共同研究・競争的資金等の研究課題

2002年 - 2003年

半導体・金属反応を利用したナノ構造の自己形成

日本学術振興会  科学研究費助成事業 若手研究(A)  若手研究(A)

課題番号
14702019
体系的課題番号
JP14702019
配分額
(総額)
10,790,000円
(直接経費)
8,300,000円
(間接経費)
2,490,000円

シリコンナノ結晶チェインの電気伝導特性測定のために透過型電子顕微鏡観察(ex-situ)可能な電極の作成を行った。ギャップは数百nmである。現在、シリコンナノ結晶チェイン、シリコンナノワイヤがそれぞれ1本ずつ、計2本がこの電極間を橋渡しした状態を実現し、その電気伝導特性を測定することに成功した。その結果、非線形で特異な電気伝導特性を観測した(論文投稿中)。また、シリコンナノチェインをテンプレートとしてこれを銅と加熱し、シリコンナノ結晶の部分的なシリサイド化を引き起こすことにより、シリコン/銅シリサイド/オキサイド・ナノチェインを創成した(論文発表済)。さらに、シリコン/銅シリサイド/オキサイド・ナノチェインの内部ポテンシャル分布を電子線ホログラフィー法により測定することに成功した(論文受理)。テンプレートを利用したナノ構造創成のもうひとつの例として、シリコンナノワイヤを鉄とともに熱処理することにより、ベータ鉄シリサイドナノワイヤを生成することにも成功している(論文準備中)。また、積層欠陥密度に揺らぎのあるシリコンカーバイドナノワイヤを生成し、その内部ポテンシャル分布に及ぼす積層欠陥の影響を、電子線ホログラフィー法により調べた。その結果、積層欠陥の密な部分と疎な部分とでポテンシャルに違いがあることを見出した(論文準備中)。電子ビーム蒸着装置を用いたナノ構造生成も行い、シリコンナノワイヤの生成を確認している。

リンク情報
KAKEN
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-14702019
ID情報
  • 課題番号 : 14702019
  • 体系的課題番号 : JP14702019