早藤 貴範

J-GLOBALへ         更新日: 02/12/18 00:00
 
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研究者氏名
早藤 貴範
 
ハヤフジ ヨシノリ
所属
関西学院大学
部署
理工学部 情報科学科
職名
教授
学位
理学修士(関西学院大学), 理学博士(関西学院大学)

研究分野

 
 

経歴

 
1969年
 - 
1985年
研究員(ソニー(株)研究所)
 
1985年
 - 
1989年
研究課長(ソニー(株)研究所)
 
1989年
 - 
1999年
研究部長(ソニー(株)研究所)
 
1996年
 - 
1999年
研究センター長(ソニー(株)研究所)
 

学歴

 
 
 - 
1969年
関西学院大学 理学研究科 物理学
 
 
 - 
1967年
関西学院大学 理学部 物理学
 

委員歴

 
1998年
   
 
DV-Xα研究協会  副会長,運営委員
 

Misc

 
レーザーによるSHシリコンの結晶欠陥制御
日本学術振興会、第145委員会第6回委員会資料      1979年
Si および SiO2の熱窒化の物理モデル
半導体シミュレーション研究会、応用物理学会 関西支部主催      1987年
電子線照射下におけるSi原子のマイグレーション
東北大学金属材料研究所研究会      1989年
Si素子における不純物と結晶欠陥
情報入力研究会、テレビジョン学会      1991年
Si中の点欠陥とゲッタリング
東北大学金属材料研究所研究会      1992年

Works

 
無機酸化物の電子状態解析
2001年

競争的資金等の研究課題

 
Si ULS素子の構成材料の材料設計に関する研究
計算物理による新半導体材料の探索研究
シリコン関連材料の設計・開発