本研究では、一般的なバルクSiウエハを利用したSiフォトニクスの実現を目的として研究を行った。実現の鍵は相反する2つの特性、 (1)表面の光導波路からSiウエハへの光放射の防止、(2)表面の光導波路からSiウエハ直上のGe受光器への効率的な光結合、を両立する点にある。計算機シミュレーションの結果、波長1.31ミクロン帯においてSiNxチャネル光導波路が利用できることを明らかにした。有効性の実証に向けデバイスの試作を行った。光透過測定を進めている。