産業財産権

特許権

中性粒子を用いた半導体装置の成膜方法

国立大学法人東北大学、株式会社半導体理工学研究センター
  • 寒川誠二
    • ,
  • 安原重雄
    • ,
  • 門村新吾
    • ,
  • 矢野尚
    • ,
  • 田島邦敏
    • ,
  • 松永範昭
    • ,
  • 吉丸正樹
出願番号
特願2008-141566
出願日
2008年5月29日
公開番号
特開2009-290026
公開日
2009年12月10日
特許番号/登録番号
特許4743229
登録日
発行日
2011年5月20日
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