2011年9月20日
ピコ秒パルスファイバーレーザによるサファイアの内部改質法
2011年度精密工学会秋季大会学術講演会
- 開催年月日
- 2011年9月20日 - 2011年9月22日
- 記述言語
- 日本語
- 会議種別
- 口頭発表(一般)
- 主催者
- 公益社団法人 精密工学会
- 開催地
- 金沢大学
ピコ秒パルスファイバーレーザをサファイア基板内部にエピタキシャル層側より照射することによって,梨地面から基板内部にかけて幅5μm,長さ150μm程度と高アスペクト比の改質層を形成できた.この改質層を起点としてサファイア基板を分割でき,エピタキシャル層の損傷もほとんど確認されなかった.
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