2014年11月6日
In/Si(111)√<span style=text-decoration:overline>7</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span>‐hex表面の作製と電子状態
表面科学学術講演会講演要旨集
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- 巻
- 34th
- 号
- 開始ページ
- 9
- 終了ページ
- 17
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- DOI
- 10.14886/sssj2008.34.0_17
- 出版者・発行元
- 公益社団法人 日本表面科学会
Si(111)清浄表面にInを蒸着し加熱することで得られる√7×√3超構造について、被覆率を1.2 MLとするhex構造と、2.4 MLとするrect構造の2種類が提案されている。このうちrect構造については盛んに研究が行われているが、hex構造に関する実験的な報告は少ない。そこで我々は√7×√3-hex構造を持つ試料の作製法を検討し、低速電子回折および光電子分光を用いて評価した。
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.14886/sssj2008.34.0_17
- J-Global ID : 201402279801785430
- CiNii Articles ID : 130005481165