前澤 宏一

Effect of flux ratio on GaSb films grown at a low temperature on Si(111) 

2019 Joint 8th International Conference on Informatics, Electronics and Vision, ICIEV 2019 and 3rd International Conference on Imaging, Vision and Pattern Recognition, icIVPR 2019 with International Conference on Activity and Behavior Computing, ABC 2019 312-317 2019年5月  

磁界結合共鳴方式電力伝送系のSパラメータと最大伝送効率 

電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM) 2019 2019年  

THz帯域を目指した新構造可変位相シフタ 

電子情報通信学会技術研究報告 117(172(ED2017 27-35)) 25‐28 2017年8月2日  

GaSb/Si(111)-√{3}×√{3}-Ga表面相上へのInGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 (電子部品・材料) 

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(59) 45-49 2017年5月25日  

FMΔΣ変調方式を用いた新原理の変位/振動センサ 

電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM) 2017 2017年  

周波数ΔΣ変調器のデジタル出力センサへの応用 (電子デバイス) 

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(181) 65-70 2016年8月9日  

Si(111)-√{3}×√{3}-Ga表面相上へのGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長 (シリコン材料・デバイス) 

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(50) 51-54 2016年5月19日  

HEMTと空洞共振器を用いたΔΣ型マイクロフォンセンサ (電子デバイス) 

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(469) 45-48 2016年3月3日  

招待講演 Ga溶融バンプを用いたFluidic Self Assemblyによる異種材料集積化技術 (電子部品・材料) 

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(196) 27-32 2015年8月27日  

C-10-5 ΔΣ型歪センサのためのRTD装荷カンチレバーの検討(C-10.電子デバイス/シリコン材料・デバイス,一般セッション) 

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2015(2) 38-38 2015年8月25日  

共鳴トンネル素子を用いたΔΣ型歪みセンサ (電子デバイス) 

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(156) 51-55 2015年7月24日  

THz帯域を目指した新構造可変位相シフタの提案 

電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM) 2015 2015年  

C-10-10 RTD装荷微小カンチレバーを用いたΔΣ型歪みセンサーのための発振回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション) 

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2014(2) 51-51 2014年9月9日  

C-10-9 共鳴トンネルダイオードを用いたサンプリング回路の作製と評価(C-10.電子デバイス,一般セッション) 

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2014(2) 50-50 2014年9月9日  

C-10-8 HEMTと空洞共振器を用いたデジタルマイクロフォンセンサ(C-10.電子デバイス,一般セッション) 

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2014(2) 49-49 2014年9月9日  

共鳴トンネル発振器のセンサー応用 (電子デバイス) 

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(449) 61-66 2014年2月27日  

周波数ΔΣ変調方式を用いたデジタルマイクロフォンのノイズシェーピング実証 

電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス 96(12) 554-555 2013年12月1日  

Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長 (電子デバイス) 

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(176) 61-65 2013年8月8日