminium-induced AC surface photovoltages in n-type silicon wafers

C. Munakata, H. Shimizu

Semiconductor Science and Technology 5(9) 991-993 1990年
A scanning photon microscope for non-destructive observation of crystal defect and interface trap distribution in silicon wafers (共著)

Journal of Physics E : Scientific Instruments 21(1) 91-97 1988年
Analysis of ac Surface Photovoltages in Accumulation Region

Japanese Journal of Applied Physics 27(5) 759 1988年
Analysis of ac Surface Photovoltages in a Depleted Oxidized p-Type Silicon Wafer (共著)

Japanese Journal of Applied Physics 25(6) 807 1986年
Ac Surface Photovoltages in Strongly-Inverted Oxidized p-Type Silicon Wafers (共著)

Japanese Journal of Applied Physics 23(11) 1451 1984年
THE PHOTO-VOLTAIC OBSERVATION OF SEMICONDUCTOR SURFACES

C MUNAKATA, S MATSUBARA

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 16(6) 1093-1098 1983年

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所属学協会

1

応用物理学会

Works(作品等)

2

交流表面光電圧による半導体汚染評価装置の開発

2000年 - 2001年
Development of Semiconductor Characterization Apparatus by Surface Photovoltage

2000年 - 2001年

共同研究・競争的資金等の研究課題

4