原田 曠嗣

陽極化成法によるシリコン表面への3次元構造の形成 

信学論(C) J83-C(6) 574 2000年  

Double-Gated Field-Emitter Arrays for CRT Applications 

Proceedings of the Seventh International Display Workshops 525 2000年  

Formation of 3-Dimentional Structure on Silicon Surface by Anodic Oxidation 

J83-C(6) 574 2000年  

2層ゲート構造の高電流電界放出アレー 

17(2) 575-579 1999年  

Percolation in carrier transport in FET with dye doped conducting polymers(jointly worked) 

Synthetic Materials 102 981 1999年  

シリコンテクノロジーの新しい可能性 

島根大学総合理工学部紀要(シリーズA) 32 97-110 1998年  

多孔質シリコンの電子デバイスへの応用 

電気材料技術雑誌 7(1) 35-40 1998年  

ピラミッド構造多孔質シリコンの自己整合形成 

35-36 1998年  

New Prospects of the Silicon Technology 

32 97-110 1998年  

Application of Porous Silicon to Electron Devices 

7(1) 35-40 1998年  

Formation of Self-controlled Pyramidal Structure Porous Silicon 

Proceedings of the First International Conference on Electrical and Electronic Material Engineering(ICEME'98) 35-36 1998年  

ドープしたPAT6を用いた電界効果トランジスタの特性 

36(6A) L718-L720 1997年  

多孔質シリコン/導電性高分子のヘテロ接合を用いた発光ダイオード. 

36(4A) L418-420 1997年  

多孔質シリコン/導電性高分子のヘテロ接合を用いた発光ダイオード 

36(4A) L418-420 1997年  

Field-Effect Mobility of Molecularly Doped Poly(3-hexylthiophene) 

Jpn. J. Appl. Phys. 36(6A) L718-L720 1997年  

Light Emitting Diode with Porous Silicon/Conducting Polymer Heterojunction 

Jpn. J. Appl. Phys. 36(4A) L418-L420 1997年  

Light Emitting Diode with Porous Silicon/Conducting Polymer Heterojunction 

Jpn. J. Appl. Phys. 36(4A) L418-L420 1997年  

タングステンで被覆した陽極化成Siを用いた大電流・安定動作の電界放出アレー. 

2 531-532 1996年  

過剰電圧の印可によるSiのFEAにおけるエミッション電流の減少. 

194-195 1996年