半導体量子ドットのカスケード遷移を用いて、もつれた光子対を発生することができる.提案は10年以上前に遡るが、量子ドットに内在する、わずかな形状異方性のために、実現は困難だった.これまで様々の超絶技巧で光学等方性を回復し、もつれあい光子対を検証する実験はあったが、いずれも拡張性に乏しい.我々は、液滴エピタキシー成長法を用いて、対称性の高いGaAs/AlGaAs量子ドットの自己形成に成功した.鍵は、成長基板面としてGaAs(111)A面を用いたことである.その結果、高いもつれあい度の光子対発生を観測できたので報告する.