2013年 - 2015年 ヘテロ接合界面によって可能となる磁化反転および強誘電性強磁性特性の室温電界制御 基盤研究(C) 担当区分 研究代表者 配分額 (総額) 1,690,000円 (直接経費) 0円 (間接経費) 0円 資金種別 競争的資金
