今井茂 (Shigeru Imai) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 立命館大学理工学部電気電子工学科教授
: (兼任)総合科学技術研究機構先端マイクロ・ナノシステム技術研究センター
: (兼任)理工学研究科

学位: 工学博士(東北大学)

J-GLOBAL ID: 200901097769987250
researchmap会員ID: 1000275064

研究キーワード

1

電子デバイス工学

研究分野

1

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

学歴

2

- 1990年

東北大学大学院, 工学研究科, 電子工学
- 1985年

東北大学, 工学部, 電子工学科

論文

33

Single-electron pumping in single-common-gate quadruple-dot devices with asymmetric gate capacitances

Shigeru Imai, Yuma Ito

Japanese Journal of Applied Physics 58(03) 034001 2019年2月
Anomalous single-electron transfer in common-gate quadruple-dot single-electron devices with asymmetric junction capacitances

Shigeru Imai, Masato Ito

Japanese Journal of Applied Physics 57(6) 064001 2018年6月1日
Single-electron pumping in single-common-gate triple-dot devices with asymmetric gate capacitances

Shigeru Imai, Atsushi Nakajima, Teppei Kobata

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(10) 2015年10月査読有り
Single-electron pumping in single-common-gate triple-dot devices with asymmetric gate capacitances

Shigeru Imai, Atsushi Nakajima, Teppei Kobata

Japanese Journal of Applied Physics 54(10) 104001 2015年10月1日
Stability diagrams and turnstile operations of single-common-gate triple-dot single-electron devices with outer junction capacitances different from inner ones

Shigeru Imai, Noriyuki Iwasa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(6) 2015年6月査読有り
Stability diagrams and turnstile operations of single-common-gate triple-dot single-electron devices with outer junction capacitances different from inner ones

Shigeru Imai, Noriyuki Iwasa

Japanese Journal of Applied Physics 54(6) 064001 2015年6月1日
Single-common-gate triple-dot single-electron devices with side gate capacitances larger than the central one

Shigeru Imai, Shin-ichi Moriguchi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(9) 094002 2014年9月
Stability Diagrams of Single-Common-Gate Double-Dot Single-Electron Transistors with Arbitrary Junction and Gate Capacitances

Shigeru Imai, Hiroki Kato, Yasuhiro Hiraoka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51(12) 124301 2012年12月
Stability Diagrams of Triple-Dot Single-Electron Device with Single Common Gate

Shigeru Imai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50(3) 034302 2011年3月
Analytical Study on a Single-Electron Device with Three Islands Connected to One Gate Electrode

Shigeru Imai, Daichi Kawamura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 48(12) 124502 2009年12月
Analytical Study on a Single Electron Device with Two Islands Connected to One Gate Electrode

Shigeru Imai, Daichi Kawamura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47(12) 9003-9009 2008年12月
XAFS Study of Silicon Oxide Films Fabricated by Atomic-Layer CVD

S. Imai, H. iwasaki, H. miki, A. Nakamura, A Itoh

Memoirs of The SR Center Ritsumeikan University (6) 79-86 2004年4月
Deposition of Polyethylene Thin Films Using Synchrotron Radiation Ablation

H.Miki, S.Lin, M.Sasaki, T.Katoh, S.Imai, Y.Nakayama

Diamond and Related Materials 10 937-941 2001年
放射光アブレーションによるポリパラフェニレン薄膜の作製

鈴木裕之, 中西秀和, 加藤隆典, 今井茂, 河口昭義, 中山康之, 三木秀二郎

高分子論文集 57(2) 86-94 2000年
Low-resistivity highly transparent indium-tin-oxide thin films prepared at room temperature by synchrotron radiation ablation

Y Akagi, K Hanamoto, H Suzuki, T Katoh, M Sasaki, S Imai, M Tsudagawa, Y Nakayama, H Miki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 38(12A) 6846-6850 1999年12月
Deposition of polyethylene thin films using synchrotron radiation ablation

K Nakanishi, H Suzuki, T Katoh, S Imai, Y Nakayama, H Miki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 38(2A) 863-867 1999年2月
Atomic-layer chemical-vapor-deposition of silicon dioxide films with an extremely low hydrogen content

K Yamaguchi, S Imai, N Ishitobi, M Takemoto, H Miki, M Matsumura

APPLIED SURFACE SCIENCE 130 202-207 1998年6月
Atomic Layer Etching of Germanium

Keiji Ikeda, Shigeru Imai, Masakiyo Matsumura

Applied Surface Science 112 87-91 1997年3月
Atomic layer etching of germanium

Keiji Ikeda, Shigeru Imai, Masakiyo Matsumura

Applied Surface Science 112 87-91 1997年査読有り
Modeling of silicon atomic-layer-epitaxy

S Sugahara, E Hasunuma, S Imai, M Matsumura

APPLIED SURFACE SCIENCE 107 161-171 1996年11月

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講演・口頭発表等

47

非対称性が大きい共通ゲート三重ドット単電子デバイスがポンプ動作する条件の周期性

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月12日
共通ゲート型と非共通ゲート型の単電子ターンスタイルの消費エネルギーの比較

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月11日
ゲート容量が不均一な共通ゲート三重ドット単電子デバイスの安定領域の解析

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月11日
単電子ターンスタイルの消費エネルギー

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月20日
ゲート容量が不均一な共通ゲート二重ドット単電子デバイスの安定領域の解析

第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月18日
共通ゲート三重ドット単電子デバイスにおけるポンプ動作の解明

第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月7日
ゲート容量が異なる並列ダブルドット単電子デバイスにおける電子転送シーケンス

第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月7日
共通ゲート三重ドット単電子デバイスのポンプ動作の解明

第77回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月13日
ゲート容量が非対称な共通ゲート四重ドット単電子ポンプの動作解析

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年3月20日
接合容量が非対称な共通ゲート四重ドット単電子ターンスタイルの動作解析

平成27年電気関係学会関西連合大会 2015年11月14日
接合容量が非対称な共通ゲート三重ドット単電子デバイスの動作解析

平成26年電気関係学会関西連合大会 2014年11月24日
非対称なゲート容量を持つ共通ゲート三重ドット単電子デバイスのポンプ動作解析

平成26年電気関係学会関西連合大会 2014年11月24日
ゲート容量の異なる共通ゲート４重ドット単電子ターンスタイルの動作解析

平成25年電気関係学会関西連合大会 2013年11月17日
ゲート容量が非対称な共通ゲート三重ドット単電子ターンスタイルの動作解析

第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年9月19日
ダブルドット単電子トランジスタの安定領域

第73回応用物理学会学術講演会 2012年9月12日
Ar雰囲気下で熱処理を施したルブレン蒸着膜を用いたOTFTの作製

平成23年電気関係学会関西連合大会 2011年10月30日
貼り合わせによる高性能なOTFTの製作

平成23年電気関係学会関西連合大会 2011年10月30日
真空蒸着により堆積したルブレンを用いたトップコンタクト型のOFETの製作

第72回応用物理学会学術講演会 2011年9月1日
ゲート容量の異なるトリプルドット単電子デバイスの動作解析2

第72回応用物理学会学術講演会 2011年9月1日
熱エネルギーを考慮した単電子デバイスのターンスタイル動作解析

第72回応用物理学会学術講演会 2011年9月1日

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担当経験のある科目(授業)

24

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所属学協会

3

共同研究・競争的資金等の研究課題

9

InN、GaNおよびその混晶によるヘテロ構造の作製とHFETへの応用に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2001年 - 2004年

名西やす之, 高倉秀行, 今井茂, 荒木努, 鈴木彰, 播磨弘, 寺口信明, 鈴木章
アルミニウムの原子層堆積法の確立

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 1997年 - 1998年

今井茂
シリコン系人工結晶の作製とその物性評価に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 1995年 - 1997年

松村正清, 内田恭敬, 菅原聡, 今井茂
界面ゆらぎを完全に除去したIV族半導体の極短周期超格子の作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 1996年 - 1996年

今井茂, 松村正清
IV族半導体の単原子層超格子の作製

日本学術振興会科学研究費助成事業一般研究(C) 1995年 - 1995年

今井茂, 内田恭敬
1原子寸法オーダーで急峻なシリコン/ゲルマニウムヘテロ界面の形成法に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業一般研究(C) 1994年 - 1994年

今井茂, 松村正清
深さ方向分解能の高いオージェ電子分光法によるSi/Geヘテロ界面の評価

日本学術振興会科学研究費助成事業一般研究(C) 1994年 - 1994年

内田恭敬, 今井茂
シリコン高効率発光デバイスの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業試験研究(B) 1992年 - 1994年

松村正清, 今井茂, 杉浦修, 内田恭敬
超活性ガスを用いたIV族半導体の原子層成長に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業一般研究(B) 1992年 - 1993年

松村正清, 今井茂, 内田恭敬

産業財産権

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