矢野裕司 (Hiroshi Yano) - 論文

Demonstration of Superior Electrical Characteristics for 1.2 kV SiC Schottky Barrier Diode-Wall Integrated Trench MOSFET with Higher Schottky Barrier Height Metal

饗場塁士, 松井ケビン, 馬場正和, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

IEEE Electron Device Letters 41(4112) 1810 - 1813 2020年12月査読有り

Experimental Demonstration of Superior Vf -Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length

金森大河, 饗場塁士, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

Proceedings of PCIM Asia, 2020 25 - 29 2020年11月査読有り

Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method

Zhang, Xufang, Matsumoto, Tsubasa, Sakurai, Ukyo, Makino, Toshiharu, Ogura, Masahiko, Yamasaki, Satoshi, Sometani, Mitsuru, Okamoto, Dai, Yano, Hiroshi, Iwamuro, Noriyuki, Inokuma, Takao, Tokuda, Norio

CARBON 168 659 - 664 2020年10月査読有り

Investigations of SiC MOSFET Short-Circuit Failure Mechanisms Using Electrical, Thermal, and Mechanical Stress Analyses

Yao, Kairun, 矢野裕司, 只野博, Iwamuro, Noriyuki

IEEE Transactions on Electron Devices 67(10) 4328 - 4334 2020年10月査読有り

Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress

大川雅貴, 金森大河, 饗場塁士, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs, 2020 74 - 77 2020年9月査読有り

Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt

饗場塁士, 松井ケビン, 大川雅貴, 金森大河, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs,2020 174 - 177 2020年9月査読有り

Dominant scattering mechanism in SiC MOSFET: comparative study of the universal mobility and the theoretically calculated channel mobility

Ohashi, Teruyuki, Iijima, Ryosuke, Yano, Hiroshi

Jpn. J. Appl. Phys. 59(3) 034003-1 - 034003-10 2020年3月査読有り

Carbon dangling-bond center (carbon Pb center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface

Umeda, T, Kobayashi, T, Sometani, M, Yano, Hiroshi, Matsushita, Y, Harada, S

Appl. Phys. Lett. 116(7) 071604-1 - 071604-5 2020年2月査読有り

SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析

岡本大, 周星炎, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野, 裕司

電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－第25回研究会予稿集 97 - 100 2020年1月

The Role of Oxygen Ambient Anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC Interface

寺尾豊, 辻英徳, 細井卓治, 張旭芳, 矢野, 裕司, 志村考功, 渡部平司

電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－第25回研究会予稿集 137 - 139 2020年1月

The role of oxygen ambient anneal for Ba-incorporated SiO2/SiC interface

Terao, Y, Tsuji, H, Hosoi, T, Zhang, X, Yano, Hiroshi, Shimura, T, Watanabe, H

Abstracts of 50th IEEE Semiconductor interface Specialist Conference (SISC2019) 6.18 2019年12月

高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価

坂田, 大輝, 岡本大, 染谷満, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫, 根本宏樹, 張旭芳, 岩室憲幸, 矢野, 裕司

先進パワー半導体分科会第6回講演会予稿集 143 - 144 2019年12月

ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明

周星炎, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野, 裕司

先進パワー半導体分科会第6回講演会予稿集 89 - 90 2019年12月

界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析

松谷優汰, 張旭芳, 岡本大, 岩室憲幸, 矢野, 裕司

先進パワー半導体分科会第6回講演会予稿集 85 - 86 2019年12月

4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価

比嘉栄斗, 染谷満, 原田信介, 梅田享英, 矢野, 裕司

先進パワー半導体分科会第6回講演会 67 - 68 2019年12月

pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析

根本宏樹, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野, 裕司

先進パワー半導体分科会第6回講演会予稿集 87 - 88 2019年12月

SiC MOS Interface; What limits the channel mobility

Yano, Hiroshi

Extended Abstracts of 2019 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices - Science and Technology - (2019 IWDTF) 112 - 113 2019年11月

Influence of the Annealing Temperature on ALD-Al2O3/NAOS/Si MOS Interface Properties

Fu, Wei, Zhang, Xufang, Umishio, Hiroshi, Traore, Aboulaye, Yano, Hiroshi, Sakurai, Takeaki

Technical Digest of The 29th International Confrence on Photovoltaic Sciene and Enginnering (PVSEC-29) 1708 - 1710 2019年11月

Ideal phonon-scattering-limited mobility in inversion channel of 4H-SiC(0001) MOSFETs with ultralow net doping concentrations

染谷満, 細井卓治, Hirai, H, Hatakeyama, T, Harada, S, Yano, Hiroshi, 志村考功, 渡部平司, Yonezawa, Y, Okumura, H

Appl. Phys. Lett. 115(13) 132102-1 - 132102-5 2019年9月査読有り

The effect of biaxial stress on the carrier-transport properties at SiO2/4H-SiC interfaces

Fu, W, Ueda, A, Yano, Hiroshi, Harada, S, Sakurai, T

Extended Abstracts of 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019) 735 - 736 2019年9月