菅原活郎 (Katsuro Sugawara) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 日本大学工学部情報工学科教授

学位: 理学博士(東京大学)

J-GLOBAL ID: 200901088960178800
researchmap会員ID: 1000169020

外部リンク: http://cs.ce.nihon-u.ac.jp/~sugawara/

研究キーワード

6

研究分野

4

経歴

10

1993年 - 2001年

日本大学工学部情報工学科教授
1993年 - 2001年

Nihon University, College of Engineering, Professor
1989年 - 1992年

日立超LSIエンジニアリング株式会社取締役・技師長
1989年 - 1992年

Hitachi ULSI Engineering, Corp., Board Director & Senior Chief Engineer
1982年 - 1988年

(株)日立製作所半導体事業部副技師長
1982年 - 1988年

Semiconductor & IC Division, Hitachi, Ltd., Chief Engineer
1977年 - 1981年

(株)日立製作所半導体事業部プロセス技術開発部部長
1977年 - 1981年

Semiconductor & IC Division, Hitachi, Ltd., Department Manager
1969年 - 1976年

(株)日立製作所半導体事業部プロセス技術開発部主任技師
1969年 - 1976年

Semiconductor & IC Division, Hitachi, Ltd., Senior Engineer

学歴

2

- 1957年

東京大学, 理学部, 化学科
- 1957年

東京大学

委員歴

2

1995年 - 1996年

米国ECS(ELECTROCHEMICAL SOCIETY), ECS日本支部支部長
応用物理学会, 東北支部評議員

受賞

3

MISC

162

Computer simulation of CVD WSix Film Deposition to Obtain Uniform Film Properties

Proceedings of the 3rd Japan-Korea Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments 200-209 2002年10月9日
Computer simulation of CVD WSix Film Deposition to Obtain Uniform Film Properties

Proceedings of the 3rd Japan-Korea Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments 200-209 2002年10月9日
Si引上単結晶酸素濃度分布のシミュレーション ―半径方向酸素濃度分布の均一化―（共著）

日本大学工学部紀要 44(1), 139-150 2002年9月25日
半導体単結晶結合状態の可視化（共著）

応用物理教育 26(1), 25-28 2002年5月15日
Computer Simulation of WSix CVD VLSI Processing to Obtain Uniform Film Properties

201st Electochem. Soc. Philadelphia Meeting Extended Abstracts 550 2002年5月12日
Computer Simulation of WSix CVD VLSI Processing to Obtain Uniform Film Properties

201st Electochem. Soc. Philadelphia Meeting Extended Abstracts 550 2002年5月12日
光通信用半導体導波路の伝播シミュレーション ― 結合効率評価による半導体導波路形状最適化 ―（共著）

日本大学工学部紀要 43(2), 65-70 2002年3月21日
シリコン単結晶結合状態の可視化（共著）

応用物理教育 25(2), 9-12 2001年11月15日
【特集】材料プロセッシングの展望 IT時代のVLSI進展と化学工学の役割（単独）

ケミカルエンジニアリング―化学工業社 46(11), 13-20 2001年11月1日
Finite Element Analysis of the Radical Oxygen Distribution in Silicon Czochralski-grown Single Crystals

J. of Coll. Engin. Nihon Univ. 43(1), 41-48 2001年9月25日
ペロブスカイト結晶格子像のコンピュータグラフィックス ― 高密度記憶素子スピンスイッチ・デバイス用積層薄膜構造3D CG ―（共著）

日本大学工学部紀要 43(1), 49-56 2001年9月25日
Finite Element Analysis of the Radical Oxygen Distribution in Silicon Czochralski-grown Single Crystals

J. of Coll. Engin. Nihon Univ. 43(1), 41-48 2001年9月25日
Finite difference analysis of radial phosphorus dopant distribution in Czochralski-grown silicon single crystals

K Sugawara, K Ozeki, K Fujioka, Y Mamada, M Igai, H Hirayama

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 148(9) G475-G480 2001年9月
Computer Simulation of WSix Chemical Vapor Deposition -Effect of Abnormal Inlet Gas Flows- Proceedings of 2001 Korea-Japan Workshop on Advanced Semiconductor

Processes and Equipments 248-257 2001年6月21日
Computer Simulation of WSix Chemical Vapor Deposition -Effect of Abnormal Inlet Gas Flows- Proceedings of 2001 Korea-Japan Workshop on Advanced Semiconductor

Processes and Equipments 248-257 2001年6月21日
Computer Simulation of WSix CVD VLSI Processing -Effect of Abnormal Inlet Gas Flows- Proceedings of the Fundamental Gas-Phase and Surface Chemistry of Vapor-Phase Deposition Ⅱ/Process Control, Diagnostics, and Modeling in Semiconductor Manufacturing Ⅳ

The Electrochem. Inc. 221-228 2001年5月25日
Computer Simulation of WSix CVD VLSI Processing -Effect of Abnormal Inlet Gas Flows- Proceedings of the Fundamental Gas-Phase and Surface Chemistry of Vapor-Phase Deposition Ⅱ/Process Control, Diagnostics, and Modeling in Semiconductor Manufacturing Ⅳ

The Electrochem. Inc. 221-228 2001年5月25日
Finite Difference Analysis of the Radial Oxygen Distribution in Si Czochralski-Grown Single Crystals

J. of Coll. Engin. Nihon Univ. 42(2), 37-46 2001年5月21日
Finite Difference Analysis of the Radial Oxygen Distribution in Si Czochralski-Grown Single Crystals

J. of Coll. Engin. Nihon Univ. 42(2), 37-46 2001年5月21日
強磁性体薄膜多層構造格子像の3次元コンピュータグラフィックス（共著）

応用物理教育 25(1), 33-36 2001年5月15日

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書籍等出版物

25

電気化学便覧(改訂5版)

17・1シリコンと半導体デバイス(丸善) 2000年
化学工学便覧(改訂6版)21 薄膜・微粒子生成反応 21・1薄膜・気相の実例 21・1・2気相薄膜合成装置と反応条件(共著)

丸善 1999年
Si ULSI用薄膜の最新トピックスと反応器シミュレーションのためのWSix反応機構解析

化学工学会CVD工学基礎プロジェクト(III)研究会初年度報告書 1997年
Reaction Chemistry of InGaAsP MOCVD Studied with FT-IR Gas Monitoring and Numerical Analysis on Growth Kinetics.

"Chemical Vapor Deposition-Proceedings of the Fourteenth International Conference and EUROCVD-11 1997年
Finite Element Analysis of the Radadial Phosphorus Dopant Distribution in Si Czochralski-grown Single Crystals.

Proceedings of the Symposium on "Crystalline Defects and Contamination : Their Impact and Control in Device Manufacturing II" 1997年
薄膜作製応用技術ハンドブック (権田俊一教授監修) 第2編薄膜の作製と加工、第3章 CVD法、第1節 CVD法の原理と分類

(株) エヌ・ティ-・エス 1995年
化学便覧応用化学編改訂2版(日本化学会編)、11章シリコンと化合物半導体 1節序論、pp.I-205-I-212.

丸善 1995年
超LSIプロセシング (Creative Chemical Engineering Course 12)

培風館 1995年
Handbook of ThinFilm Formation Application Technology II. Thin Film Formation and Manufacturing Chapter 3 CVD Technology Section 1 Principle and Classification of CVD Technology(訳)

N. T. S. Co 1995年
Handbook of Chemistry, Applied Chemistry Vol. , Revised 2nd Edition, Edited by the Chemical Soc. of Japan. Chap. 11 Si and Compound Semiconductor. 1. Introduction pp. I-205-I-212.

Maruzen. 1995年
VLSI Processing (訳)

Baifukan 1995年
次世代ULSI製造のための表面反応プロセス(編著者)、第9章表面反応プロセスの将来展望、pp.255-266.

(株)サイエンスフォーラム 1994年
「最近の化学工学46」材料化学工学 -新材料プロセッシング- (化学工学会関東支部編)、III材料化学工学の応用 1.Si超LSIの超微細化・多層化・高密度実装化、pp.58-70.

化学工業社 1994年
先端電気化学(電気化学協会編:電気化学協会創立60周年記念). 5.エレクトロニクスと電気化学 5.5半導体プロセス 5.5.1半導体プロセスへの電気化学の利用、pp.174-181.

丸善 1994年
Surface Reaction Process Applicable for Next Generation ULSI Fabrication(Coeditor and Co-author), Chapter 9 Future Perspective of Surface Reaction Process, pp. 255-266.

Science Forum, Co. 1994年
"Advanced Chemical Engineering 46" Material Chemical Engineering -New Material Processing-, Edited by the Soc. of Chemical Engineers, Japan. III Application of Material Chemical Engineering 1. Ultra-fine Patterning, Multilevel Metallization and High De・・・

Kagakukougaku-sha. 1994年
Advanced Electrochemistry Edited by the Electrochemical Soc. of Japan. 5. Electronics and Electrochemistry 5.5 Semiconductor Processing 5.5.1 Electrochemistry Applicable for Semiconductor Processing, pp. 174-181.

Maruzen. 1994年
VLSIプロセス技術序論(訳,編共著)

1993年
Introduction to VLSI Process Engineering

Chapman & Hall 1993年
CVDハンドブック(編共著)

朝倉書店 1991年

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所属学協会

6

Works(作品等)

44

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共同研究・競争的資金等の研究課題

6