李 徳新

室温磁気蓄冷材料La-Fe-Si合金に対して圧力下で磁気熱量効果の測定と解析

フラストレーション効果を強く示す4f電子系金属間化合物におけるスピングラス現象に注目する。特に、AlB2型六方晶構造を持ちNon-Magnetic Atom Disorder (NMAD)化合物R2TSi3（R=稀土類金属, T=遷移金属）に対して、細かく基礎物性の測定と解析を行う

近年、ｆ電子系化合物において新しい超伝導体の発見が相次いでいる。稀土類”115”系化合物CeTIn5 (T=Co, Ir, Rh)とアクチナイト化合物UGe2, URhGe, PuCoGa5はその典型的な例である。なかでは、CeCoIn5はいままで発見された最高超伝導転移温度値（TC=2.3 K）を持ち重い電子系超伝導体であり、PuCoGa5は転移温度TC=18.5 Kの驚くべき高温の超伝体である。最近、我々は稀土類”322”系化合物La3T2Ge2(T=Ir, Rh, Pt)において、常圧下で超伝導転移が観測された。そのなか、La3Ir2Ge2はTC=4.7 Kで、かなり高い転移温度を持ち超伝導体である。さらに、”131”系化合物CePt3SiはTC=0.75 Kの新規超伝導体であると報告され、我々の実験からも確認された。稀土類及びアクチナイト化合物超伝導体として、その異常な高い転移温度TCの起源、新規超伝導材料の創製とその応用に興味が集まっている。 この事情を背景に、我々は”322”系と”131”系典型化合物をスタート物質に選び、本研究を計画し、次のテーマに絞った研究を行う：(1)元素置換による基底状態の制御。 (2)外部圧力による基底状態の制御。各試料について、ac、dc磁化率、電気抵抗、比熱など基礎物性を明らかにした上で、”322”系と”131”系典型化合物を始めとする三元系稀土類化合物新規常圧超伝導体及び圧力誘起超伝導体の発見及びその生成機構の解明を目指している。

三元系稀土類化合物新規超伝導体の探索と生成機構の解明