渡辺仁三 (Jinzo Watanabe) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 旧所属徳島文理大学工学部情報システム工学科教授

学位: 博士(工学)(東北大学)

J-GLOBAL ID: 200901079489891607
researchmap会員ID: 1000229861

研究キーワード

4

研究分野

2

経歴

4

1993年 - 1994年

極薄シリコン酸化膜の低温形成に関する研究
1993年 - 1994年

Ultra-low-temperature growth of gate oxide films
1991年 - 1993年

半導体製造装置の研究
1991年 - 1993年

Study on the manufacturing equipment for ULSI

学歴

4

MISC

4

低エネルギイオン照射を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成に関する研究

株式会社リアライズ社電子出版"Dr's Archives" RDR000031((WebSite)) 1999年
Ultra Low-Temperature growth of high-integrity thin gate oxide films by low-energy ion-assisted oxidation

RDR000031((WebSite)) 1999年
Ultra Low-Temperature Growth of High-Integrity Thin Gate Oxide Films by Low-Energy Ion-Assisted Oxidation

Japanese Journal of Applied Physics 34(Part1) No.2B,900 1995年
Ultra-low-temperature growth of high-integrity gate oxide films by low-energy ion-assisted oxidation

IEICE Technical Report, SDM94-76-82 94(194) 45 1994年

書籍等出版物

10

低エネルギ・イオンアシスト酸化による超低温ゲート酸化膜形成(共著)

電子情報通信学会技術研究報告[シリコン材料・デバイス] 1994年
Application of Dual-Frequency-Excitation Plasma Processing Equipment to High-Integrity ULSI Fabrication

Proceedings of the International Comference on Advanced Microelectronic Devices and Processing 1994年
BPSG膜リフローの酸化量依存性(共著)

第51回応用物理学会学術講演会予稿集 1990年
SiO₂マスクのチャージアップによるエッチング形状への影響(共著)

第51回応用物理学会学術講演会予稿集 1990年
WSi₂/poly-Siエッチングの側壁保護膜による形状制御(共著)

第51回応用物理学会学術講演会予稿集 1990年
NF₃アフターグロープラズマ及び光照射によるシリコン表面処理(2)(共著)

第51回応用物理学会学術講演会予稿集 1990年
Relation of BPSG reflow characteristics and amount of oxidation

1990年
Study on Incident Angle of Ion Bended by Charge-up of SiO₂ Mask.

1990年
Profile Control in WSi₂/poly-Si Etching Using Bromine Contained Gas.

1990年
Silicon Surface Cleaning Using NF₃ After-Glow Plasma and DUV Irradiation(2)

1990年

所属学協会

2

共同研究・競争的資金等の研究課題

2