MISC

2014年11月6日

In/Si(111)√<span style=text-decoration:overline>7</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span>‐hex表面の作製と電子状態

表面科学学術講演会講演要旨集
  • 飯田龍
  • ,
  • 八田振一郎
  • ,
  • 奥山弘
  • ,
  • 有賀哲也

34th
開始ページ
9
終了ページ
17
記述言語
日本語
掲載種別
DOI
10.14886/sssj2008.34.0_17
出版者・発行元
公益社団法人 日本表面科学会

Si(111)清浄表面にInを蒸着し加熱することで得られる&radic;7&times;&radic;3超構造について、被覆率を1.2 MLとするhex構造と、2.4 MLとするrect構造の2種類が提案されている。このうちrect構造については盛んに研究が行われているが、hex構造に関する実験的な報告は少ない。そこで我々は&radic;7&times;&radic;3-hex構造を持つ試料の作製法を検討し、低速電子回折および光電子分光を用いて評価した。

リンク情報
DOI
https://doi.org/10.14886/sssj2008.34.0_17
J-GLOBAL
https://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201402279801785430
CiNii Articles
http://ci.nii.ac.jp/naid/130005481165
URL
http://jglobal.jst.go.jp/public/201402279801785430
ID情報
  • DOI : 10.14886/sssj2008.34.0_17
  • J-Global ID : 201402279801785430
  • CiNii Articles ID : 130005481165

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