HANADA Takashi

J-GLOBAL         Last updated: Sep 18, 2018 at 19:32
 
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Name
HANADA Takashi
Affiliation
Tohoku University
Section
Institute for Materials Research Physics of Electronic Materials
Job title
Assistant Professor

Research Areas

 
 

Published Papers

 
T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, T. Fukuda, and T. Matsuoka
Journal of Applied Physics   123 205305-1-205305-8   May 2018   [Refereed]
T. Hanada, H. Totsuka, S. K. Hong, K. Godo, K. Miyajima, T. Goto, and T. Yao
J. Vac. Sci. Technol. B   24(4) 1886-1890   Jul 2006   [Refereed]
T. Hanada, B. H. Koo, H. Totsuka, and T. Yao
Phys. Rev. B   64 165307-1-165307-6   2001   [Refereed]
T. Hanada, T. Yasuda, A. Ohtake, K. Hingerl, S. Miwa, K. Arai, and T. Yao
Phys. Rev. B   60[12] 8909-8914   1999   [Refereed]
T. Hanada, H. Daimon, S. Nagano, S. Ino, S. Suga, and Y. Murata
Physical Review B   55(24) 16420-16425   1997   [Refereed]

Misc

 
3.5. II-VI族化合物半導体
八百 隆文, 花田 貴
電子材料ハンドブック   213-225   2006
ZnOエピタキシーの最近の進展
花田貴、高恒柱、八百隆文
応用物理   72(6) 705-710   Jun 2003
花田貴、八百隆文
表面科学   21(6) 355-360   Jun 2000
Z. Liu, T. Hanada, M. Kawai, K. Kudo, and H. Koinuma
J. Surf. Sci. Soc. Jpn.   14 283-287   Dec 1993

Books etc

 
ワイドギャップ半導体光・電子デバイス
(5.2.9節)花田貴,八百隆文 (Part:Joint Work, 5.2.9節 (ZnOと関連半導体/エピタキシャル成長) 398頁~404頁)
森北出版   Mar 2006   ISBN:4-627-77321-8
第5版 実験化学講座24 表面・界面
(3.8節)花田貴 (Part:Joint Work, 3.8節(反射高速電子線回折(RHEED))205頁~214頁)
丸善   Jan 2007   ISBN:978-4-621-07323-0
発光と受光の物理と応用
(6.4節)花田貴,八百隆文 (Part:Joint Work, 6.4節(酸化物半導体発光デバイス)227頁~237頁)
培風館   Mar 2008   ISBN:978-4-563-06770-0
Oxide and Nitride Semiconductors Processing, Properties, and Applications
(Chapter 1)T. Hanada (Part:Joint Work, 第1章(Basic Properties of ZnO, GaN, and Related Materials)1頁~19頁)
Springer Berlin Heidelberg   Mar 2009   ISBN:978-3-540-88846-8
ISBN 978-3-540-88846-8 (Print) 978-3-540-88847-5 (Online)
State-of-the-Art Research and Perspective of Zinc Oxide
(第1章)花田貴 (Part:Joint Work, 第1章(ZnOの基礎データ)1頁~14頁)
シーエムシー出版   Jan 2011   ISBN:978-4-7813-0320-8

Conference Activities & Talks

 
Roll of Hydrogen during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of N-polar III-nitrides
T. Hanada and T. Matsuoka
The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)   24 Jul 2017   
Surface Structure of Cleaved ScAlMgO4(0001) Substrate for III-nitrides Analyzed by X-ray Crystal Truncation Rod Scattering
T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, T. Fukuda, and T. Matsuoka
The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)   24 Jul 2017   
X線CTR散乱によるScAlMgO4(0001)劈開面の構造解析
花田 貴, 田尻寛男,坂田修身, 福田 承生, 松岡 隆志
第64回応用物理学会春季学術講演会   14 Mar 2017   
Ga-polar GaN film grown by MOVPE on cleaved ScAlMgO4 (0001) substrate with millimeter-scale wide terraces
T. Hanada, T. Iwabuchi, S. Kuboya, H. Tajiri, K. Inaba, T. Tanikawa, T. Fukuda, and T. Matsuoka
The 2016 European Materials Research Society Fall Meeting   19 Sep 2016   
c面ScAlMgO4基板上にMOVPE成長したGaNの異常分散X線回折による極性判定
花田 貴, 岩渕 拓也, 窪谷 茂幸, 谷川 智之, 片山 竜二, 湊 明朗, 福田 承生, 稲葉 克彦, 松岡 隆志
第61回応用物理学会春季学術講演会   17 Mar 2014