竹内淳 (Atsushi Tackeuchi) - マイポータル

基本情報

所属: 早稲田大学理工学術院先進理工学部教授 (研究院長)

学位: 博士(理学)(大阪大学)
(BLANK)

研究者番号: 80298140
J-GLOBAL ID: 200901097876963533
researchmap会員ID: 1000231537

外部リンク: http://www.f.waseda.jp/atacke/

研究キーワード

半導体、電子デバイス・機器工学、半導体物性、半導体デバイス、スピントロニクス、量子ドット

研究分野

ナノテク・材料 / 応用物性 /

経歴

2020年9月 - 現在

早稲田大学研究院長
2016年9月 - 2020年9月

早稲田大学理工学術院長
2014年9月 - 2016年9月

早稲田大学先進理工学部長兼研究科長
2007年

北海道大学非常勤講師
2001年12月 - 2005年3月

科学技術振興事業団さきがけ研究員
2004年

北海道大学大学院工学研究科非常勤講師
2002年4月

早稲田大学理工学部教授
1997年4月 - 2002年3月

早稲田大学理工学部助教授
2002年

静岡大学工学部非常勤講師
1998年

東北大学電気通信研究所非常勤講師
1996年4月 - 1997年3月

フェムト秒テクノロジー研究機構研究員（つくば, 出向）
1997年3月

富士通研究所退職
1997年

東北大学電気通信研究所非常勤講師
1997年

大阪大学基礎工学部非常勤講師
1992年9月 - 1993年9月

マックスプランク固体研究所 (独, stuttgart) 客員研究員
1985年12月 - 1986年11月

電子技術総合研究所に滞在
1985年4月

富士通研究所入社. 主に、冷水佐壽室長（後：阪大教授・基礎工学研究科長）−武藤俊一主任研（現：北大名誉教授）グループで半導体量子構造の超高速現象の評価に従事

学歴

- 1992年

大阪大学, 博士（理学）
1983年4月 - 1985年3月

大阪大学, 基礎工学研究科博士前期課程, 物理系専攻物性学分野
1979年4月 - 1983年3月

大阪大学, 基礎工学部, 物性物理工学科

受賞

論文

116

Prolonged spin relaxation time in Zn-doped GaAs/GaAsP strain-compensated superlattice

Shunsuke Ohki, Xiuguang Jin, Tomoki Ishikawa, Takuya Kamezaki, Kizuku Yamada, Shunichi Muto, Atsushi Tackeuchi

APPLIED PHYSICS LETTERS 111(2) 022405 2017年7月査読有り
The striking influence of rapid thermal annealing on InGaAsP grown by MBE: material and photovoltaic device

Lian Ji, Ming Tan, Chao Ding, Kazuki Honda, Ryo Harasawa, Yuya Yasue, Yuanyuan Wu, Pan Dai, Atsushi Tackeuchi, Lifeng Bian …

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 458 110-114 2017年1月査読有り
Analysis of quantum efficiency improvement in spin-polarized photocathode

Xiuguang Jin, Shunsuke Ohki, Tomoki Ishikawa, Atsushi Tackeuchi, Yosuke Honda

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 120(16) 164501 2016年10月査読有り
Effect of thermal annealing on electron spin relaxation of beryllium-doped In0.8Ga0.2As0.45P0.55 bulk

Hao Wu, Lian Ji, Ryo Harasawa, Yuya Yasue, Takanori Aritake, Canyu Jiang, Shulong Lu, Atsushi Tackeuchi

AIP ADVANCES 6(8) 085119 2016年8月査読有り
Picoseconds carrier spin relaxation in In0.8Ga0.2As/Al0.5Ga0.5As/AlAs0.56Sb0.44 coupled double quantum wells

Tomoki Ishikawa, Shin-ichiro Gozu, Teruo Mozume, Masaki Asakawa, Shunsuke Ohki, Atsushi Tackeuchi

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) 52 04CM05 2016年査読有り
Study of single crystal CuInSe2 thin films and CuGaSe2/CuInSe2 single quantum well grown by molecular beam epitaxy

Sathiabama Thiru, Masaki Asakawa, Kazuki Honda, Atsushi Kawaharazuka, Atsushi Tackeuchi, Toshiki Makimoto, Yoshiji Horikoshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 425 203-206 2015年9月査読有り
Observation of picosecond electron spin relaxation in InGaAsP by time-resolved spin-dependent pump and probe reflection measurement

Ryo Harasawa, Naoki Yamamoto, Hao Wu, Takanori Aritake, Shulong Lu, Lian Ji, Atsushi Tackeuchi

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 252(6) 1244-1247 2015年6月査読有り
Investigation of InGaAsP solar cells grown by solid-state molecular beam epitaxy

Lian Ji, Ming Tan, Kazuki Honda, Ryo Harasawa, Yuya Yasue, Yuanyuan Wu, Pan Dai, Atsushi Tackeuchi, Lifeng Bian, Shulong Lu …

SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS 137 68-72 2015年6月査読有り
Investigation of CuGaSe2/CuInSe2 double heterojunction interfaces grown by molecular beam epitaxy

Sathiabama Thiru, Masaki Asakawa, Kazuki Honda, Atsushi Kawaharazuka, Atsushi Tackeuchi, Toshiki Makimoto, Yoshiji Horikoshi

AIP ADVANCES 5(2) 027120 2015年2月査読有り
Carrier recombination dynamics of MBE grown InGaAsP layers with 1 eV bandgap for quadruple-junction solar cells

Lian Ji, Shulong Lu, Yuanyuan Wu, Pai Dai, Lifeng Bian, Masayuki Arimochi, Tomomasa Watanabe, Naohiro Asaka, Mitsunori Uemura, Atsushi Tackeuchi …

SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS 127 1-5 2014年8月査読有り
Observations of exciton and carrier spin relaxation in Be doped p-type GaAs

Naohiro Asaka, Ryo Harasawa, Shulong Lu, Pan Dai, Atsushi Tackeuchi

APPLIED PHYSICS LETTERS 104(11) 112404 2014年3月査読有り
Picosecond spin relaxation in low-temperature-grown GaAs

M. Uemura, K. Honda, Y. Yasue, S. L. Lu, P. Dai, A. Tackeuchi

APPLIED PHYSICS LETTERS 104(12) 122403 2014年3月査読有り
Time-resolved ultraviolet photoluminescence of ZnO/ZnGa2O4 composite layer

Qing Yang, Xiaohong Zhou, Takao Nukui, Yu Saeki, Sotaro Izumi, Atsushi Tackeuchi, Hirokazu Tatsuoka, Shuhua Liang

AIP ADVANCES 4(2) 4864750 2014年2月査読有り
Observation of optical anisotropy of highly uniform InAs quantum dots

M. Uemura, J. Ohta, R. Yamaguchi, K. Yamaguchi, A. Tackeuchi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 378 463-465 2013年9月査読有り
Photoluminescence and Raman studies on Ge-based complexes in Si-doped GaInP epilayers grown on Germanium

W. He, S. L. Lu, D. S. Jiang, J. R. Dong, A. Tackeuchi, H. Yang

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 112(2) 023509 2012年7月査読有り
Exciton and carrier spin relaxations in InGaAs lattice-matched to off-cut Ge substrates

Takenori Ushimi, Hiromi Nakata, Toshihiro Ishizuka, Kazutoshi Sasayama, Shulong Lu, Jianrong Dong, Atsushi Tackeuchi

APPLIED PHYSICS LETTERS 100(25) 252414 2012年6月査読有り
Temperature Dependence of Spin Relaxation Time in InAs Columnar Quantum Dots at 10 to 150K

Sota Nakanishi, Kazutoshi Sasayama, Yoshitsugu Oyanagi, Ryo Yamaguchi, Shulong Lu, Lianhe Li, Andrea Fiore, Atsushi Tackeuchi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51(4) 04DM05 2012年4月査読有り
Exciton spin relaxation in In0.53Ga0.47As/AlAs0.56Sb0.44 quantum wells

K. Sasayama, S. Nakanishi, R. Yamaguchi, Y. Oyanagi, T. Ushimi, S. Gozu, T. Mozume, A. Tackeuchi

APPLIED PHYSICS LETTERS 100(9) 092401 2012年2月査読有り
Carrier spin relaxation in InGaAs/AlAsSb quantum wells

T. Nukui, S. Gozu, T. Mozume, S. Izumi, Y. Saeki, A. Tackeuchi

PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS 1399 659-660 2011年査読有り
Carrier spin relaxation in GaInNAsSb/GaNAsSb/GaAs quantum well

T. Asami, H. Nosho, L. H. Li, J. C. Harmand, S. L. Lu, A. Tackeuchi

PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: 30TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS 1399 665-666 2011年査読有り

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MISC

InAs/GaAs Multi-Coupled Quantum Dots Structure Enabling High-Intensity, Near-1.3-μm Emission due to Cascade Carrier Tunneling

TACKEUCHI Atsushi, NAKATA Yoshiaki, MUTO Shunichi, INATA Tsuguo, USUKI Tatsuya, SUGIYAMA Yoshihiro, YOKOYAMA Naoki, WADA Osamu

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 1995 719-721 1995年8月21日
28p-ZH-2 GaAs/AlGaAs量子井戸中のピコ秒励起子スピン緩和

足立智, 俵山正二郎, 高木芳弘, 竹内淳, 武藤俊一

秋の分科会講演予稿集 1992(2) 200-200 1992年9月14日

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

半導体量子構造による円偏光の高偏極長スピン寿命電子への変換

2019年4月 - 2022年3月
円偏光光源のための高偏極長寿命スピン緩和量子ドット

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2010年4月 - 2013年3月

竹内淳
新機能性物質における自己組織化ナノ領域の計測と制御

文部科学省学術フロンティア推進事業 2005年 - 2009年
光による結合量子ドットのスピン操作

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2006年 - 2008年

竹内淳
スピン生成と緩和の光制御と応用

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2002年 - 2005年

竹内淳, 黒田剛正
高機能性新半導体デバイス開発

文部科学省ハイテク・リサーチ・センター整備事業 1998年 - 2002年
過渡的磁性半導体の機能の研究
過渡的磁性半導体の機能の研究
量子ドットにおける電子スピンのコヒーレント制御の研究
光スピントロニクスデバイス研究調整班
超高速スピン応答光デバイス

竹内淳

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