畑山智亮 (Tomoaki Hatayama) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科物質創成科学専攻物質創成科学研究科助手,助教

学位: 博士(工学)

J-GLOBAL ID: 200901083505080875
researchmap会員ID: 1000253346

研究キーワード

2

研究分野

4

学歴

2

- 1997年

京都大学, 工学研究科, 電気工学第二
- 1997年

京都大学

MISC

9

Nondestructive analysis of crystal defects in 4H-SiC epilayer by devised electron-beam-induced current method

S Nitani, T Hatayama, K Yamaguchi, H Yano, Y Uraoka, T Fuyuki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 44(37-41) L1271-L1274 2005年
Electrical Properties and Thermal Stability of Cu/6H-SiC Junctions

Takashi Suezaki, Kazuaki Kawahito, Tomoaki Hatayama, Yukiharu Uraoka, Takashi Fuyuki

Japanese Journal of Applied Physics 40(1A/B) L43-L45 2001年
SiGeC界面緩衝層を用いた3C-Sic/Siヘテロエピタキシー

冬木隆, 畑山智亮

表面科学 21(6) 30-354 2000年
Vanadium Ion Implanted Guard Rings for High-Voltage 4H-SiC Schottky Rectifiers

Tomoaki Hatayama, Tomoaki Yoneda, Toshitake Nakata, Masanori Watanabe, Tsunenobu Kimoto, Hiroyuki Matsunami

Japanese Journal of Applied Physics 39(12A) L1216-L1218 2000年
Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using SiGeC Buffer Layer

Surface Science 21(6) 30 2000年
High-Temperature Surface Structure Transitions and Growth of α-SiC(0001) in Ultrahigh Vacuum

Materials Science & Engineering B61-62 135 1999年
Initial Stage for Heteroepitaxy of 3C-Sic on Si(001)Surface in Dimethylgermane Source Molecular Beam Epitaxy

Appl. Phys. Lett. , 70(11) 1411-1413 1997年
Low-Temperature Interface Modification by Hydrocarbon Radicals in Heteroepitaxy of 3C-Sic on Si Clean Surface

J. Electron. Mater. 26(3) 160-164 1997年
Time-Resolved Reflection High-Energy Electron Diffraction Analysis in Initial Stage of 3C-Sic Growth on Si(001)by Gas Source Molecular Beam Epitaxy

Jpn. J. Appl. Phys. 35(10) 5255-5260 1996年

所属学協会

1

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

2