レーザーアブーレーション法および同軸型アークプラズマ堆積法を用いて,ボロンのドープ量を変化させたナノ微結晶ダイヤモンド膜の作製を行った．超伝導量子干渉素子による磁化率測定により，超伝導現象の発現を調べが,超伝導状態の明確な出現は観測されなかった．カソードルミネッセンス測定で，膜は多量の欠陥を含むことが示唆された．言い換えれば，ナノ微結晶のダイヤモンドの結構性は極めて悪いことがわかった．超伝導現象が発現しない原因として，ダイヤモンド結晶の質が極めて悪いことが考えられる．