土屋 敏章

J-GLOBALへ         更新日: 18/11/10 11:56
 
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研究者氏名
土屋 敏章
 
ツチヤ トシアキ
所属
静岡大学
部署
電子工学研究所
職名
特任教授
学位
工学博士(早稲田大学)
その他の所属
島根大学

研究キーワード

 
 

研究分野

 
 

経歴

 
2017年4月
 - 
現在
静岡大学 電子工学研究所 特任教授
 
1998年4月
 - 
2017年3月
島根大学 総合理工学研究科 教授
 
1976年4月
 - 
1998年3月
NTT電気通信研究所
 
1983年11月
 - 
1984年10月
コーネル大学 客員研究員
 

委員歴

 
2008年4月
 - 
2010年3月
島根大学  教育研究評議会評議員
 
2016年
 - 
2016年
応用物理学会中国四国支部  貢献賞選考委員会
 
2005年
 - 
2006年
IEEE  広島支部 支部長
 
2003年
 - 
2004年
応用物理学会  中国四国支部 支部長
 
2011年
 - 
2014年
応用物理学会  諮問委員(旧評議員)
 
2010年
 - 
2011年
応用物理学会  理事
 
2001年
 - 
2016年
応用物理学会中国四国支部  支部役員
 
1999年
 - 
2002年
Symp. on VLSI Tech.  プログラム委員
 
1997年
 - 
2001年
SSDM  プログラム委員
 
1996年
 - 
1999年
応用物理学会  JJAP編集委員
 
1991年
 - 
1995年
IEEE IRPS  プログラム委員
 
1993年
 - 
1994年
IEEE IEDM  プログラム委員
 

受賞

 
2016年9月
応用物理学会 応用物理学会優秀論文賞
 
2014年1月
STARC STARC共同研究賞
 
2012年9月
応用物理学会 応用物理学会フェロー
 
2002年1月
IEEE IEEEフェロー
 

論文

 
Distribution of the energy levels of individual interface traps and a fundamental refinement in charge pumping theory
T. Tsuchiya and P. M. Lenahan
JJAP   56(3) 031301_1-031301_6   2017年3月   [査読有り]
Single Defect Characterization at Si/SiO2 Interface
TSUCHIYA Toshiaki
ECS Transactions   79(1) 79-89   2017年   [査読有り]
T. Tsuchiya, N. Tamura, A. Sakakidani, K. Sonoda, M. Kamei, S. Yamakawa, and S. Kuwabara
ECS Transactions   58(9) 265-279   2013年
T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, J. Murota
Jpn. J. Appl. Phys   46(8A) 5015-5020   2007年

Misc

 
T. Watanabe, M. Hori, T. Saruwatari, T. Tsuchiya, Y. Ono
IEICE Trans. Electron.   E98-C(5) 390-394   2015年
Masahiro Hori, Tokinobu Watanabe, Toshiaki Tsuchiya and Yukinori Ono
Appl. Phys. Lett.   106(4) 041603_1-4   2015年
Masahiro Hori, Tokinobu Watanabe, Toshiaki Tsuchiya and Yukinori Ono
Appl. Phys. Lett.   105(26) 261602_1-4   2014年

書籍等出版物

 
Fully-Depleted SOI CMOS Circuits and Technology for Ultralow-Power Applications
Springer   2006年   ISBN:0387292179
SOI CMOSデバイスの基礎と応用
土屋 敏章
(株)リアライズ社   1999年10月   

講演・口頭発表等

 
界面トラップ数の真の値とばらつき,および従来のチャージポンピング理論による値との比較
第63回応用物理学会春季学術講演会   2016年   
ホットキャリアストレス誘起のRTNと発生した酸化膜トラップの評価
第63回応用物理学会春季学術講演会   2016年   
電子捕獲放出過程における界面トラップ間の相互作用
第63回応用物理学会春季学術講演会   2016年   
微細MOSデバイスとの対話を通じた過去と将来
IEEE広島支部功績賞特別講演会   2016年   
Detection and Characterization of Single MOS Interface Traps
IEEE EDS DL-Workshop –Carrier Trapping Origin of Device Degradation-   2015年   

競争的資金等の研究課題

 
単一トラップの分離検出・電子物性評価技術の開発とトラップ物理の新展開
科学研究費補助金
研究期間: 2014年 - 2016年
電子デバイスのナノスケール化・原子スケール化に伴いデバイス内には多様な界面が接近し,界面物性のデバイス特性への影響(擾乱)は急激に増大すると考えられる.しかし,ナノ構造界面のミクロな電子物性は未知の部分が多い.存在する界面トラップのカウンティング技術すら確立されていないのが現状である.本研究の目的は,これまでのようにトラップを“密度”で表すマクロ的な扱いから脱却し,ナノ構造界面におけるトラップ1個1個の分離検出技術,および,1個1個のトラップ物性評価技術を確立し,従来のマクロ的見地を基盤と...
ナノCMOSデバイスの界面物性揺らぎ評価技術の開発とRTNの機構解明に関する研究
共同研究
研究期間: 2010年 - 2012年
ナノMOSデバイスにおける界面物性(界面トラップや絶縁膜トラップの電気的性質)の揺らぎ評価技術を開発し,さらに,Random Telegraph Noise (RTN)の発生機構を明らかにする.
ナノスケールデバイスにおける界面物性揺らぎと雑音に関する研究
科学研究費補助金
研究期間: 2006年 - 2009年
ナノスケールMOSデバイスにおける界面物性揺らぎ(界面準位の数とエネルギー準位の揺らぎ),および,ドレイン電流雑音に関する研究.