藤岡洋 (Hiroshi Fujioka) - マイポータル

基本情報

学位: その他
その他

J-GLOBAL ID: 200901074776566405
researchmap会員ID: 1000229325

外部リンク: https://www.iis.u-tokyo.ac.jp/~hfujioka/

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

学歴

- 1995年

米国カリフォルニア州立大学大学院, 工学研究科, 材料科学
- 1995年

University of California at Berkeley, Engineering, Materials Science
- 1984年

東京大学, 工学部, 工業化学
- 1984年

東京大学

論文

Ultralow contact resistance of 0.058 Ω mm achieved by pulsed sputtering deposition of regrown degenerately doped GaN contacts for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

Kohei Ueno, Kaito Fujisawa, Hiroshi Fujioka

Applied Physics Letters 2026年2月9日
Structural and ferroelectric properties of sputter-epitaxial ScAlN on GaN grown at various temperatures

Sawaki Sato, Yusuke Wakamoto, Takuya Maeda, Hiroshi Funakubo, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka, Kazuhisa Ikeda, Atsushi Kobayashi

Applied Physics Letters 2026年2月9日
Fundamental Properties of Heavily Ge‐Doped AlGaN Prepared via Pulsed Sputtering

Aiko Naito, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka

physica status solidi (b) 2025年12月
Degenerate GaN source–drain AlN/AlxGa1−xN/AlN high electron mobility transistors with a high breakdown electric field reaching 6.0 MV/cm

Kohei Ueno, Ryota Maeda, Takao Kozaka, Hiroshi Fujioka

APL Materials 2025年4月1日
Preparation of GaN and AlGaN by pulsed sputtering

Hiroshi Fujioka, Kohei Ueno

Gallium Nitride Materials and Devices XX 20-20 2025年3月19日
Pulsed Sputtering Epitaxy of Coherent AlN/Al0.5Ga0.5N/AlN Multichannel Structures

Takao Kozaka, Ryota Maeda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka

physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 2024年11月
Heavy Ge Doping in GaN via Pulsed Sputtering to Tailor the Optical Bandgap Energy

Aiko Naito, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka

physica status solidi (a) 2024年11月
Temperature‐Dependent Characteristics of AlN/Al0.5Ga0.5N High Electron Mobility Transistors with Highly Degenerate n‐Type GaN Regrown Ohmic Contacts

Ryota Maeda, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka

physica status solidi (a) 2024年11月
Hole Conduction Mechanism in In–Mg‐Codoped GaN Prepared via Pulsed Sputtering Deposition

Aiko Naito, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka

physica status solidi (a) 2024年5月
Mid-infrared thermal radiation resonating with longitudinal-optical like phonon from n++-doped GaN–semi-insulating GaN grating structure

Bojin Lin, Hnin Lai Lai Aye, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka, Hideto Miyake, Yoshihiro Ishitani

Journal of Physics D: Applied Physics 2024年1月19日
Structural characterization of epitaxial ScAlN films grown on GaN by low-temperature sputtering

Atsushi Kobayashi, Yoshio Honda, Takuya Maeda, Tomoya Okuda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka

Applied Physics Express 17(1) 011002-011002 2023年12月29日
Preparation of degenerate n-type AlxGa1−xN (0 < x ≤ 0.81) with record low resistivity by pulsed sputtering deposition

Yuto Nishikawa, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka

Applied Physics Letters 2023年6月5日
Positive impurity size effect in degenerate Sn-doped GaN prepared by pulsed sputtering

Yuto Nishikawa, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka

Applied Physics Letters 2023年2月20日
Epitaxial Junction of Inversion Symmetry Breaking AlN and Centrosymmetric NbN: A Polarity Control of Wide-Bandgap AlN

Atsushi Kobayashi, Shunya Kihira, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura, Takuya Maeda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka

ACS Applied Electronic Materials 2023年1月9日
Electrical properties of N-polar Si-doped GaN prepared by pulsed sputtering

Kohei Ueno, Yusuke Masuda, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka

Applied Physics Express 16(1) 011002-011002 2023年1月1日
Schottky barrier height engineering in vertical p-type GaN Schottky barrier diodes for high-temperature operation up to 800 K

Kohei Aoyama, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka

Applied Physics Letters 2022年12月5日
Crystal‐Phase Controlled Epitaxial Growth of NbN _x Superconductors on Wide‐Bandgap AlN Semiconductors

Atsushi Kobayashi, Shunya Kihira, Takahito Takeda, Masaki Kobayashi, Takayuki Harada, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka

Advanced Materials Interfaces 2201244-2201244 2022年9月21日
Pulsed Sputtering Preparation of InGaN Multi-Color Cascaded LED Stacks for Large-Area Monolithic Integration of RGB LED Pixels

Soichiro Morikawa, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka

Crystals 12(4) 499-499 2022年4月4日
AlN/Al0.5Ga0.5N HEMTs with heavily Si-doped degenerate GaN contacts prepared via pulsed sputtering

Ryota Maeda, Kohei Ueno, Atsushi Kobayashi, Hiroshi Fujioka

Applied Physics Express 2022年1月28日
Reduction of Twin Boundary in NbN Films Grown on Annealed AlN

Shunya Kihira, Atsushi Kobayashi, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka

Crystal Growth & Design 2022年1月11日

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MISC

AlNに格子整合する六方晶Nb₂N超伝導体のエピタキシャル成長

小林篤, 紀平俊矢, 武田崇仁, 小林正起, 秋山亨, 河村貴宏, 原田尚之, 上野耕平, 藤岡洋

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年
(共著)

所属学協会

応用物理

共同研究・競争的資金等の研究課題

縮退窒化物のMB効果を用いたAlGaN二次元電子ガスへのコンタクトとHEMT応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2024年4月 - 2027年3月

藤岡洋
国際活動支援班

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2023年3月

藤岡洋, 上山智, 三宅秀人
高臨場感VR/ARディスプレイのための高輝度フルカラーモノリシックLEDの開発

科学技術振興機構産学が連携した研究開発成果の展開/研究成果展開事業/研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)/産学共同(本格型) 2020年 - 2023年

藤岡洋
非平衡状態の時間ドメイン制御による特異構造の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

藤岡洋, 徳本有紀
総括班

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

藤岡洋, 酒井朗, 川上養一, 小出康夫, 三宅秀人, 橋詰保
特異構造の結晶科学：完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

藤岡洋
超高精細マイクロLEDディスプレイに適したInGaNモノリシックRGB-LED構造の開発

科学技術振興機構産学が連携した研究開発成果の展開/研究成果展開事業/研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)/機能検証フェーズ/実証研究タイプ 2019年 - 2020年

藤岡洋
PSD法によるフレキシブル窒化物半導体デバイスの開発

科学技術振興機構戦略的な研究開発の推進/戦略的創造研究推進事業/ACCEL 2014年 - 2019年

藤岡洋
雲母を基板とするフレキシブルエレクトロニクスの創成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2012年5月 - 2015年3月

藤岡洋
自己組織化グラファイトシート上エレクトロニクスの開発

科学技術振興機構戦略的な研究開発の推進/戦略的創造研究推進事業/CREST 2008年 - 2014年

藤岡洋
パルス励起堆積法による窒化インジウム系半導体の低温成長

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2006年 - 2010年

藤岡洋, 太田実雄, 太田実雄
レーザーMBEによる高輝度窒化ガリウム素子の開発

科学技術振興機構産学が連携した研究開発成果の展開/研究成果展開事業/平成20年度までに募集を終了した事業/独創的シーズ展開事業/権利化試験 2005年 - 2006年

藤岡洋
PLD法による高品質InGaN及びInAINの低温エピタキシャル成長

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費 2005年 - 2006年

藤岡洋, LI G., 李国強
電磁鋼板上の単結晶シリコン電子デバイスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2004年 - 2006年

藤岡洋
擬似単結晶金属基板を用いたGaN発光素子に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2002年 - 2003年

藤岡洋
半導体/磁性複合量子ナノ構造を用いた光・スピン制御素子

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2000年 - 2002年

尾嶋正治, 小野寛太, 藤岡洋, 大渕博宣
次世代超高密度デバイス用極薄絶縁膜の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1998年 - 2000年

尾嶋正治, 小野寛太, 藤岡洋
MBE法による新半導体材料の研究
半導体太陽電池の効率化に関する研究
半導体表面・界面における化学反応に関する研究

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