電子デバイスのナノスケール化･原子スケール化に伴いデバイス内には多様な界面が接近し，界面物性のデバイス特性への影響（擾乱）は急激に増大すると考えられる．しかし，ナノ構造界面のミクロな電子物性は未知の部分が多い．存在する界面トラップのカウンティング技術すら確立されていないのが現状である．本研究の目的は，これまでのようにトラップを“密度”で表すマクロ的な扱いから脱却し，ナノ構造界面におけるトラップ1個1個の分離検出技術，および，1個1個のトラップ物性評価技術を確立し，従来のマクロ的見地を基盤としたトラップ物理に新たな視点を加え新展開を計ることである．この目的達成のため，トラップとしてはMOS界面トラップ，評価技術としては，我々の他に追随を許さない経験と実績を有するチャージポンピング（CP）法を用いる．