北田 貴弘

J-GLOBALへ         更新日: 18/12/07 15:16
 
アバター
研究者氏名
北田 貴弘
 
キタダ タカヒロ
URL
http://www.frc.tokushima-u.ac.jp/frc-nano/
所属
徳島大学
部署
大学院社会産業理工学研究部
職名
特任教授
学位
博士(工学)(大阪大学)

研究分野

 
 

経歴

 
2017年4月
 - 
現在
徳島大学 大学院社会産業理工学研究部 特任教授
 
2016年4月
 - 
2017年3月
徳島大学 大学院理工学研究部 特任教授
 
2011年4月
 - 
2016年3月
徳島大学 大学院ソシオテクノサイエンス研究部 特任准教授
 
2007年4月
 - 
2011年3月
徳島大学 大学院ソシオテクノサイエンス研究部 客員准教授
 
2006年4月
 - 
2007年3月
徳島大学 大学院ソシオテクノサイエンス研究部 客員助教授
 
1997年4月
 - 
2006年3月
大阪大学 大学院基礎工学研究科 助手
 
1996年7月
 - 
1997年3月
大阪大学 基礎工学部 助手
 
1995年4月
 - 
1996年3月
日本電信電話株式会社
 

学歴

 
1996年4月
 - 
1996年6月
大阪大学 大学院基礎工学研究科 博士後期課程物理系専攻(退学)
 
1993年4月
 - 
1995年3月
大阪大学 大学院基礎工学研究科 博士前期課程物理系専攻(修了)
 
1989年4月
 - 
1993年3月
大阪大学 基礎工学部 物性物理工学科(卒業)
 

受賞

 
2010年3月
財団法人エレキテル尾崎財団 源内奨励賞 半導体量子ドットと微小光共振器による新規な面型光非線形デバイスの創製
 

論文

 
Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Yasuo Minami, Takahiro Kitada
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.57(No.4S) 04FH07-04FH07   2018年3月   [査読有り]
We fabricated a coupled multilayer cavity with a GaAs/Ge/GaAs sublattice reversal structure for terahertz emission application. Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs was confirmed by comparing the anisotropic etching profile of an epitaxial sample w...
Takahiro Kitada, Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai, Ken Morita
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.57(No.4S) 04FH03-04FH03   2018年3月   [査読有り]
Room-temperature two-color lasing was demonstrated by current injection into a GaAs/AlGaAs coupled multilayer cavity for terahertz emitting devices utilizing its difference-frequency generation (DFG) inside the structure. We prepared two epitaxial...
Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Yasuo Minami, Takahiro Kitada
Applied Physics Express   Vol.11(No.1) 015501-015501   2018年1月   [査読有り]
GaAs/Ge/GaAs heterostructures were grown on high-index (113)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy. Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs was identified by comparing the anisotropic etching profile of the epitaxial sample with that for referenc...
Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Yasuo Minami, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Journal of Crystal Growth   Vol.477 221-224   2017年11月   [査読有り]
We have investigated the effects of Sb-soak on InAs quantum dots (QDs) grown on (001) and (113)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy. Surface morphologies of the QDs were characterized by atomic force microscopy. The optical properties of bu...
Xiangmeng Lu, Hiroto Ota, Naoto Kumagai, Yasuo Minami, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Journal of Crystal Growth   Vol.477 249-252   2017年11月   [査読有り]
Two-color surface-emitting lasers were fabricated using a GaAs-based coupled multilayer cavity structure grown by molecular beam epitaxy. InGaAs/GaAs multiple quantum wells were introduced only in the upper cavity for two-mode emission in the near...
Xiangmeng Lu, Hiroto Ota, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.56(No.4S) 04CH02-04CH02   2017年2月   [査読有り]
We have investigated a GaAs/AlAs triple-coupled multilayer cavity structure with InAs quantum dots for an ultrafast wavelength conversion device. Three cavity modes with the resonance frequencies ω1, ω2, and ω3 were used for efficient wavelength c...
Yasuo Minami, Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.56(No.4S) 04CH01-04CH01   2017年2月   [査読有り]
Current-injection two-color lasing has been demonstrated using a GaAs/AlGaAs coupled multilayer cavity that is a good candidate for novel terahertz-emitting devices based on difference-frequency generation (DFG) inside the structure. The coupled c...
Takahiro Kitada, Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Toshiro Isu
IEICE Transactions on Electronics   Vol.E100-C(No.2) 171-178   2017年2月   [査読有り][招待有り]
Compact and room-temperature operable terahertz emitting devices have been proposed using a semiconductor coupled multilayer cavity that consists of two functional cavity layers and three distributed Bragg reflector (DBR) multilayers. Two cavity m...
Takahiro Kitada, Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Toshiro Isu
Applied Physics Express   Vol.9(No.11) 111201-111201   2016年10月   [査読有り]
Two-color surface-emitting lasers were demonstrated, employing a GaAs/AlGaAs coupled multilayer cavity composed of two cavity layers andthree distributed Bragg reflector (DBR) multilayers. InGaAs multiple quantum wells (MQWs) with two different we...
Keisuke Murakumo, Yuya Yamaoka, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.55(No.4S) 04EH12-04EH12   2016年3月   [査読有り]
We fabricated a photoconductive antenna structure utilizing Er-doped InAs quantum dot layers embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As layers on a GaAs substrate. Mesa-shaped electrodes for the antenna structure were formed by photolithography and...
Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.55(No.4S) 04EH09-04EH09   2016年3月   [査読有り]
We fabricated a two-color surface emitting device of a coupled cavity structure, which is applicable to terahertz light source. GaAs/AlGaAs vertical multilayer cavity structures were grown on (001) and (113)B GaAs substrates and the coupled multil...
Xiangmeng Lu, Shuzo Matsubara, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Journal of Crystal Growth   Vol.425 106-109   2015年6月   [査読有り]
Self-assembled InAs quantum dots (QDs), without and with an AlAs cap, were grown on (311)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy. Surface morphologies of QDs were characterized by atomic force microscopy. Photoluminescence (PL) was performed i...
Masanori Ogarane, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Journal of Crystal Growth   Vol.425 303-306   2015年6月   [査読有り]
InAs quantum dots (QDs) were introduced as efficient nonlinear materials into a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity, which was recently demonstrated as a novel THz emission device based on difference-frequency generation (DFG) of the two cavity mo...
Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.54 04DG10-04DG10   2015年3月   [査読有り]
A GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structure was grown on a (001) GaAs substrate. The top cavity contains self-assembled InAs quantum dots (QDs) as optical gain materials for two-color emission of cavity-mode light. The bottom cavity layer was ...
Masanori Ogarane, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.54 04DG05-04DG05   2015年3月   [査読有り]
We have investigated a GaAs/AlAs triple-coupled multilayer cavity structure for an ultrafast wavelength conversion device. We found that significant improvement in the wavelength conversion was realized by introducing good nonlinear materials in t...
Haruyoshi Katayama, Michito Sakai, Junpei Murooka, Masafumi Kimata, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Mikhail Patrashin, Iwao Hosako, Yasuhiro Iguchi
Sensors and Materials   Vol.26(No.4) 225-234   2014年5月   [査読有り]
We present the development status of a Type II superlattice (T2SL) infrared detector for future space applications in JAXA. InAs/GaSb T2SL is the only known infrared material that has a theoretically predicted higher performance than HgCdTe. We fi...
Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.53(No.4S) 04EG11-04EG11   2014年2月   [査読有り]
A GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structure with InAs quantum dots (QDs) was fabricated by wafer-bonding of two cavity structures grown individually. The wafer-bonding technique is important to control the spatial distribution of nonlinear pol...
Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.53(No.4S) 04EG03-04EG03   2014年2月   [査読有り]
Four-wave mixing (FWM) in a GaAs/AlAs triple-coupled multilayer cavity has been studied for novel planar wavelength conversion devices. Three half-wavelength cavity layers are connected in series using GaAs/AlAs distributed Bragg reflector multila...
Takahiro Kitada, Chiho Harayama, Ken Morita, Toshiro Isu
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics   Vol.10(No.11) 1434-1437   2013年11月   [査読有り]
Twocolor lasing in a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity has been studied for a novel type of terahertz emitting devices. In the structure, two cavity layers based on GaAs were connected by the intermediate GaAs/AlAs distributed Bragg reflector mu...
Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Toshiro Isu
Applied Physics Letters   Vol.103(No.10) 101109-101109   2013年9月   [査読有り]
Four-wave mixing in a triple-coupled multilayer cavity has been investigated for planar-type wavelength conversion devices. Three half-wavelength cavity layers are connected in series using GaAs/AlAs distributed Bragg reflector multilayers to yiel...
Takahiro Kitada, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Toshiro Isu
Journal of Crystal Growth   Vol.378 485-488   2013年7月   [査読有り]
Time-resolved transmission change of Er-doped InAs quantum dots (QDs) embedded in strain-relaxedIn0.45Ga0.55As barriers has been studied using different excitation wavelengths (1.4-1.55μm) to understand the QD-size dependence of the photocarrier r...
Takahiro Kitada, Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Toshiro Isu
Applied Physics Letters   Vol.102(No.25) 251118-251118   2013年6月   [査読有り]
Terahertz wave generation was demonstrated by the difference frequency generation of two cavity modes in a polarization-controlled GaAs/AlAs coupled multilayer cavity. Inversion of the second-order nonlinear optical susceptibility was achieved by ...
Takahiro Kitada, Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Toshiro Isu
IEEE Photonics Journal   Vol.5(No.3) 6500308-6500308   2013年6月   [査読有り]
Temporal terahertz waveforms generated from GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structures were simulated and compared with experimental results. Femtosecond laser pulses covering two cavity-mode frequencies were used for the difference frequency ...
Yukinori Yasunaga, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.52(No.4) 04CG09-04CG09   2013年4月   [査読有り]
Strong ultrafast four-wave mixing signals at ?1.5 μm were demonstrated in a GaAs/AlAs multilayer cavity containing self-assembled InAs quantum dots (QDs) embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barriers. Time-resolved optical measurements using ...
Ken Morita, Hyuga Ueyama, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.52(No.4) 04CG04-04CG04   2013年3月   [査読有り]
A GaAs/AlAs multilayer cavity with a λ/2 AlAs cavity layer, which includes Er-doped InAs quantum dots (QDs) embedded in a thin strain-relaxed In0.45Ga0.55As barrier, was fabricated. Structural and optical properties were characterized by scanning ...
Hidetada Komatsu, Zhao Zhang, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.52(No.4) 04CG06-04CG06   2013年3月   [査読有り]
GaAs/air multilayer cavity structure is expected as a novel planar-type nonliner optical device because of the strong enhancement of optical electric fileds in the cavity. The optical Kerr signal was estimated to be two order of magnitude larger t...
Hyuga Ueyama, Tomoya Takahashi, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.51(No.4) 04DG06-04DG06   2012年4月   [査読有り]
Er-doped InAs quantum dots (QDs) embedded in strain-relaxed InGaAs barriers, which exhibit an extremely short carrier decay time of 3 ps due to the nonradiative process, are superior materials for ultrafast all-optical switches using a GaAs/AlAs m...
Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.51(No.4) 04DG05-04DG05   2012年4月   [査読有り]
Terahertz (THz) radiation was demonstrated using a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity grown on a (113)B GaAs substrate. Two cavity modes realized in the high-reflection band were simultaneously excited using ultrashort laser pulses for the differ...
Takuto Ito, Manato Deki, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shinobu Onoda, Takeshi Oshima
Journal of Laser Micro/Nanoengineering   Vol.7(No.1) 16-20   2012年2月   [査読有り]
Ken Morita, Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Fumiya Tanaka, Yoshinori Nakagawa, Shingo Saito, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Applied Physics Express   Vol.4(No.10) 102102-102102   2011年10月   [査読有り]
We observed terahertz (THz) radiation using difference frequency generation (DFG) of two cavity modes in a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity. 100 fs laser pulses were used to simultaneously excite two cavity modes, and oscillations with a...
Takahiro Kitada, Tomoya Takahashi, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Toshiro Isu
Journal of Crystal Growth   Vol.323(No.1) 241-243   2011年5月   [査読有り]
Effects of erbium doping on photocarrier lifetime have been investigated for self-assembled InAs quantum dots (QDs) embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barriers grown on (100) GaAs substrates by molecular beam epitaxy. Time-resolved transmis...
Takahiro Kitada, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Toshiro Isu
Proceedings of SPIE   Vol.7937 1H-1-1H-1   2011年5月   [査読有り][招待有り]
GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structures on high-index substrates have been proposed as novel terahertz emission devices. Two cavity modes with an optical frequency difference in the terahertz region are realized when two cavity layers are c...
Ken Morita, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.50(No.4) 04DG02-04DG02   2011年4月   [査読有り]
Optical Kerr signals markedly enhanced by increasing quality (Tex) factor in a GaAs/AlAs multilayer cavity have been demonstrated using time-resolved optical measurements. In the optical Kerr measurements, the spectral width of a laser pulse was w...
Fumiya Tanaka, Toshikazu Takimoto, Ken Morita, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.50(No.4) 04DG03-04DG03   2011年4月   [査読有り]
Time-resolved measurements of sum-frequency generation (SFG) of two cavity modes, which were realized in a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structure grown on a (113)B-oriented GaAs substrate, were performed. Strongly enhanced SFG and second-ha...
Manato Deki, Takuto Ito, Minoru Yamamoto, Takuro Tomita, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima
Applied Physics Letters   Vol.98(No.13) 133104-1-133104-3   2011年3月   [査読有り]
Takahiro Kitada, Akari Mukaijo, Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita, Toshiro Isu
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics   Vol.8(No.2) 334-336   2011年2月   [査読有り]
Excitation wavelength dependence (λ = 1.35-1.5 m) of timeresolved transmission change was measured for the Si δ-doped InAs quantum dots (QDs) with strainrelaxed In0.35Ga0.65As barriers to clarify the QDsize dependence of photocarrier relaxation. T...
Takahiro Kitada, Akari Mukaijo, Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita, Toshiro Isu
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures   Vol.42(No.10) 2540-2543   2010年10月   [査読有り]
We have studied effects of Si and Be δ-doping on photocarrier lifetime in self-assembled InAs quantum dots (QDs) with strain-relaxed In0:35Ga0:65As barriers grown on (100) GaAs substrates by molecular beam epitaxy. Relaxation of photocarriers gene...
Ken Morita, Tomoya Takahashi, Toshiyuki Kanbara, Shinsuke Yano, Takuya Mukai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures   Vol.42(No.10) 2505-2508   2010年10月   [査読有り]
A strong and ultrafast optical Kerr signal at ~1:5 μm has been demonstrated in a GaAs/AlAs multilayer cavity containing self-assembled InAs quantum dots (QDs) embedded in strain-relaxed In0:35Ga0:65As barriers. Time-resolved optical measurements u...
Ken Morita, Nobuyoshi Niki, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics   Vol.7(No.10) 2482-2485   2010年9月   [査読有り]
Photoluminescence (PL) as a consequence of a twophoton absorption excitation was measured in a GaAs/AlGaAs (001) multiple quantum well (MQW) at room temperature and an optical anisotropy of the twophoton absorption was investigated by PL intensity...
Toshiro Isu, Toshiyuki Kanbara, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics   Vol.7(No.10) 2478-2481   2010年9月   [査読有り]
Optical Kerr signals from GaAs/AlAs multilayer microcavities with GaAs/AlGaAs multiquantum wells (MQW) in the halfwavelength cavity layer were investigated. The cavitymodewavelengths were set at the resonance region of twophoton absorption of the ...
Ken Morita, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Applied Physics Express   Vol.3(No.7) 072801-072801   2010年7月   [査読有り]
We have investigated optical anisotropy of sum frequency generation (SFG) of two cavity modes realized in a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity. The SFG signals were measured by simultaneous excitation of two cavity modes with an optical fr...
Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.49(No.4) 04DG01-04DG01   2010年4月   [査読有り]
A strong sum frequency generation (SFG) has been demonstrated using two cavity modes realized in a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structure in which two GaAs half-wavelength cavity layers are coupled by an intermediate distributed Bragg refle...
Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.49(No.4) 04DG02-04DG02   2010年4月   [査読有り]
A GaAs/AlAs multilayer cavity containing self-assembled InAs quantum dots (QDs) embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barriers has been studied for planar-type optical Kerr gate switches. The multilayer cavity structure with smooth GaAs/AlAs i...
Takuro Tomita, Masahiro Iwami, Minoru Yamamoto, Manato Deki, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada, Toshiro Isu, Shingo Saito, Kiyomi Sakai, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima
Materials Science Forum   Vol.645-648 239-242   2010年1月   [査読有り]
Takahiro Kitada, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Toshiro Isu
Applied Physics Letters   Vol.95(No.11) 111106-111106   2009年9月   [査読有り]
GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structures are proposed as terahertz emission devices. Two cavity modes with an optical frequency difference in the terahertz region can be realized when two cavity layers are coupled by an intermediate distribu...
Ken Morita, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Applied Physics Express   Vol.2(No.8) 082001-082001   2009年8月   [査読有り]
Using time-resolved optical measurements, a strong, ultrafast optical Kerr signal was demonstrated in a GaAs/AlAs multilayer cavity containing self-assembled InAs quantum dots (QDs) embedded in strain-relaxed InGaAs barrier layers. The large optic...
Takahiro Kitada, Toshiyuki Kanbara, Shinsuke Yano, Ken Morita, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.48(No.8) 080203-080203   2009年8月   [査読有り]
The enhanced optical Kerr effect in a GaAs/AlAs multilayer cavity has been studied by numerical simulation using the self-consistent transfer matrix method. The simulated Kerr signal intensity of the cavity mode (Tex nm) markedly incre...
Takuya Mukai, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.48(No.4) 04C106-04C106   2009年4月   [査読有り]
Excitation wavelength dependence (Tex nm) of carrier relaxation was investigated for self-assembled InAs quantum dots (QDs) embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barriers grown on GaAs(100) substrates. Fast (Tex ps)...
Toshiyuki Kanbara, Shoya Nakano, Shinsuke Yano, Ken Morita, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.48(No.4) 04C105-04C105   2009年4月   [査読有り]
A strong enhancement of two-photon absorption (TPA) has been demonstrated in a 30-period GaAs/AlAs multilayer with a GaAs half-wavelength (Tex/2) cavity layer. In order to measure the time-resolved TPA signals, we successfully developed a sele...
Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.48(No.4) 04C128-04C128   2009年4月   [査読有り]
Self-assembled InAs quantum dots (QDs) were grown on (001) and (113)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE) under a slow growth rate condition of 0.0364 μm/h. Low-temperature (4 K) photoluminescence (PL) lineshape of the (001) QD sample ...
Ken Morita, Toshiyuk Kanbara, Shinsuke Yano, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics   Vol.6(No.6) 1420-1423   2009年4月   [査読有り]
Optical Kerr signals of GaAs/AlAs multilayer cavities with various quality factor (Q) were measured by an optical pump and probe technique with ultrashort pulses. Although the light intensity is enhanced in the cavities by Q, light power is restri...
Takahiro Kitada, Takuya Mukai, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Toshiro Isu
Journal of Crystal Growth   Vol.311(No.7) 1807-1810   2009年4月   [査読有り]
Self-assembled InAs quantum dots (QDs) embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barriers were grownon GaAs (10 0) substrates by molecular beam epitaxy. Relaxation of lattice strain in the In0.35Ga0.65As nucleation layer was monitored by in situ r...
Ken Morita, Kanbara Toshiyuki, Yano Shinsuke, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics   Vol.6(No.1) 137-140   2009年   [査読有り]
Optical Kerr response for a shortinputpulse of a GaAs/AlAs multilayer cavity which has a narrow cavity mode width was measured by an optical pump and probe technique. We observed a strong asymmetric temporal profile of the optical Kerr signal in t...
Takahiro Kitada, Nobuyoshi Niki, Ken Morita, Toshiro Isu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.47(No.10) 7839-7841   2008年10月   [査読有り]
In-plane optical anisotropy was calculated for InGaAs strained quantum wells (QWs) with finite barrier potential on high-index (Tex)-oriented GaAs substrates. The mixing effects of the spin orbit split-off (SO) band were included by using $6 ime...
Takahiro Kitada, Toshiyuki Kanbara, Ken Morita, Toshiro Isu
Applied Physics Express   Vol.1(No.9) 092302-092302   2008年9月   [査読有り]
An optical Kerr signal has been simulated for GaAs/AlAs multilayer cavity structures by using the self-consistent transfer matrix method. Enhancement of the Kerr signal intensity was clearly demonstrated for the cavity mode (Tex nm) owi...
Takahiro Kitada, S Kusunoki, M Kinouchi, Ken Morita, Toshiro Isu, S Shimomura
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics   Vol.5(No.9) 2753-2755   2008年5月   [査読有り]
Anisotropy of the interface roughness has been investigated for pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As modulation doped quantum wells (MDQWs) grown on (411)A and (100) InP substrates by molecular beam epitaxy. Significant difference of lowtem...
Nobuyoshi Niki, Ken Morita, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics   Vol.5(No.9) 2756-2759   2008年5月   [査読有り]
We investigate anisotropic properties of strained InGaAs quantum wells on the high index (11n)A (n = 3,4,5) GaAs substrates. The polarization dependence of photoluminescence of strained InGaAs quantum wells were measured, and optical anisotropy wa...
Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Satoshi Hiyamizu
Journal of Crystal Growth   Vol.301-302 172-176   2007年9月   [査読有り]
We have investigated substrate off-angle dependence of surface segregation of In atoms during molecular beam epitaxy (MBE) of pseudomorphic In0:08Ga0:92As/GaAs superlattices (SLs) on (n11)A-oriented GaAs substrates (n=3-5). Surface segregation len...
Issei Watanabe, Keisuke Shinohara, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Akira Endoh, Yoshimi Yamashita, Takashi Mimura, Satoshi Hiyamizu, Toshiaki Matsui
Journal of Crystal Growth   Vol.301-302 1025-1029   2007年9月   [査読有り]
We investigated the contact resistance of a non-alloyed Ti/Pt/Au ohmic electrode to obtain thermally stable sourcedrain resistance of cryogenically cooled In0:75Ga0:25As=In0:52Al0:48As high electron mobility transistors (HEMTs) fabricated on (4 1 ...
Issei Watanabe, Keisuke Shinohara, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Akira Endoh, Yoshimi Yamashita, Takashi Mimura, Satoshi Hiyamizu, Toshiaki Matsui
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.46(No.4B) 2325-2329   2007年4月   [査読有り]
We achieved a current gain cutoff frequency (Tex) of 310 GHz at a cryogenic temperature (16 K) in a 195-nm-long gate In0.75Ga0.25As/In0.52Al0.48As high-electron-mobility transistor (HEMT) fabricated on a (411)A-oriented InP substrate. Th...
Yu Higuchi, Shinji Osaki, Yoshifumi Sasahata, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Mutsuo Ogura, Satoshi Hiyamizu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.46(No.7) L138-L141   2007年2月   [査読有り]
We report the first demonstration of room temperature (RT) current injection lasing of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs), with self-organized InGaAs/(GaAs)6(AlAs)1 quantum wires (QWRs) in their active region, grown on (775)B-oriente...
I. Watanabe, K. Shinohara, Takahiro Kitada, S. Shimomura, Y. Yamashita, A. Endoh, T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Matsui
IEEE Transactions on Electron Devices   Vol.53(No.11) 2842-2846   2006年11月   [査読有り]
An extremely high maximum transconductance gmmax of 2.25 S/mm and a cutoff frequency fT of 310 GHz was achieved at a cryogenic temperature (16 K) in a 195-nm-gate In0.75Ga0.25As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistor (HEMT) fabricated on...
H. Sagisaka, Takahiro Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu, I. Watanabe, T. Matsui, T. Mimura
Journal of Vacuum Science & Technology B   Vol.24(No.6) 2668-2671   2006年11月   [査読有り]
The authors achieved considerable suppression of surface segregation of Si dopants in In0.75Ga0.25As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistor (HEMT) structures grown on (411)A InP substrates by molecular beam epitaxy (MBE). The (411)A HEMT...
Y. Higuchi, S. Osaki, Takahiro Kitada, S. Shimomura, Y. Takasuka, M. Ogura, S. Hiyamizu
Solid-State Electronics   Vol.50(No.6) 1137-1140   2006年6月   [査読有り]
Self-organized GaAs/(GaAs)4(AlAs)2 quantum wires (QWRs) grown on (7 7 5)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy have been applied to an active region of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs). The (7 7 5)B GaAs QWR-VCSEL wit...
S. Shimomura, T. Toritsuka, A. Uenishi, Takahiro Kitada, S. Hiyamizu
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures   Vol.32(No.1-2) 346-349   2006年5月   [査読有り]
Vertically coupled quantum wires (QWRs) have been made by alternately stacking nominally 3.6 nm thick In0.53Ga0.47As selforganized QWR layers and 1 nm thick In0.52Al0.48As barrier layers on (2 2 1)A-oriented InP substrates by molecular beam epitax...
H. Hino, A. Shigenobu, K. Ohmori, Takahiro Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu
Journal of Vacuum Science & Technology B   Vol.23(No.6) 2526-2529   2005年11月   [査読有り]
A self-organized In0.53Ga0.47As/(In0.53Ga0.47As)2(In0.52Al0.48As)2 quantum wire (QWR) laser was grown on a (775)B InP substrate by molecular beam epitaxy. Threefold 3.6-nm-thick In0.53Ga0.47As QWR layers were used as an active layer, where lateral...
I. Watanabe, K. Shinohara, Takahiro Kitada, S. Shimomura, Y. Yamashita, A. Endoh, T. Mimura, T. Matsui, S. Hiyamizu
IEEE Electron Device Letters   Vol.26(No.7) 425-428   2005年7月   [査読有り]
We achieved a maximum transconductance (g/sub m/) of 2.25 S/mm at 16 K for a 195-nm-gate In/sub 0.75/Ga/sub 0.25/As/In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As pseudomorphic high-electron mobility transistor (PHEMT) fabricated on a [411]A-oriented InP substrate, w...
M. Imura, H. Kurohara, Y. Masui, T. Asano, Takahiro Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu
Journal of Vacuum Science & Technology B   Vol.23(No.3) 1158-1161   2005年5月   [査読有り]
In0.53Ga0.47As/AlAs0.56Sb0.44 quantum well (QW) structures were grown on a (411)A(411)Aoriented InP substrate by molecular-beam epitaxy (MBE). Photoluminescence (PL) spectra at 12K indicated that interface flatness of a 2.4 nm thick In0.53Ga0.47As...
S. Katoh, H. Sagisaka, M. Yamamoto, I. Watanabe, Takahiro Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu
Journal of Vacuum Science & Technology B   Vol.23(No.3) 1154-1157   2005年5月   [査読有り]
Interface roughness of pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As modulation-doped quantum wells (MD-QWs) grown on the (411)A and (100) InP substrates by molecular beam epitaxy was characterized by sheet electron concentration (Ns) dependence of ...
Takahiro Kitada, T. Aoki, I. Watanabe, S. Shimomura, S. Hiyamizu
Applied Physics Letters   Vol.85(No.18) 4043-4045   2004年11月   [査読有り]
Much enhanced electron mobility of 105000cm2/Vs with a high sheet electron concentration (Ns) of 3.1×1012cm-12 was obtained at 77K in pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.46Al0.54}As modulation-doped quantum well (MD-QW) grown on a (411)A InP substrat...
Takahiro Kitada, D. Kawazoe, S. Shimomura, S. Hiyamizu
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures   Vol.21(No.2-4) 722-726   2004年1月   [査読有り]
GaAs/AlAs quantum wells (QWs) with effectively atomically at heterointerfaces over a large area ["(4 1 1)A super-atinterfaces"] grown on (4 1 1)A GaAs substrates by molecular beam epitaxy were characterized by room-temperature photoreectance(PR) m...
Issei Watanabe, Kenji Kanzaki, Takahiro Kitada, Masashi Yamamoto, Satoshi Shimomura, Satoshi Hiyamizu
Journal of Crystal Growth   Vol.251 90-95   2003年1月   [査読有り]
In order to characterize interface roughness scattering, two-dimensional electron gas (2DEG) mobility in (4 1 1)A and(1 0 0) selectively-doped In0:53Ga0:47As/In0:52Al0:48As quantum well (QW) HEMT structures, which were grown on InP substrates by m...
Yu Higuchi, Masaya Uemura, Yuji Masui, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Satoshi Hiyamizu
Journal of Crystal Growth   Vol.251(No.1-4) 80-84   2003年1月   [査読有り]
The surface migration length of As4 molecules on (4 1 1)A surfaces during molecular beam epitaxy has been determined from lateral profiles of As content (x) in GaAsxP1-x layers grown on (4 1 1)A GaAs substrates with a (1 0 0) side-slope using As4 ...
Y. Tatsuoka, M. Uemura, Takahiro Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu
Journal of Vacuum Science & Technology B   Vol.20(No.1) 282-285   2002年1月   [査読有り]
We investigated substrate orientation and As species dependence of GaAsxP1-xGaAsxP1xlayers grown on (100), (n11)A,and (n11) B GaAs substrates (n=3,4, and 5) by molecular beam epitaxy at a substrate temperature of 535°C. When GaAsP layers were grow...
Issei Watanabe, Takahiro Kitada, Kenji Kanzaki, Daisaku Kawaura, Masashi Yamamoto, Satoshi Shimomura, Satoshi Hiyamizu
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures   Vol.13(No.2-4) 1195-1199   2002年1月   [査読有り]
We investigated atness of growth-interrupted InAlAs and InGaAs surfaces using In0:53Ga0:47As/In0:52Al0:48As quantum wells (QWs) with well widths (Lw) of 0.6-12 nm grown on a (411)A-oriented InP substrate by molecular beam epitaxy. In the (411)A QW...
Takahiro Kitada, Toyohiro Aoki, Issei Watanabe, Kenji Kanzaki, Satoshi Shimomura, Satoshi Hiyamizu
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures   Vol.13(No.2-4) 657-662   2002年1月   [査読有り]
Single-particle relaxation times in In0:7Ga0:3As/In0:52Al0:48As quantum well high electron mobility transistor (QW-HEMT) structures for two subbands (i = 0 and 1) are studied by fast Fourier transform analysis of Shubnikoov-de Haas (SdH) oscillati...
Yasuhide Ohno, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Satoshi Hiyamizu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.40 1058-1060   2001年10月   [査読有り]
We have investigated the transport properties of electron gas in a GaAs/(GaAs)4(AlAs)2 quantum well with a regularly corrugated upper interface formed on (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE). The electron mobility perpen...
Takahiro Kitada, Keisuke Nii, Tetsuya Hiraoka, Satoshi Shimomura, Satoshi Hiyamizu
Journal of Vacuum Science & Technology B   Vol.19(No.4) 1546-1549   2001年7月   [査読有り]
Improved interface abruptness was achieved in pseudomorphic InxGa1-xAs/Al0.34Ga0.66As quantum wells (QWs) (x~0.2)with extremely flat interfaces over a wafer-size area [(411)A superflat interfaces] grown on (411)A GaAs substrates by decreasing the ...
I. Watanabe, K. Kanzaki, T. Aoki, Takahiro Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu
Journal of Vacuum Science & Technology B   Vol.19(No.4) 1515-1518   2001年7月   [査読有り]
We have carried out a Shubnikovde Haas (SdH) measurement at 4 K and investigated the electronic properties and scattering mechanisms in a pseudomorphic In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As As quantum well high electron mobility transistor (QW-HEMT) structu...
Yasuaki Tatsuoka, Masaya Uemura, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Satoshi Hiyamizu
Journal of Crystal Growth   Vol.227-228 266-270   2001年1月   [査読有り]
Surface migration lengths of As adatoms on (411)A GaAs surfaces during molecular beam epitaxy were determined for the rst time from lateral proles of the arsenic content (x) in the GaAsxP1-x layers grown on GaAs channeled substrates (CSs) using As...
Satoshi Shimomura, Yoshiaki Kitano, Hidehiko Kuge, Takahiro Kitada, Kazuo Nakajima, Satoshi Hiyamizu
Journal of Crystal Growth   Vol.227-228 72-76   2001年1月   [査読有り]
High-optical quality lattice-matched InxGa1-xAs/InxAl1-xAs quantum wells (QWs) with indium contents of x=0.18-0.19 have been successfully grown on (4 1 1)A- and (1 0 0)-oriented InGaAs ternary substrates by molecular beam epitaxy. Strong photolumi...
Takahiro Kitada, Toyohiro Aoki, Issei Watanabe, Satoshi Shimomura, Satoshi Hiyamizu
Journal of Crystal Growth   Vol.227-228 289-293   2001年1月   [査読有り]
We have investigated channel thickness (Lw) dependence of transport properties of two-dimensional-electron gas (2DEG) in pseudomorphic In0:74Ga0:26As/In0:52Al0:48As quantum well high electron mobility transistor (QW-HEMT) structures with extremely...
Masataka Higashiwaki, Takahiro Kitada, Toyohiro Aoki, Satoshi Shimomura, Yoshimi Yamashita, Akira Endoh, Kohki Hikosaka, Takashi Mimura, Toshiaki Matsui, Satoshi Hiyamizu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.39 720-722   2000年7月   [査読有り]
In this paper, we report on the material and device characteristics of pseudomorphic In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistors (HEMTs) grown on a (411)A-oriented InP substrate by molecular-beam epitaxy. The electron Hall mobil...
Toyohiro Aoki, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Satoshi Hiyamizu
Journal of Vacuum Science & Technology B   Vol.18(No.3) 1598-1600   2000年5月   [査読有り]
We investigated flatness of heterointerfaces in pseudomorphic In0.72Ga0.28As/In0.52Al0.48As quantum wells (QWs) with well widths Lw of 1.3, 1.7, and 3.4 nm grown on (411)A InP substrates by molecular beam epitaxy (MBE). Full width at half maximum ...
Takahiro Kitada, Yasuaki Tatsuoka, Satoshi Shimomura, Satoshi Hiyamizu
Journal of Vacuum Science & Technology B   Vol.18(No.3) 1579-1582   2000年5月   [査読有り]
As4 pressure dependence of surface segregation of In atoms during molecular beam epitaxy (MBE) growth of pseudomorphic In0.08Ga0.92As/GaAs(7.5 nm/11.2 nm) superlattices (SLs) on (411)A GaAs substrates was investigated by high resolution x-ray diff...
Y. Kitano, R. Kuriyama, Takahiro Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu, Y. Nishijima, H. Ishikawa
Journal of Vacuum Science & Technology B   Vol.18(No.3) 1576-1578   2000年5月   [査読有り]
We have investigated lateral uniformity of pseudomorphic In0.05Ga0.95As/Al0.3Ga0.7As quantum wells (QWs) with well widths Lw of 2.4 and 3.6 nm grown on a (411)A InxGa1-x As ternary substrate by molecular beam epitaxy. The lateral variation of In c...
H. Kamimoto, Y. Tatsuoka, Takahiro Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu
Journal of Vacuum Science & Technology B   Vol.18(No.3) 1572-1575   2000年5月   [査読有り]
We have investigated the influence of V(As4+P2)/III(Ga)V(As4+P2)/III(Ga)pressure ratio on interface flatness of In0.18Ga0.82As/GaAs1-yPy(2.9 nm/20 nm) single quantum wells (SQWs) (y=0.18-0.32)grown on (100)- and (n11)A-oriented GaAs substrates (n=...
Y. Tatsuoka, H. Kamimoto, Takahiro Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu
Journal of Vacuum Science & Technology B   Vol.18(No.3) 1549-1552   2000年5月   [査読有り]
Surface migration of group V atoms (As and P) during molecular beam epitaxy was investigated for the first time by measuring lateral profiles of phosphorus content in GaAsP layers grown on (100)GaAs channeled substrates (CSs) with 12-16 μm wide (n...
Takahiro Kitada, Keisuke Nii, Tetsuya Hiraoka, Satoshi Shimomura, Satoshi Hiyamizu
Journal of Vacuum Science & Technology B   Vol.17(No.4) 1482-1484   1999年7月   [査読有り]
High-quality InAlAs layers lattice matched to InP were successfully grown on (411)A-oriented InP substrates by molecular beam epitaxy (MBE). High-resolution x-ray diffraction and photoluminescence (PL) measurements of InAlAs layers grown on (411)A...
K. Nii, R. Kuriyama, T. Hiraoka, Takahiro Kitada, S. Shimomura, S. Hiyamizu
Journal of Vacuum Science & Technology B   Vol.17(No.3) 1167-1170   1999年5月   [査読有り]
Pseudomorphic In0.25Ga0.75As/Al0.32Ga0.68As quantum wells (QWs) with well widths (Lw)of 13, 15, 17, 19, 21, and 23 nm were grown simultaneously on the (411)A and (100) GaAs substrates at 480°C by molecular beam epitaxy. The critical thickness of a...
Yasuaki Tatsuoka, Hitoshi Kamimoto, Yoshiaki Kitano, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Satoshi Hiyamizu
Journal of Vacuum Science & Technology B   Vol.17(No.3) 1155-1157   1999年5月   [査読有り]
We investigated optical properties of GaAs/GaAs1-xPx(x~0.2)quantum wells (QWs) with each well width (Lw)of 2.7-10.0 nm grown on (100) and (n11)A GaAs substrates (n=3, 4, 5) by molecular beam epitaxy with the use of P2and As4 molecular beams genera...
Takahiro Kitada, Masanobu Ohashi, Satoshi Shimomura, Satoshi Hiyamizu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.38 1888-1891   1999年4月   [査読有り]
High-quality InxGa1-xAs layers (0.505 ≦ x ≦ 0.545) were grown on (411)A-oriented InP substrates by molecular beam epitaxy (MBE). High-resolution X-ray diffraction (HRXRD) measurements of the (411)A InxGa1-xAs layers showed no relaxation of lattice...
S. Hiyamizu, S. Shimomura, Takahiro Kitada
Microelectronics Journal   Vol.30 379-385   1999年1月   [査読有り]
Extremely flat interfaces, i.e. effectively atomically flat interfaces over a wafer-size area were realized in GaAs/AlGaAs quantum wells (QWs) grown on (411)A GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE). These flat interfaces are called as "(4...
Takahiro Kitada, Tatsuya Saeki, Masanobu Ohashi, Satoshi Shimomura, Akira Adachi, Yasunori Okamoto, Naokatsu Sano, Satoshi Hiyamizu
Journal of Electronic Materials   Vol.27(No.9) 1043-1046   1998年9月   [査読有り]
Effectively atomically flat interfaces over a macroscopic area ("(411)A super-flat interfaces") were successfully achieved in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum wells (QWs) grown on (411)A InP substrates by molecular beam epitaxy (MBE) at a sub...
Masanobu Ohashi, Tatsuya Saeki, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Yasunori Okamoto, Satoshi Hiyamizu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.37 4515-4517   1998年8月   [査読有り]
Pseudomorphic InxGa1-xAs/Al0.28Ga0.72As (x = 0.085-0.15) quantum wells (QWs) with well widths of 1.2, 2.4, 3.6, 4.8, 7.2 and 12 nm have been grown on (411)A and (100) GaAs substrates at a temperature (Ts) of 520°C by molecular beam epitaxy (MBE). ...
Takahiro Kitada, Tatsuya Saeki, Masanobu Ohashi, Satoshi Shimomura, Satoshi Hiyamizu
Solid-State Electronics   Vol.42 1575-1579   1998年7月   [査読有り]
An In0.08Ga0.92As/GaAs strained-layer superlattice (SLS) grown on a (411)A GaAs substrate by molecular beam epitaxy (MBE) was characterized by high resolution X-ray diffraction (HRXRD) and low-temperature photoluminescence (PL) measurements. The (...
Tatsuya Saeki, Takeharu Motokawa, Takahiro Kitada, Satoshi Shimomura, Akira Adachi, Yasunori Okamoto, Naokatsu Sano, Satoshi Hiyamizu
Japanese Journal of Applied Physics   Vol.36 1786-1788   1997年3月   [査読有り]
Effectively atomically flat interfaces over a macroscopic area (super-flat interfaces) have been achieved in pseudomorphic InxGa1-xAs/Al0.3Ga0.7As (x = 0.0, 0.04, 0.07) quantum wells (QWs) with well widths (Lw) of 1.2-11.8 nm grown on (411)A GaAs ...
S. Hiyamizu, T. Saeki, T. Motokawa, S. Shimomura, Takahiro Kitada, A. Adachi, Y. Okamoto, T. Kusunoki, K. Nakajima, N. Sano
Superlattices and Microstructures   Vol.21(No.1) 107-111   1997年1月   [査読有り]
Pseudomorphic In0.04Ga0.96As/Al0.3Ga0.7As quantum wells (QWs) with well widths of 1.2, 2.4, 3.6, 4.8, 7.2 and 12 nm have been grown on (411)A In0.04Ga0.96As ternary substrates by MBE at growth temperature of Ts= 520°C. The interface flatness of th...
S. Shimomura, K. Shinohara, Takahiro Kitada, S. Hiyamizu, Y. Tsuda, N. Sano, A. Adachi, Y. Okamoto
Journal of Vacuum Science & Technology B   Vol.13(No.2) 696-698   1995年3月   [査読有り]
Effectively atomically flat interfaces over a macroscopic area (200 μmo/) have been achieved in GaAs/AlAs quantum wells (QWs) with well widths of 4.8 to 12 nm grown on (411)A GaAs substrates by molecularbeam epitaxy (MBE). A single and very narrow...
Takahiro Kitada, A. Wakejima, N. Tomita, S. Shimomura, A. Adachi, N. Sano, S. Hiyamizu
Journal of Crystal Growth   Vol.150 487-491   1995年1月   [査読有り]
Lateral profiles of In content in a 1.5 μm thick InxGa1-xAs (x~0.2) layer grown on GaAs channeled substrates (CSs) with (411)A side-slopes by molecular beam epitaxy (MBE) have been investigated with the use of energy dispersive X-ray spectroscopy ...

Misc

 
冷水 佐壽, 下村 哲, 北田 貴弘
応用物理学会誌   Vol.72(No.3) 291-297   2003年3月

講演・口頭発表等

 
Time Resolved Measurement of Two-Color Laser Lights Emitted from a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity
Yasuo Minami, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Ken Morita, Takahiro Kitada
23rd Microoptics Conference (MOC 2018)   2018年10月14日   
InGaAs量子井戸中の拡散電子スピンに作用する内部有効磁場
川口 晃平, 深澤 俊樹, 志田 博貴, 齋藤 康人, 北田 貴弘, 石谷 善博, 森田 健
2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会   2018年9月21日   
GaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入による二波長発振の動的振る舞いの温度依存性
小楠 洸太朗, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘
2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会   2018年9月18日   
MBEによる(113)A GaAs基板上におけるAlAs/Ge/AlAsヘテロ構造の副格子交換
盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘
2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会   2018年9月18日   
半導体多層膜結合共振器による赤外二波長レーザー発振 [招待有り]
北田 貴弘, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健
2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会   2018年9月13日   
Sublattice Reversal in GaAs/Ge/GaAs and AlAs/Ge/AlAs Heterostructures Grown on (113)A and (113)B GaAs Substrates
Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Takahiro Kitada
20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(ICMBE 2018)   2018年9月6日   
GaAs/AlGaAs結合共振器による二波長面発光レーザの時間分解スペクトル測定
小楠 洸太朗, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘
2018年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会   2018年8月4日   
Temperature Tuning of Two-Color Lasing Using a Coupled GaAs/AlGaAs Multilayer Cavity by Current Injection
Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai, Ken Morita, Takahiro Kitada
The Compound Semiconductor Week 2018 (CSW2018),   2018年5月30日   
Simultaneous Oscillation of Two-Color Laser Lights from a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity
Yasuo Minami, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Ken Morita, Takahiro Kitada
The Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2018)   2018年5月15日   
InGaAs量子井戸をもつGaAs結合共振器からの電流注入による室温での2波長レーザーの時間特性
南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月20日   
波長切り出し系を利用した通信波長帯スピン時空間ダイナミクス計測
川口 晃平, 深澤 俊樹, 北田 貴弘, 石谷 善博, 森田 健
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月20日   
InGaAs量子井戸を活性層とする結合共振器への電流注入によるニ波長レーザの温度特性
盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月19日   
GaAs系の多層膜結合共振器を使ったテラヘルツLEDの研究開発
南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘
LED総合フォーラム2018 in 徳島   2018年2月12日   
LEDライフイノベーション総合プラットフォーム推進事業におけるテラヘルツLED応用基盤技術に関する取り組み
原口 雅宣, 北田 貴弘, 永瀬 雅夫, 安井 武史, 木内 陽介, 宮脇 克行, ?橋 章, 岡久 稔也
LED総合フォーラム2018in徳島   2018年2月12日   
ゲルマニウムを使った高指数面基板上ガリウムヒ素系薄膜の副格子交換エピタキシー成長
吉田 啓佑, 宮井 淳平, 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成29年度第1回講演会・見学会 (平成29年度徳島大学日亜寄附講座研究交流会)   2018年1月27日   
テラヘルツLEDを実現するガリウムヒ素系結合共振器の室温赤外二波長レーザ発振
小楠 洸太朗, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘
日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成29年度第1回講演会・見学会 (平成29年度徳島大学日亜寄附講座研究交流会)   2018年1月27日   
ウエハ接合で作製したGaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入による室温二波長レーザ発振
盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘
電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会   2018年1月25日   
Sublattice Reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures and its application to THz emitting devices based on a coupled multilayer cavity
Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)   2017年9月21日   
Room-Temperature Two-Color Lasing by Current Injection into a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity Fabricated by Wafer Bonding
Takahiro Kitada, Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai, Ken Morita
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)   2017年9月21日   
高指数面上の副格子交換エピタキシーと面発光テラヘルツ素子
北田 貴弘, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健
第78回応用物理学会秋季学術講演会   2017年9月8日   
Spin relaxation time anisotropy of in-plane magnetic fields in InGaAs/InAlAs multiple quantum wells
Ken Morita, Haruka Takaiwa, Kohei Kawaguchi, Takahiro Kitada, Yoshihiro Ishitani
第78回応用物理学会秋季学術講演会   2017年9月8日   
InGaAs量子井戸をもつGaAs結合共振器からの電流注入による2波長レーザー発振
南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘
第78回応用物理学会秋季学術講演会   2017年9月6日   
MBEによる(113)Bと(113)A GaAs基板上におけるGaAs/Ge/GaAsヘテロ構造の成長
盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 北田 貴弘
第78回応用物理学会秋季学術講演会   2017年9月5日   
Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs heterostructures
盧 翔孟, 熊谷 直人, 南 康夫, 北田 貴弘
The 12th National Conference on Molecular Beam Epitaxy   2017年8月17日   
InGaAs量子井戸を活性層とする結合共振器への電流注入による室温ニ波長レーザー発振
盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘
2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会   2017年7月29日   
InAs量子ドットをもつGaAs結合共振器からの電流注入によるレーザー発振
南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘
2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会   2017年7月29日   
Influence of the above-barrier illumination on spin relaxation time of InGaAs/InAlAs multiple quantum wells
Ken Morita, Haruka Takaiwa, Takahiro Kitada, Yoshihiro Ishitani
9th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology(SpinTECH )   2017年6月7日   
Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures grown by MBE
Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Takahiro Kitada
The 44rd International Symposium on Compound Semiconductor(ISCS2017)   2017年5月18日   
Study of MBE Growth on high-index GaAs substrate for THz devices [招待有り]
盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘
2017 Xiamen University Nanqiang Youth Scholar Forum   2017年4月10日   
(113)B GaAs基板上の副格子交換によるGaAs/AlAs多層膜結合共振器
盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘
2017年度 第64回応用物理学会春季学術講演会   2017年3月17日   応用物理学会
結合共振器による2波長面発光レーザーの偏光特性
南 康夫, 太田 寛人, 盧 翔孟, 北田 貴弘
2017年度 第64回応用物理学会春季学術講演会   2017年3月15日   応用物理学会
半導体多層薄膜を使った結合共振器構造による テラヘルツ発光素子 [招待有り]
北田 貴弘, 南 康夫, 盧 翔孟
発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会   2017年1月26日   電子情報通信学会
3つのブラッグ反射多層膜と2つの等価な共振器層で構成する化合物半導体多層膜結合共振器を使った新しいテラヘルツ発光素子を提案している.室温動作の面型素子で,近赤外で発光する量子構造を含む共振器層への電流注入により二波長レーザ発振を実現するとともに,同一薄膜構造内での二次非線形光学応答によってテラヘルツ帯の差周波を発生する.本報告では,ウエハ接合による分極制御がテラヘルツ波発生の高効率化に有効であることを示すとともに,テラヘルツ発光素子の基本となる電流注入での赤外二波長レーザ発振特性を紹介する.
テラヘルツLEDの研究開発の現状
南 康夫, 太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
LED総合フォーラム2016   2016年12月17日   
LEDライフイノベーション総合プラットフォーム推進事業におけるテラヘルツLED応用基盤技術に関する取り組み
原口 雅宣, 木内 陽介, 北田 貴弘, 永瀬 雅夫, 安井 武史, 宮脇 克行, ?橋 章, 岡久 稔也
LED総合フォーラム2016in徳島 論文集   2016年12月17日   LED総合フォーラム実行委員会
Current-Injection Two-Color Lasing in a Wafer-Bonded Coupled Multilayer Cavity with InGaAs Multiple Quantum Wells
Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
2016 Internatioal Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2016)   2016年9月29日   
GaAs/AlAs Triple-coupled Cavity with InAs Quantum dots for Ultrafast Wavelength Conversion Devices
Xiangmeng Lu, Hiroto Ota, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
2016 Internatioal Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2016)   2016年9月28日   
結合共振器による二波長面発光レーザの温度依存性
太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2016年度 第77回応用物理学会秋季学術講演会   2016年9月16日   応用物理学会
MBEによる GaAs/Ge/GaAs(113)Bヘテロ構造における副格子交換
盧 翔孟, 太田 寛人, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2016年度 第77回応用物理学会秋季学術講演会   2016年9月15日   応用物理学会
波長920 nm 近傍のゲート光で動作する光伝導アンテナ素子の作製
北田 貴弘, 太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎
2016年度 第77回応用物理学会秋季学術講演会   2016年9月14日   応用物理学会
InGaAs/InAlAs(001)多重量子井戸中の電子スピン緩和時間の外部光照射強度依存性
高岩 悠, 森田 健, 石谷 善博, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2016年度 第77回応用物理学会秋季学術講演会   2016年9月14日   応用物理学会
Two-Color Surface Emitting Lasers by a GaAs-Based Coupled Multilayer Cavity Structure for Novel Coherent Terahertz Light Sources
Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2016)   2016年9月6日   
Effects of Sb-soak on InAs Quantum Dots Grown on (001) and (113)B GaAs Substrates
Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2016)   2016年9月5日   
GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for ultrafast wavelength conversion devices
盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
第35回電子材料シンポジウム(EMS-35)   2016年7月7日   日本物理学会
Two-Color Laser Based on a Wafer-Bonded Coupled Multilayer Cavity for Novel Terahertz LED
Hiroto Ota, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
第35回電子材料シンポジウム(EMS-35)   2016年7月6日   日本物理学会
GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for ultrafast wavelength conversion devices
Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor(ISCS2016)   2016年6月27日   
Two-Color Lasing from a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity by Current Injection
Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor(ISCS2016)   2016年6月27日   
テラヘルツ帯差周波発生に適した結合共振器による二波長面発光レーザの作製
太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
電子情報通信学会研究会(レーザ・量子エレクトロニクス研究会LQE)   2016年5月20日   電子情報通信学会
超高速波長変換素子に向けたInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜三結合共振器
盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会   2016年3月21日   応用物理学会
結合共振器から生じる二波長レーザー光の時間的コヒーレンスの評価
北田 貴弘, 太田 寛人, 原山 千穂, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会   2016年3月21日   応用物理学会
Er ドープInAs 量子ドット層のキャリア緩和時間から評価した光電流周波数特性
熊谷 直人, 村雲 圭佑, 盧 翔孟, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会   2016年3月20日   応用物理学会
ウエハ接合により形成した結合共振器による二波長面発光レーザの特性
太田 寛人, 西村 信耶, 渡邊 健吉, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会   2016年3月20日   応用物理学会
時間分解ファラデー回転法によるInGaAs/InAlAs多重量子井戸における電子g因子測定
森田 健, 奥村 朗人, 石谷 善博, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会   2016年3月19日   応用物理学会
半導体多層膜結合共振器を用いた二波長面発光レーザー
太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
レーザー学会学術講演会第36回年次大会   2016年1月11日   社団法人 レーザー学会
テラヘルツLED
北田 貴弘, 太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎
LED総合フォーラム2015   2015年12月19日   
半導体ナノ構造による新規光デバイスの創製
井須 俊郎, 北田 貴弘, 熊谷 直人, 盧 翔孟
徳島大学&宇都宮大学光学連携講演会2015   2015年10月9日   
半導体多層膜結合共振器を用いた面型発光素子「テラヘルツLED」の開発
北田 貴弘, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎
応用物理学会・テラヘルツ電磁技術研究会 第1回研究討論会/テラヘルツテクノロジーフォーラム 第1回テラテク技術セミナー   2015年10月6日   応用物理学会
Fabrication of Two-Color Surface Emitting Device of a Coupled Cavity Structure with InAs QDs Formed by Wafer-Bonding
Hiroto Ota, Chiho Harayama, Tomohisa Maekawa, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)   2015年9月30日   
Photoconductivity with 1.55 m excitation of InAs QDs embedded in InGaAs barriers on GaAs substrate
Keisuke Murakumo, Yuya Yamaoka, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)   2015年9月29日   
InGaAs/GaAs 多重量子井戸構造を導入した結合共振器による二波長面発光レーザの発振特性
太田 寛人, 前川 知久, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2015年度 第76回応用物理学会秋季学術講演会   2015年9月16日   応用物理学会
1.5・m パルス励起によるInAs 量子ドット光伝導アンテナ構造の光電流
村雲 圭佑, 熊谷 直人, 盧 翔孟, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2015年度 第76回応用物理学会秋季学術講演会   2015年9月16日   応用物理学会
結合共振器を用いた二波長面発光レーザの発振スペクトル注入電流依存性
熊谷 直人, 太田 寛人, 前川 知久, 盧 翔孟, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2015年度 第76回応用物理学会秋季学術講演会   2015年9月15日   応用物理学会
(001)と(113)B GaAs 基板上に成長したInAs 量子ドットに対するSb 照射の効果
盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2015年度 第76回応用物理学会秋季学術講演会   2015年9月14日   応用物理学会
半導体多層薄膜結合共振器構造によるテラヘルツ発光素子
井須 俊郎, 太田 寛人, 原山 千穂, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘
2015年電子情報通信学会ソサイエティ大会   2015年9月8日   電子情報通信学会
Enhancement of Terahertz Emission from GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavities by InAs Quantum Dots on (113)B-Oriented Substrates
Takahiro Kitada, Masanori Ogarane, Toshiaki Takamoto, Naoto Kumagai, Xiangmeng Lu, Ken Morita, Toshiro Isu
The Second International Symposium on Frontiers in THz Technology (FTT2015)   2015年8月31日   
テラヘルツLEDのための二波長面発光レーザの作製
太田 寛人, 盧 翔孟, 北田 貴弘, 井須 俊郎
第3回 光・ナノテクノロジー研究会 和歌山大・徳島大合同   2015年8月8日   
テラヘルツ波検出に向けた量子ドット層の面内光伝導特性評価
熊谷 直人, 村雲 圭佑, 盧 翔孟, 北田 貴弘, 井須 俊郎
第3回 光・ナノテクノロジー研究会 和歌山大・徳島大合同   2015年8月7日   
ウエハ接合で形成した量子ドット結合共振器による二波長面発光素子の発光特性
太田 寛人, 原山 千穂, 前川 知久, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2015年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部合同学術講演会   2015年8月1日   応用物理学会
Investigation of Carriers Thermal Transfer in Self-asssembled Quantum Dots Grown on (311)B GaAs by Temperature Dependence Photoluminescence
Xiangmeng Lu, Akihiro Kawaguchi, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
17th International Conference on lated Semiconductor Structures(MSS17)   2015年7月30日   
Mobility of in-plane photocurrent of stacked InAs QDs layers in strain-relaxed InGaAs matrix
Naoto Kumagai, Keisuke Murakumo, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
17th International Conference on lated Semiconductor Structures(MSS17)   2015年7月27日   
Temperature dependence photoluminescence of quantum dots grown on (311)B GaAs by molecular beam epitaxy
盧 翔孟, Akihiro Kawaguchi, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
第34回電子材料シンポジウム(EMS-34)   2015年7月16日   日本物理学会
In-plane photoconductivity of InAs QDs layers embedded in strain-relaxed InGaAs barriers
Keisuke Murakumo, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
第34回電子材料シンポジウム(EMS-34)   2015年7月16日   日本物理学会
Fabrication of Two-Color Surface Emitting Laser of a Coupled Cavity Structure Formed by Wafer-Bonding
Hiroto Ota, Chiho Harayama, Tomohisa Maekawa, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
第34回電子材料シンポジウム(EMS-34)   2015年7月16日   日本物理学会
Two-color emission from coupled cavity structure including InAs QDs formed by wafer bonding
Tomohisa Maekawa, Chiho Harayama, Hiroto Ota, 北田 貴弘, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎
第34回電子材料シンポジウム(EMS-34)   2015年7月16日   日本物理学会
Temperature Dependence Photoluminescence From InAs Quantum Dots With AlAs Cap Grown on (311)B and (100) GaAs Substrate
Xiangmeng Lu, Akihiro Kawaguchi, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
The 42th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2015)   2015年6月29日   
In-plane photoconductivity of InAs QDs embedded in strain-relaxed InGaAs layer
Keisuke Murakumo, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
The 42th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2015)   2015年6月29日   
ウエハ接合界面での光損失を低減した量子ドット結合共振器の作製
北田 貴弘, 原山 千穂, 太田 寛人, 前川 知久, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎
2015年第62回応用物理学春季学術講演会   2015年3月12日   応用物理学会
(113)B基板上のInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs結合共振器へのフェムト秒パルス照射によるテラヘルツ帯差周波発生 (II)
大柄根 斉宣, 高本 俊昭, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2015年第62回応用物理学春季学術講演会   2015年3月12日   応用物理学会
量子ドット光伝導スイッチのメサ加工による暗電流の抑制
村雲 圭佑, 山岡 裕也, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2015年第62回応用物理学春季学術講演会   2015年3月12日   応用物理学会
ウエハ接合で形成した量子ドット結合共振器による二波長面発光レーザ構造の作製
原山 千穂, 太田 寛人, 前川 知久, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2015年第62回応用物理学春季学術講演会   2015年3月12日   応用物理学会
(113)B GaAs基板上に成長した量子ドットのPLの温度依存性
盧 翔孟, 川口 晃弘, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2015年第62回応用物理学春季学術講演会   2015年3月11日   応用物理学会
InAs量子ドット積層構造の面内光伝導キャリアの移動度
熊谷 直人, 村雲 圭佑, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2015年第62回応用物理学春季学術講演会   2015年3月11日   応用物理学会
結合共振器構造による二波長面発光とテラヘルツ波発光素子
原山 千穂, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
電子情報通信学会研究会(レーザ・量子エレクトロニクス研究会LQE)   2015年1月30日   電子情報通信学会
テラヘルツLED
北田 貴弘, 原山 千穂, 森田 健, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎
LED総合フォーラム2014-2015   2015年1月10日   
二波長面発光レーザーによるテラヘルツ波発生
北田 貴弘, 原山 千穂, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎
レーザー学会第472回研究会   2014年12月17日   社団法人 レーザー学会
ウエハ接合による結合共振器の作製とテラヘルツ波発生素子への応用 [招待有り]
北田 貴弘, 井須 俊郎, 森田 健
第5回集積光デバイス技術研究会(IPDA)   2014年12月5日   電子情報通信学会
Room temperature spin relaxation in InGaAs quantum wells
森田 健, Ryota Kurosawa, Tatsuya Oda, Yoshihiro Ishitani, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会   2014年9月19日   応用物理学会
超高速キャリア緩和InAs 量子ドット積層構造の面内光伝導
熊谷 直人, 村雲 圭佑, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会   2014年9月18日   応用物理学会
InAs/InGaAs量子ドット積層構造の面内光伝導特性の異方性
村雲 圭佑, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会   2014年9月18日   応用物理学会
AlAsキャップ付InAs量子ドットのフォトルミネツセンスに対するInGaAs層の影響
盧 翔孟, 川口 晃弘, 中河 義典, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会   2014年9月18日   応用物理学会
MBE成長とウエハ接合により作製したpn接合を含む量子ドット結合共振器
北田 貴弘, 原山 千穂, 太田 寛人, 前川 知久, 高田 博文, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会   2014年9月18日   応用物理学会
InAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の四光波混合信号測定
大柄根 斉宣, 安長 千徳, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会   2014年9月18日   応用物理学会
InAs量子ドットを含むGaAs/AlGaAs結合共振器の電流注入による二波長発光
原山 千穂, 上原 敏弘, 中河 義典, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会   2014年9月18日   応用物理学会
Effect of Cavity-Layer Thicknesses on Two-Color Lasing in a Coupled Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots
Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014)   2014年9月10日   
GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for an ultrafast wavelength conversion device via the four-wave-mixing
Masanori Ogarane, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014)   2014年9月10日   
Suppression of photoluminescence from wetting layer of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs with AlAs cap
Xiangmeng Lu, Shuzo Matsubara, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
The 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2014)   2014年9月9日   
Terahertz Emission from a Coupled Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots
Masanori Ogarane, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada, Toshiro Isu
The 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2014)   2014年9月9日   
Effects of AlAs cap and InGaAs Layer on optical property of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs by molecular beam epitaxy
盧 翔孟, 川口 晃弘, 中河 義典, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2014年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部合同学術講演会   2014年7月26日   応用物理学会
量子ドット結合共振器による二波長面発光レーザ構造の作製
原山 千穂, 上原 敏弘, 中河 義典, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2014年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部合同学術講演会   2014年7月26日   応用物理学会
歪柔和InGaAs層に埋め込んだErドープInAsQDsの内面光伝導特性
村雲 圭佑, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎
2014年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部合同学術講演会   2014年7月26日   応用物理学会
Effect of thickness difference between two cavity layers on two-color lasing in a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with InAs quantum dots
Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, 北田 貴弘, 井須 俊郎
第33回電子材料シンポジウム(EMS-33)   2014年7月11日   日本物理学会

競争的資金等の研究課題

 
科学研究費助成事業
研究期間: 2016年4月 - 2019年3月    代表者: 北田 貴弘
科学研究費助成事業
研究期間: 2016年4月 - 2019年3月    代表者: 熊谷 直人
科学研究費助成事業
研究期間: 2015年4月 - 2017年3月    代表者: 北田 貴弘
科学研究費助成事業
研究期間: 2014年4月 - 2017年3月    代表者: 森田 健
科学研究費助成事業
研究期間: 2014年8月 - 2016年3月    代表者: 熊谷 直人
科学研究費助成事業
研究期間: 2012年4月 - 2016年3月    代表者: 井須 俊郎
総務省: 戦略的情報通信研究開発推進事業(SCOPE)ICTイノベーション創出型研究開発(フェーズI)
研究期間: 2014年7月 - 2015年3月    代表者: 北田 貴弘
科学研究費助成事業
研究期間: 2012年4月 - 2014年3月    代表者: 井須 俊郎
科学研究費助成事業
研究期間: 2010年4月 - 2014年3月    代表者: 北田 貴弘
科学研究費助成事業
研究期間: 2010年4月 - 2012年3月    代表者: 井須 俊郎
科学研究費助成事業
研究期間: 2009年4月 - 2012年3月    代表者: 井須 俊郎
科学研究費助成事業
研究期間: 2009年4月 - 2011年3月    代表者: 北田 貴弘
科学研究費助成事業
研究期間: 2005年4月 - 2008年3月    代表者: 下村 哲
科学研究費助成事業
研究期間: 2005年4月 - 2007年3月    代表者: 北田 貴弘
科学研究費助成事業
研究期間: 2003年4月 - 2007年3月    代表者: 清水 克哉
科学研究費助成事業
研究期間: 2003年4月 - 2006年3月    代表者: 冷水 佐壽
科学研究費助成事業
研究期間: 2000年4月 - 2003年3月    代表者: 冷水 佐壽
科学研究費助成事業
研究期間: 1997年4月 - 1999年3月    代表者: 冷水 佐壽