藤沢浩訓 (Hironori Fujisawa) - マイポータル

基本情報

所属: 兵庫県立大学大学院工学研究科（電気電子工学分野）教授

学位: 博士（工学）(京都大学)

J-GLOBAL ID: 200901024163919928
researchmap会員ID: 1000214812

外部リンク: https://www.eng.u-hyogo.ac.jp/eecs/eecs7/index.html

研究キーワード

研究分野

経歴

2026年4月 - 現在

兵庫県立大学, 大学院工学研究科（電気電子工学分野）, 教授
2018年 - 2026年3月

兵庫県立大学, 大学院工学研究科電子情報工学専攻, 教授
2008年 - 2018年

兵庫県立大学大学院工学研究科准教授
2006年 - 2008年

兵庫県立大学大学院工学研究科助教
2006年 - 2008年

Assistant Professor, Graduate School of Engineering, University of Hyogo
2008年

- Associate Professor, Graduate School of Engineering, University of Hyogo
2004年 - 2006年

兵庫県立大学大学院工学研究科助手
2004年 - 2006年

Research Associate, Graduate School of Engineering, University of Hyogo
2002年 - 2004年

姫路工業大学大学院工学研究科助手
2002年 - 2004年

Research Associate, Graduate School of Engineering, Himeji Institute of Technology
1996年 - 2002年

姫路工業大学工学部助手
1996年 - 2002年

Research Associate, Faculty of Engineering, Himeji Institute of Technology

学歴

- 1996年

京都大学, 工学研究科, 電子工学
- 1994年

京都大学, 工学部, 電子工学科

論文

180

Effects of Al concentration and annealing method on crystalline and ferroelectric properties of Al:HfO2 thin films

Tomoya Mifune, Hideaki Tanimura, Yuma Ueno, Yusuke Tani, Yukiya Sano, Hironori Fujisawa, Seiji Nakashima, Ai I Osaka, Shinichi Kato, Takumi Mikawa

Japanese Journal of Applied Physics 2026年4月30日
Engineering ferroelectric interfaces: Delta-doping and millisecond flash lamp annealing for enhancing polarization properties in TiN/Al:HfO2/TiN capacitors

Hideaki Tanimura, Tomoya Mifune, Yuma Ueno, Yusuke Tani, Hironori Fujisawa, Seiji Nakashima, Ai I. Osaka, Shinichi Kato, Takumi Mikawa

Applied Physics Letters 2025年12月15日
Graphene transfer onto epitaxial Mn-doped BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3 heterostructure using self-assembled monolayer and its photovoltaic effect

Seiji Nakashima, Ryoma Takagi, Kota Nakatsuka, Shunjiro Fujii, Ai I. Osaka, Hironori Fujisawa

Japanese Journal of Applied Physics 2025年8月1日
Ultra-rapid cooling in the millisecond timescale for the enhancement of polarization properties in Al:HfO₂ thin films using flash lamp annealing

Hideaki Tanimura, Tomoya Mifune, Yuma Ueno, Hironori Fujisawa, Seiji Nakashima, Ai I. Osaka, Shinichi Kato, Takumi Mikawa

Japanese Journal of Applied Physics 64(1) 01SP05-01SP05 2025年1月1日査読有り
Corrigendum: “Low-thermal-budget crystallization of ferroelectric Al:HfO₂ films by millisecond flash lamp annealing” [Jpn. J. Appl. Phys. 63 09SP10 (2024)]

Hideaki Tanimura, Yuma Ueno, Tomoya Mifune, Hironori Fujisawa, Seiji Nakashima, Ai I. Osaka, Shinichi Kato, Takumi Mikawa

Japanese Journal of Applied Physics 63(10) 109302-109302 2024年10月1日査読有り
Low-thermal-budget crystallization of ferroelectric Al:HfO₂ films by millisecond flash lamp annealing

Hideaki Tanimura, Yuma Ueno, Tomoya Mifune, Hironori Fujisawa, Seiji Nakashima, Ai I. Osaka, Shinichi Kato, Takumi Mikawa

Japanese Journal of Applied Physics 63(9) 09SP10-09SP10 2024年9月2日査読有り
Intermediate multidomain state in single-crystalline Mn-doped BiFeO3 thin films during ferroelectric polarization switching

Seiji Nakashima, Koji Kimura, Naohisa Happo, Artoni Kevin R. Ang, Yuta Yamamoto, Halubai Sekhar, Ai I. Osaka, Koichi Hayashi, Hironori Fujisawa

Scientific Reports 14(1) 2024年6月21日査読有り最終著者
Crystallization of (Hf, Zr)O<inf>2</inf>thin films via non-heating process and their application to ferroelectric-gate thin film transistors

Takeshi Asuka, Junpei Ouchi, Hironori Fujisawa, Seiji Nakashima

Japanese Journal of Applied Physics 62(SM) 2023年11月1日査読有り責任著者
Local atomic structure of V-doped BiFeO<inf>3</inf>thin films measured by X-ray fluorescence holography

Kazuki Arima, Seiji Nakashima, Koji Kimura, Koichi Hayashi, Naohisa Happo, Hironori Fujisawa

Japanese Journal of Applied Physics 62(SM) 2023年11月1日査読有り
Assessment of polarization-related band modulation at graphene/Mn-doped BiFeO<inf>3</inf> interfaces by photoemission electron microscopy

Seiji Nakashima, Tatsuya Ito, Takuo Ohkochi, Hironori Fujisawa

Japanese Journal of Applied Physics 61 2022年11月1日査読有り
Nonvolatile operation of vertical ferroelectric gate-all-around nanowire transistors

Hironori Fujisawa, Kazuma Ikeda, Seiji Nakashima

Japanese Journal of Applied Physics 60(SF) 2021年11月査読有り筆頭著者
Effects of post-annealing temperature and micropillar shape on physical properties of micropillar-type multiferroic composite thin films

Tsubasa Migita, Masafumi Kobune, Kengo Matsumoto, Yuuri Takeuchi, Hironori Fujisawa, Kensuke Kanda, Kazusuke Maenaka

Japanese Journal of Applied Physics 60(SF) SFFB06-SFFB06 2021年11月1日査読有り
Impact of film thickness on the external quantum efficiency of bulk photovoltaic effects in Mn-doped BiFeO<inf>3</inf>thin films

Seiji Nakashima, Ren Kato, Hironori Fujisawa

Japanese Journal of Applied Physics 60 2021年11月査読有り
Enhancement of photovoltage by electronic structure evolution in multiferroic Mn-doped BiFeO<inf>3</inf> thin films

Seiji Nakashima, Tohru Higuchi, Akira Yasui, Toyohiko Kinoshita, Masaru Shimizu, Hironori Fujisawa

Scientific Reports 10(1) 2020年12月1日査読有り
Effects of substrate temperature on physical properties of microrod-type multiferroic composite thin films fabricated by metal organic chemical vapor deposition

Tsubasa Migita, Masafumi Kobune, Ryoga Ito, Taiki Obayashi, Hideyuki Takasaki, Ryo Ito, Takeyuki Kikuchi, Hironori Fujisawa, Kensuke Kanda, Kazusuke Maenaka …

Japanese Journal of Applied Physics 59(SP) 2020年11月1日査読有り
X-ray absorption and photoemission spectroscopy of bulk insulating materials using graphene

Satoru Suzuki, Yuichi Haruyama, Akinobu Yamaguchi, Tomoki Yamamoto, Takuya Yoshizumi, Ayaka Fujii, Seiji Nakashima, Yakumo Fuchiwaki, Hironori Fujisawa, Takuo Ohkochi …

Journal of Applied Physics 128(1) 2020年7月7日査読有り
Water Electrolysis Using Thin Pt and RuO<inf>x</inf> Catalysts Deposited by a Flame-Annealing Method on Pencil-Lead Graphite-Rod Electrodes

Ryuki Tsuji, Yuuki Koshino, Hideaki Masutani, Yuichi Haruyama, Masahito Niibe, Satoru Suzuki, Seiji Nakashima, Hironori Fujisawa, Seigo Ito

ACS Omega 5(11) 6090-6099 2020年3月24日査読有り
Atomic structure stabilization in BiFeO<inf>3</inf> thin film by Mn doping

Seiji Nakashima, Yakumo Fuchiwaki, Naohisa Happo, Koji Kimura, Yuta Yamamoto, Ryohei Matsumoto, Kouichi Hayashi, Hironori Fujisawa

Japanese Journal of Applied Physics 59(1) 2020年1月1日査読有り
Fabrication and physical properties of bismuth layer-structured ferroelectric thin films with c-axis orientation epitaxially grown by high-temperature sputtering

Tsubasa Migita, Masafumi Kobune, Ryoga Ito, Taiki Obayashi, Takeyuki Kikuchi, Hironori Fujisawa, Seiji Nakashima

Japanese Journal of Applied Physics 58(SL) 2019年査読有り
Introduction of charged domain walls into BiFeO<inf>3</inf> thin films using a pit-patterned SrTiO<inf>3</inf> (001) substrate

Seiji Nakashima, Satoshi Kimura, Yuta Kurokawa, Hironori Fujisawa, Masaru Shimizu

Japanese Journal of Applied Physics 58(SL) 2019年査読有り

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MISC

蛍光X線ホログラフィーによるVドープBiFeO3薄膜の構造解析

中嶋誠二, 有馬知希, 木村耕治, 八方直久, 藤沢浩訓, 林好一

KEK Progress Report 41 155-1-155-3 2024年6月
強誘電体ナノワイヤ及びナノアイランドの自発分極に関する研究

藤沢浩訓, 中嶋誠二, 清水勝

豊田研究報告 63(63) 135-139 2010年
MOCVD-Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の電気的特性のグレインサイズ依存性

藤沢浩訓, 中嶋誠二, 清水勝, 丹生博彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98(591) 13-20 2009年2月16日
MOCVD法によるナノサイズ強誘電体の作製とその物性

藤沢浩訓, 清水勝

電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2007(9) 1-6 2007年7月10日
MOCVD法による強誘電体ナノ構造の形成とその物性

清水勝, 野々村哉, 藤沢浩訓, 丹生博彦, 本田耕一郎

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 104(713) 23-27 2005年3月4日
MOCVD法により形成したPbTiO_3自己集合島の構造制御

野々村哉, 藤沢浩訓, 清水勝, 丹生博彦, 本田耕一郎

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 103(729) 31-36 2004年3月10日
MOCVD 法による Pb(Zr,Ti)0_3薄膜の低温成長と特性の改善

岡庭守, 藤沢浩訓, 清水勝, 丹生博彦

電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 103(170) 1-6 2003年7月4日
MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3極薄膜のエピタキシャル成長と電気的特性

野々村哉, 藤沢浩訓, 清水勝, 丹生博彦, 本田耕一郎

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 102(732) 69-74 2003年3月11日
MOCVD法によるPb(Zr, Ti)O_3薄膜の低温成長と核付けが及ぼす効果

岡庭守, 藤沢浩訓, 清水勝, 丹生博彦

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 101(718) 13-18 2002年3月7日
Domain Motions in Epitaxial Pb(Zr,Ti)O₃ Thin Film Capacitors by Piezoresponse Scanning Force Microscopy (jointly worked)

Proc. of 13th IEEE Int. Symp. on Applications of Ferroelectrics 2002 87-90 2002年
I層にMgOを用いたMIS及びMFIS構造の作製とその評価

藤沢浩訓, 村田周平, 松岡裕益, 板東達也, 清水勝, 丹生博彦

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 100(652) 33-37 2001年3月5日
Pb(Zr, Ti)O_3薄膜を用いたMFIS構造における絶縁体膜の検討 : C-V及びDLTS法による界面準位密度の測定

藤沢浩訓, 清水勝, 丹生博彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 99(670) 7-11 2000年3月8日
Observation of Polarization Reversal Processes in Pb(Zr, Ti)O₃ Thin Films Using Atomic Force Microscopy, (jointly worked)

Proc. of 12th IEEE Int. Symp. on Applications of Ferroelectrics 619-622 2000年
Preparation of Ir-Based Thin Film Electrodes by MOCVD, (jointly worked)

Proc. of 12th IEEE Int. Symp. on Applications of Ferroelectrics 961-964 2000年
MOCVD-Pb(Zr,Ti)O3薄膜の電気的特性のグレインサイズ依存性

藤沢浩訓, 中嶋誠二, 清水勝, 丹生博彦

電子情報通信学会技術研究報告書 (信学技術) 98 13 1998年
Characterization of PZT and PLZT Thin Grown by MOCVD on 6-8 Inch Si Wafers(jointly worked)

Proceedings of the 3rd International Symposium on Sputtering & Plasma Processes 93 1995年
Photoenhanced MOCVD of Pb(Zr, Ti)O₃ Thin Films Using O₃, M. Shimizu(jointly worked)

Proceedings of 2nd International Conference on Thin Film Physics and Applications 478 1994年

書籍等出版物

Ferroelectric Thin Films (eds. M.Okuyama and Y.Ishibashi)

Springer 2005年 (ISBN: 3540241639)
Nanoscale Phenomena in Ferroelectric Thin Films (ed. S. Hong)

Kluwer Academic Publishers 2003年 (ISBN: 1402076304)

講演・口頭発表等

149

強誘電性Al:HfO2薄膜の積層構造が電気特性に与える影響

谷村英昭, 三船智哉, 植野雄守, 谷勇佑, 藤沢浩訓, 中嶋誠二, 大坂藍, 加藤慎一, 三河巧

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月14日
ミリ秒単位の超高速冷却が強誘電体Al:HfO2 薄膜の電気特性に与える影響

谷勇佑, 三船智哉, 谷村英昭, 植野雄守, 藤沢浩訓, 中嶋誠二, 大坂藍, 加藤慎一, 三河巧

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月14日
ミストCVD法を用いたマイクロロッド型VOx結晶の作製

高山大輝, 藤澤浩訓, 中嶋誠二, 大坂藍

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月14日
Smドープ量がBiFeO₃の局所原子配列構造に及ぼす影響

岡崎海馬, 中嶋誠二, 川上真梨花, 有馬知希, 木村耕治, 八方直久, SEKHAR Halubai, 麻生亮太郎, 大阪藍, 林好一, 藤澤浩訓

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2025年
ミストCVD法を用いたマイクロロッド型VO_x結晶の作製

高山大輝, 藤澤浩訓, 中嶋誠二, 大坂藍

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2025年
Atomic Structure Analysis of BiFeO3-Based Thin Films by X-ray Fluorescence Holography

Seiji Nakashima, Kazuki Arima, Marika Kawakami, Koji Kimura, Naohisa Happo, Halubai Sekhar, Koich Hayashi, Ai I. Osaka, Hironori Fujisawa

21st US-Japan Seminar on Dielectric and Piezoelectric Ceramics 2024年11月10日
Ferroelastic Domain Switching in Single Crystalline Mn-Doped BiFeO3 Thin Film

Seiji Nakashima, Koji Kimura, Naohisa Happo, Artoni Ang, Yuta Yamamoto, Halubai Sekhar, Ai Osaka, Koichi Hayashi, Hironori Fujisawa

IEEE UFFC-JS 2024 IEEE ULTRASOCINC, FERROELECTRICS, AND FREQUENCY CONTROL JOINT SYMPOSIUM 2024年9月23日
基板の表面粗さ制御によるVO2薄膜の相転移温度の変調

宮下寛規, Sharad Sunil Mane, 服部梓, 藤沢浩訓, 中嶋誠二, 大坂藍

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月17日
フラッシュランプアニールによるAl:HfO2薄膜の結晶化

三船智哉, 谷村英昭, 植野雄守, 藤沢浩訓, 中嶋誠二, 大坂藍, 加藤慎一, 三河巧

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月17日
強誘電体 BiFeO3薄膜上へのカーボンナノチューブ電極の作製

籠林慶己, 中嶋誠二, 大坂藍, 藤沢浩訓

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月17日
SmドープBiFeO3薄膜におけるSm原子近傍の局所構造解析

川上真梨花, 中嶋誠二, 木村耕治, 八方直久, 大坂藍, 藤沢浩訓, 林好一

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月17日
リバースモンテカルロ法によるMnドープBiFeO3単結晶薄膜の光電子ホログラムからの原子配列の推定

山田侑矢, 有馬知希, 橋本由介, 富田広人, 孫澤旭, 盛喜琢也, 多田村充, 中嶋誠二, 藤澤浩訓, 松下智裕

日本物理学会第79回年次大会(2024年) 2024年9月19日
Effects of Millisecond Flash Lamp Annealing on the Polarization and Crystallization in Thin Al:HfO2 Films

Hideaki Tanimura, Tomoya Mifune, Yuma Ueno, Shinichi Kato, Takumi Mikawa, Hironori Fujisawa, Seiji Nakashim

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2024) 2024年9月1日
Stress-induced crystallization of (Hf,Zr)O2 thin films and their application to ferroelectric thin-film transistors

Takeshi Asuka, Ai I. Osaka, Seiji Nakashima, Hironori Fujisawa

The 14th Japan-Kore Conference of Ferroelectricity (JKC-FE14) 2024年8月29日
In-Situ Observation of Bi Atoms in Mn-Doped BiFeO3 Thin Films under Electric Field by X-Ray Fluorescence Holography

Kazuki Arima, Seiji Nakashima, Ai I. Osaka, Koji Kimura, Halubai Sekhar, Naohisa Happo, Koichi Hayashi, Hironori Fujisawa

The 14th Japan-Kore Conference of Ferroelectricity (JKC-FE14) 2024年8月29日
Enhancement in Polarization of Al-doped HfO2 Thin Films Crystallized by Flash Lamp Annealing

T. Mifune, H. Tanimura, Y. Ueno, H. Fujisawa, S. Nakashima, Ai I. Osaka, S. Kato, T. Mikawa

The 14th Japan-Kore Conference of Ferroelectricity (JKC-FE14) 2024年8月29日
Measurements of output characteristics of vertical nanowire transistors with (Hf,Zr)O2 thin films

Yui Hamamoto, Ai I. Osaka, Seiji Nakashima, Hironori Fujisawa

The 14th Japan-Kore Conference of Ferroelectricity (JKC-FE14) 2024年8月29日
グラフェン/BiFeO3/SrRuO3構造の光起電力効果

高木諒真, 中嶋誠二, 大坂藍, 藤沢浩訓

第41回強誘電体会議(FMA41) 2024年6月13日
ミリ秒加熱処理による Al:HfO2の特性改善

谷村英昭, 植野雄守, 阪本直希, 三船智哉, 加藤慎一, 三河巧, 中嶋誠二, 藤沢浩訓

第41回強誘電体会議(FMA41) 2024年6月12日
フォトリソグラフィ工程におけるレジストの凝固が(Hf,Zr)O2薄膜の結晶化に与える影響

飛鳥剛士, 藤沢浩訓, 中嶋誠二, 大坂藍

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月25日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

低次元物質/強誘電体ヘテロ接合を用いた新メカニズム太陽電池の創出

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2023年4月 - 2026年3月

中嶋誠二, 藤澤浩訓
低次元物質/強誘電体ヘテロ接合を用いた新メカニズム太陽電池の創出

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2023年4月 - 2026年3月

中嶋誠二, 藤澤浩訓
pn接合によらない異常光起電力効果に基づく次々世代高効率太陽電池の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 挑戦的研究(萌芽) 2021年7月 - 2023年3月

藤澤浩訓, 中嶋誠二
「強誘電体分極の巨大近接効果」の現象としての確立

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 挑戦的研究(萌芽) 2019年6月 - 2023年3月

渡部行男, 藤澤浩訓, 佐藤琢哉, 横田紘子
強誘電体帯電表面・界面における擬似ドーパント効果の検討とその制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2019年4月 - 2022年3月

中嶋誠二, 藤澤浩訓
超高集積強誘電体メモリ実現へ向けたブレークスルー技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2016年4月 - 2019年3月

藤澤浩訓, 清水勝, 中嶋誠二
光アクチュエータを指向した強誘電体薄膜における異常光起電力効果の増強

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2016年4月 - 2019年3月

中嶋誠二, 藤沢浩訓, 清水勝
強誘電体ナノロッドを用いた超高集積強誘電体メモリ用キャパシタの作製

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2013年4月 - 2015年3月

清水勝, 藤澤浩訓, 中嶋誠二
ナノ強誘電体の自発分極とそのサイズ依存性

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2012年4月 - 2014年3月

藤澤浩訓, 清水勝, 中嶋誠二
エピタキシャル成長したビスマス層状構造強誘電体ナノプレートの創製と応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2011年 - 2013年

小舟正文, 藤澤浩訓
強誘電体一次元ナノ構造の作製と機能創製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2010年 - 2012年

清水勝, 藤澤浩訓, 中嶋誠二, 本田耕一郎
組成・価数制御されたBiFeO_3薄膜の作製とリーク電流機構解明

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2010年 - 2011年

藤澤浩訓, 清水勝, 中嶋誠二
ナノサイズ強誘電体の作製とその分極反転に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2008年 - 2009年

藤澤浩訓
段差被覆性に優れたIr系薄膜形成技術の開発

科学技術振興機構産学が連携した研究開発成果の展開/研究成果展開事業/地域事業/地域イノベーション創出総合支援事業/シーズ発掘試験 2008年 - 2008年

藤澤浩訓
等方高圧アニール法によるビスマス系ペロブスカイト化合物薄膜の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2007年 - 2008年

小舟正文, 藤澤浩訓, 藤澤浩訓
ナノサイズ強誘電体における分極反転に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2006年 - 2008年

藤澤浩訓
MOCVD法による強誘電体極薄膜及びナノ構造の作製とサイズ効果に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2005年 - 2006年

清水勝, 本田耕一郎, 藤沢浩訓
強誘電体分域境界に生じる自発分極と結合した自由電子系の確定と解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2004年 - 2006年

渡部行男, 山田和正, 藤沢浩訓
MOCVD法による高品質強誘電体薄膜の作製と物性評価

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2000年 - 2003年

清水勝, 安達正利, 藤沢浩訓, 丹生博彦
強誘電体及び電極薄膜の低温MOCVD成長と超高集積立体構造メモリへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2001年 - 2002年

清水勝, 藤森敬和, 藤沢浩訓, 丹生博彦, 門倉秀公

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