2017年11月20日
厚銅多層基板を用いたSiC‐MOSFET高周波インバータの開発
電気学会電子デバイス研究会資料
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- 巻
- EDD-17
- 号
- 52-65.67-73
- 開始ページ
- 53‐58
- 終了ページ
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- ID情報
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- J-Global ID : 201802243484317900
竹本 真紹
タケモト マサツグ (Masatsugu Takemoto)
更新日: 01/31