エラストマに埋め込んだマイクロカンチレバーを用いた圧電型触覚センサを提案し、これまでのピエゾ抵抗を用いた触覚センサに対して消費電力の低減を目指した。基板温度520℃、ガス圧力0.6 Paで高周波スパッタリングにより作製したBiFeO3薄膜(膜厚: 400 nm)は良好な圧電性を持ち、振動により300 mVの出力電圧を得ることができた。これにより、BiFeO3薄膜を用いて触覚センサへの外力印加によるマイクロカンチレバーの変位を検知できることを示した。