大見俊一郎 (Shun'ichiro Ohmi) - マイポータル

基本情報

所属: 東京科学大学工学院准教授

学位: 博士(工学)(東京工業大学)

研究者番号: 30282859
J-GLOBAL ID: 200901002564610160
researchmap会員ID: 1000203938

経歴

2001年 - 2007年

:東京工業大学助教授
2001年 - 2007年

:
2007年

-:東京工業大学准教授
2007年

-:
2006年

-:東京工芸大学工学部非常勤講師
2006年

-:
2005年

-:東京工芸大学大学院工学研究科非常勤講師
2005年

-:
1996年 - 2001年

:東京工業大学助手
1996年 - 2001年

:
2000年 - 2000年

:North Carolina State University 訪問研究員
2000年 - 2000年

:
1997年 - 1999年

:Lucent Technologies Bell Labs 博士研究員
1997年 - 1999年

:
1994年 - 1996年

:日本学術振興会特別研究員
1994年 - 1996年

:

学歴

委員歴

受賞

2007年

JJAP Editorial Contribution Award
2007年

JJAP Editorial Contribution Award
2002年

応用物理学会論文賞解説論文賞
1997年

手島記念研究賞博士論文賞

MISC

235

Study on Stability of Pentacene-Based Metal-Oxide-Semiconductor Diodes in Air Using Capacitance-Voltage Characteristics

Md. Akhtaruzzaman, Shun-Ichiro Ohmi, Jun-ichi Nishida, Yoshiro Yamashita, Hiroshi Ishiwara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 48(4) 04C178-1-3 2009年4月
Study on Stability of Pentacene-Based Metal-Oxide-Semiconductor Diodes in Air Using Capacitance-Voltage Characteristics

M. Akhtaruzzaman, S. Ohmi, J. Nishida, Y. Yamashita, H. Ishiwara

Japan J. Appl. Phys. 48 04C178-1-3 2009年
A proposal of TC-MOSFET and fabrication process of twin Si channels

Shun-ichiro Ohmi, Tetsushi Sakai

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E90C(5) 994-999 2007年5月
Fabrication of SOI MOSFET by “Separation by Bonding Silicon Islands (SBSI) Method

K. Kanemoto, H. Oka, H. Hisamatsu, Y. Matsuzawa, Y. Kitano, T. Hara, M. Hoshina, S. Ohmi, J. Kato

ECS Transactions 6(4) 309-313 2007年
Mechanism of selective etching of SiGe layers in SiGe/Si systems

J. Kato, H. Oka, K. Kanemoto, H. Hisamatsu, Y. Matsuzawa, Y. Kitano, T. Hara, M. Hoshina, S. Ohmi

ECS Transactions 6(8) 245-251 2007年
Fabrication of SOI MOSFET by "separation by bonding silicon islands (SBSI)" method

K. Kanemoto, H. Oka, H. Hisamatsu, Y. Matsuzawa, Y. Kitano, T. Hara, M. Hoshina, S. Ohmi, J. Kato

ECS Transactions 6(4) 309-313 2007年
Ultrathin HfOxNy gate insulator formation by electron cyclotron resonance Ar/N-2 plasma nitridation of HfO2 thin films

Shun-ichiro Ohmi, Tomoki Kurose, Masaki Satoh

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E89C(5) 596-601 2006年5月
Thermal stability of Gd2O3/Si(100) interfacial transition layer

H Nohira, T Yoshida, H Okamoto, S Shinagawa, W Sakai, K Nakajima, M Suzuki, K Kimura, NJ Aun, Y Kobayashi …

JOURNAL DE PHYSIQUE IV 132 273-277 2006年3月
Effects of low temperature annealing on the ultrathin La2O3 gate dielectric; comparison of post deposition annealing and post metallization annealing

JA Ng, Y Kuroki, N Sugii, K Kakushima, SI Ohmi, K Tsutsui, T Hattori, H Iwai, H Wong

MICROELECTRONIC ENGINEERING 80 206-209 2005年6月
Analysis of variation in leakage currents of Lanthana thin films

Y Kim, S Ohmi, K Tsutsui, H Iwai

SOLID-STATE ELECTRONICS 49(5) 825-833 2005年5月
Separation by bonding Si islands (SBSI) for advanced CMOS LSI applications

T Yamazaki, S Ohmi, S Morita, H Ohri, J Murota, M Sakuraba, H Omi, T Sakai

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E88C(4) 656-661 2005年4月
Separation by bonding Si islands (SBST) for LSI applications

T Yamazaki, S Ohmi, S Morita, H Ohri, J Murota, M Sakuraba, H Omi, Y Takahashi, T Sakai

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 8(1-3) 59-63 2005年2月
HfNのECR Ar/O_2_プラズマ酸化により形成したHfO_x_N_y_薄膜の熱処理に関する検討

黒瀬朋紀, 内川偉史, 大見俊一郎, 酒井徹志

第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2 899 2005年
LaO_x_/YO_x_/Si界面組成遷移層の化学結合状態の熱処理依存性

吉田徹史, 松田徹, 岡本英介, 品川盛治, 野平博司, 中川健太郎, 黒木裕介, 宮内邦裕, 大見俊一郎, 岩井洋 …

第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2 918 2005年
MIM構造の高誘電率La_2_O_3_薄膜におけるリーク電流機構

福山享, 金容湜, 大見俊一郎, 筒井一生, 岩井洋

第52回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2 918 2005年
Dry Etching of Cr_2_O_3_/Cr Stacked Film during Resist Ashing by Oxygen Plasma

Junichi Tonotani, Shun-ichiro Ohmi Hiroshi Iwai

Jpn. J. Appl. Phys. 44 114-117 2005年
ECR Ar/O_2_ Plasma Oxidation of HfN Thin Films for High Dielectric HfO_x_N_y_ Formations

T. Kurose, T. Uchikawa, S. Ohmi, T. Sakai

Trans. Mat. Res. Soc. Japan 30 209-212 2005年
Dry Etching of Cr_2_O_3_/Cr Stacked Film during Resist Ashing by Oxygen Plasma

Junichi Tonotani, Shun-ichiro Ohmi Hiroshi Iwai

Jpn. J. Appl. Phys. 44 114-117 2005年
Electrical properties of vacuum annealed La2O3 thin films grown by E-beam evaporation

Y Kim, K Miyauchi, S Ohmi, K Tsutsui, H Iwai

MICROELECTRONICS JOURNAL 36(1) 41-49 2005年1月
ECR Ar/O_2_ Plasma Oxidation of HfN Thin Films for High Dielectric HfO_x_N_y_ Formations

T. Kurose, T. Uchikawa, S. Ohmi, T. Sakai

Trans. Mat. Res. Soc. Japan 30 209-212 2005年

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書籍等出版物

Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanisms

Elsevier Science 1997年
Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanisms

Elsevier Science 1997年

講演・口頭発表等

105

ウェットエッチングによるYb混晶化PtSiのパターニングに関する検討

春季第５７回応用物理学関係連合講演会 2010年
２段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの極薄膜化にかんする検討

春季第５７回応用物理学関係連合講演会 2010年
ECRスパッタ法により形成したHfN/HfSiON/Si(100)ゲートスタック構造の評価

春季第５７回応用物理学関係連合講演会 2010年
Electrical Properties of Hf/HfSiON/p-Si(100) Structure MIS capacitor by Using ECR-Sputtering

2010年
RFマグネトロンスパッタ法によるPtSiゲート電極の形成

春季第５７回応用物理学関係連合講演会 2010年
Dielectric layer dependence of electrical and physical properties of pentacene films

2010年
Investigation of n-type properties of pentacene based on MOS diodes utilizing ultra thin metal interlayer

2010年
Electrical Properties of Hf/HfSiON/p-Si(100) Structure MIS capacitor by Using ECR-Sputtering

2010年
Dielectric layer dependence of electrical and physical properties of pentacene films

2010年
Investigation of n-type properties of pentacene based on MOS diodes utilizing ultra thin metal interlayer

2010年
２段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの耐熱性向上に関する検討

電子情報通信学会SDM研究会 2009年
ECRスパッタ法によるHfN/HfON積層構造の形成

電子情報通信学会SDM研究会 2009年
Investigation of characteristics of pentacene-based MOSFETs structures

2009年
3次元構造上に形成したHfON薄膜の側壁部膜質の評価

春季第56回応用物理学関係連合講演会 2009年
Yb混晶化PtSiの結晶性に関する検討

春季第56回応用物理学関係連合講演会 2009年
Hf混晶化PtSiの耐熱性に関する検討

春季第56回応用物理学関係連合講演会 2009年
Characteristics of pentacene based MOS diodes with thin gate dielectric

2009年
Retention Characteristics of poly(vinylidenefluoride-trifluoroethylene)MFIS diodes

2009年
ECRスパッタ法による３次元構造上へのHfN/HfONゲートスタック構造の形成

秋季第７０回応用物理学会学術講演会 2009年
ポストアニールによるYb混晶化PtSiの低抵抗率化に関する検討

秋季第７０回応用物理学会学術講演会 2009年

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