佐野 伸行

J-GLOBALへ         更新日: 19/02/14 03:07
 
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研究者氏名
佐野 伸行
 
サノ ノブユキ
所属
筑波大学
部署
数理物質系
職名
教授

研究分野

 
 

学歴

 
 
 - 
1988年8月
米国Auburn大学大学院 物理学研究科 理論物理学
 

委員歴

 
2017年
 - 
2018年
文部科学省高等教育局  工学系教育の在り方に関する調査研究WG
 
2003年
   
 
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会  常任理事
 

受賞

 
1992年
日本電信電話株式会社 研究所所長表彰
 
1988年
Outstanding Research Award (Auburn University)
 

論文

 
Sano, Nobuyuki;Saito, Shinji
Jpn. J. Appl. Phys.   0210003   2017年   [査読有り]
Honda, Syuta; Inuzuka, Kouhei; Inoshita, Takeshi; Ota, Norio; Sano, Nobuyuki
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS   47(48)    2014年12月   [査読有り]
Yoshida, Katsuhisa; Shibamiya, Toru; Sano, Nobuyuki
APPLIED PHYSICS LETTERS   105(3)    2014年7月   [査読有り]
ジャンクションレストランジスタにおけるNEGF法を用いたデバイスシミュレーション : 不純物散乱と遮蔽の影響の考察(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)
植田, 暁子; Luisier, Mathieu; 吉田, 勝尚; 本多, 周太; 佐野, 伸行
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   113(296) 61-64   2013年11月
高濃度にドープされたn型のシリコンナノワイヤで構成されたジャンクションレストランジスタ(JLT)において,遮蔽効果を伴ったイオン化不純物散乱の移動度への影響を調べた.電気伝導特性と移動度の計算には,sp^3d^5s^*タイトバインディングを用いた非平衡グリーン関数(NEGF)法を適用した.ゲート電圧の印加によってチャネル中の伝導電子の濃度が高くなるにつれて,伝導電子によるイオン化した不純物クーロンポテンシャルの遮蔽が強まり,移動度が増大することを検証した.特に,伝導電子とイオン化不純物の極...
Ikeda, Hiroyuki; Sano, Nobuyuki
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   60(10:::SI) 3417-3423   2013年10月   [査読有り]

書籍等出版物

 
2016 JOINT INTERNATIONAL EUROSOI WORKSHOP AND INTERNATIONAL CONFERENCE ON ULTIMATE INTEGRATION ON SILICON (EUROSOI-ULIS 2016)
Sano, Nobuyuki
IEEE   2016年   ISBN:9781467386098
A Theoretical Study on Dielectric Breakdown
佐野, 伸行
1988年8月   
Monte Corlo Simulation of Ionization Phenomena in Si-MOSFET's
佐野, 伸行
1991年1月   
Nonlocality of Impact Ionization Processes under Inhomogeneous Electric Fields : A Full-Band Monte Carlo Approach
佐野, 伸行
1993年1月   
(INVITED) Impact Ionization in Submicron and Sub-0.1 Micron Si-MOSFET's
佐野, 伸行
Plenum   1996年1月   

講演・口頭発表等

 
Variability and Self-Average of Impurity-limited Resistance in Semiconductor Nanowires [招待有り]
Sano,Nobuyuki
7th Annual World Congress of Nano Science & Technology-2017   2017年10月24日   
Physical Issues in Device Modeling: Length-Scale, Disorder, and Phase Interference [招待有り]
Sano, Nobuyuki
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)   2017年9月7日   
Large Mobility Modulation Due to Discrete Impurities in Nanowires [招待有り]
Sano, Nobuyuki
Symposium on Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 14 held during the PRiME Joint Int Meeting of The Electrochemical-Society, The Electrochemical-Society-of-Japan, and the Korean-Electrochemical-Society   2016年10月2日   
Effect of Impurity Scattering on Mobility in Si Nanowire Junctionless FETs
佐野,伸行
International Workshop on Computational Electronics (IWCE-17)   2014年6月3日   IWCE
Monte Carlo Study of the long-range Coulomb interaction for Junctionless Transistors
佐野,伸行
International Workshop on Computational Electronics (IWCE-17)   2014年6月3日   IWCE

競争的資金等の研究課題

 
宇宙線中性子起因ソフトエラーシミュレーションに関する研究
半導体理工学研究センター(STARC): 企業からの受託研究
研究期間: 2008年4月 - 2010年3月    代表者: 佐野 伸行
経済産業省ナノエレクトロニクス・プロジェクト「半古典輸送と量子輸送を融合したナノデバイス・シミュレーションの研究開発」
産業技術総合研究所: その他
研究期間: 2007年10月 - 2011年3月    代表者: 佐野 伸行
高エネルギー粒子による半導体誤動作のシミュレーション解析
NTスペース: 企業からの受託研究
研究期間: 2005年 - 2005年    代表者: 佐野伸行
デカナノスケールのデバイスにおける電子不純物相互作用の理論的研究
東芝: 企業からの受託研究
研究期間: 2003年 - 2006年    代表者: 佐野伸行
デカナノスケールの既存半導体素子(MOSFET)における電子輸送機構に関するシミュレーションおよび理論研究。
SiC におけるインパクトイオン化過程の研究
産業技術総合研究所: その他
研究期間: 2002年 - 2003年    代表者: 佐野伸行