酒井 徹志

A Study on Selective Etching of SiGe Layers in SiGe/Si Systems for Device Applications 

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 795 U11.8.1-6 2004年  

Separation by Bonding Si Islands (SBSI) for LSI Applications 

International SiGe Technology and Device Meeting(ISTDM 2004) 230-231 2004年  

Separation by Bonding Si Islands for Advanced CMOS LSIs 

Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices 77-78 2004年  

Novel SOI Fabrication Process Utilizing the Selective Etching for Si/Ge Stacked Layers: Separation By Bonding Si Islands Technology(SBSI) 

Third Internatinal Workshop on New Group Ⅳ (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices 77-78 2004年  

A Study on Selective Etching of SiGe Layers and Electrical Characteristics of MOS Diodes Formed after Selective Etching in SBSI Process 

Third Internatinal Workshop on New Group Ⅳ (Si-Ge-C) Semiconductors: Control of Properties and Applications to Ultrahigh Speed and Opto-Electronic Devices 79-80 2004年  

AlON thin films formed by ECR plasma oxidation for high-k gate insulator application 

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 786 E6.10.1-6 2004年  

SiGe/Si層におけるSiGe層選択エッチング特性 

第51回応用物理学関係連合講演会予稿集 936-Ⅱ 2004年  

極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術：SBSI(Separation by Bonding Si Islands) -Si島とSi基板間の熱酸化- 

第65回応用物理学会学術講演会講演予稿集 745-Ⅱ 2004年  

新構造Double-Gate MOSFETの作製プロセスに関する検討 

第51回応用物理学関係連合講演会予稿集 Ⅱ-796 2004年  

極薄SOI上に形成したPtSiの耐熱性 

第51回応用物理学関係連合講演会予稿集 Ⅱ-907 2004年  

極浅プレアモルファス層によるTiSi2形成膜厚制御 

第51回応用物理学関係連合講演会予稿集 Ⅱ-907 2004年  

ECRスパッタ法により形成したHfOxNy薄膜の熱処理に関する検討 

第51回応用物理学関係連合講演会予稿集 Ⅱ-733 2004年  

HfNのECR-Ar/O2プラズマ酸化によるHfOxNy薄膜の形成 

第65回応用物理学会学術連合講演会予稿集 Ⅱ-679 2004年  

HfOxNy Thin Films Formed by ECR Ar/N2 Plasma Oxidation of HfN Thin Films 

The 15th Symposium of The Materials Research Society of Japan G1-O07-M,129 2004年  

静電容量式指紋センサを応用したヒューマンインターフェイスの提案 －文字入力機能・指紋認証機能一体化ー 

電子情報通信学会2004ソサイエティ大会 C-12-28 2004年  

A Study on Selective Etching of SiGe Layers in SiGe/Si Systems for Device Applications 

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 795 U11.8.1-6 2004年