本田善央 (Yoshio Honda) - マイポータル

Sn-doped n-type GaN freestanding layer: Thermodynamic study and fabrication by halide vapor phase epitaxy

Kazuki Ohnishi, Kansuke Hamasaki, Shugo Nitta, Naoki Fujimoto, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Journal of Crystal Growth 648 2024年12月15日
Impacts of vacancy complexes on the room-temperature photoluminescence lifetimes of state-of-the-art GaN substrates, epitaxial layers, and Mg-implanted layers

Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Hiroko Iguchi, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno …

Journal of Applied Physics 135(18) 2024年5月8日
Optical activation of praseodymium ions implanted in gallium nitride after ultra-high pressure annealing

Shin Ito, Shin ichiro Sato, Michał S. Boćkowski, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Ken ichi Yoshida, Hideaki Minagawa …

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 547 2024年2月
Sn-doped n-type GaN layer with high electron density of 1020 cm−3 grown by halide vapor phase epitaxy

Kansuke Hamasaki, Kazuki Ohnishi, Shugo Nitta, Naoki Fujimoto, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Journal of Crystal Growth 628 127529-127529 2024年2月
Impacts of off-angle and off-direction on surface morphology of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy on (0001) GaN substrate

Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yuto Ando, Kazuki Ohnishi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Journal of Crystal Growth 628 127552-127552 2024年2月
Investigation of Electrical Properties of N‐Polar AlGaN/AlN Heterostructure Field Effect Transistors

Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Wataru Matsumura, Ryo Okuno, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Minagi Miyamoto, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Atsushi Tanaka …

physica status solidi (a) 2023年5月16日
Lateral p-type GaN Schottky barrier diode with annealed Mg ohmic contact layer demonstrating ideal current–voltage characteristic

Shun Lu, Manato Deki, Takeru Kumabe, Jia Wang, Kazuki Ohnishi, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Applied Physics Letters 2023年4月3日査読有り
Temperature field, flow field and temporal fluctuations thereof in ammonothermal growth of bulk GaN - transition from dissolution stage to growth stage conditions

S. Schimmel, D. Tomida, T. Ishiguro, Y. Honda, S. F. Chichibu, H. Amano

Materials 16(5) 2016 1-27 2023年2月28日査読有り
Red emission from InGaN active layer grown on nanoscale InGaN pseudosubstrates

Wentao Cai, Jia Wang, Jeong-Hwan Park, Yuta Furusawa, Heajeong Cheong, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano

Japanese Journal of Applied Physics 62(2) 020902-020902 2023年2月1日
Scanning electron microscope imaging by selective e-beaming using photoelectron beams from semiconductor photocathodes

Tomohiro Nishitani, Yuta Arakawa, Shotaro Noda, Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 40(6) 2022年12月
High In content nitride sub-micrometer platelet arrays for long wavelength optical applications

Wentao Cai, Yuta Furusawa, Jia Wang, Jeong-Hwan Park, Yaqiang Liao, Hea-Jeong Cheong, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano

Applied Physics Letters 121(21) 2022年11月21日
Substitutional diffusion of Mg into GaN from GaN/Mg mixture

Yuta Itoh, Shun Lu, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Atsushi Tanaka, Hiroshi Amano

Applied Physics Express 15(11) 116505-116505 2022年11月1日
Tuning the p-type doping of GaN over three orders of magnitude via efficient Mg doping during halide vapor phase epitaxy

Kazuki Ohnishi, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Hirotaka Watanabe, Shun Lu, Manato Deki, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Journal of Applied Physics 2022年10月14日査読有り
The photoemission characteristics of a NEA InGaN photocathode by simultaneously supplying Cs and O2

Masahiro Kashima, Yuya Itokawa, Toshiya Kanai, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Takashi Meguro

APPLIED SURFACE SCIENCE 599 2022年10月
High-energy computed tomography as a prospective tool for in situ monitoring of mass transfer processes inside high-pressure reactors - a case study on ammonothermal bulk crystal growth of nitrides including GaN

S. Schimmel, M. Salamon, D. Tomida, S. Neumeier, T. Ishiguro, Y. Honda, S. F, Chichibu, H. Amano

Materials 15 (17) 6165 1-17 2022年9月5日査読有り
Surface kinetics in halide vapor phase epitaxial growth of GaN layers on GaN (0001) freestanding substrates

Kazuki Ohnishi, Naoki Fujimoto, Shugo Nitta, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Journal of Crystal Growth 592 126749-126749 2022年8月査読有り
Weak metastability of Al_xGa_1−xN (x = 13/24, 15/24, 17/24) shown by analyzing AlGaN grown on AlN with dense macrosteps

Akira Hirano, Yosuke Nagasawa, Masamichi Ippommatsu, Hideki Sako, Ai Hashimoto, Ryuichi Sugie, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu

Applied Physics Express 15(7) 075505 1-5 2022年7月1日査読有り
Space–Charge Profiles and Carrier Transport Properties in Dopant‐Free GaN‐Based p‐n Junction Formed by Distributed Polarization Doping

Takeru Kumabe, Seiya Kawasaki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 16(7) 2022年5月23日
“Regrowth-free” fabrication of high-current-gain AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistor with N-p-n configuration

Takeru Kumabe, Hirotaka Watanabe, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Applied Physics Express 15(4) 046506-046506 2022年4月1日
Sputtered polycrystalline MgZnO/Al reflective electrodes for enhanced light emission in AlGaN-based homojunction tunnel junction DUV-LED

Taichi Matsubara, Kengo Nagata, Maki Kushimoto, Shigekazu Tomai, Satoshi Katsumata, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Applied Physics Express 15(4) 2022年4月

もっとみる

MISC

マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率(3)

長澤陽祐, 小島一信, 平野光, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率(1)

長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 赤崎勇 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率(2)

長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 小島一信 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の物性評価

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 天野浩, 赤崎勇 …

日本結晶成長学会誌(CD-ROM) 47(3) 2020年
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の物性評価 (特集深紫外発光デバイスの実現に向けた窒化物半導体結晶成長の進展)

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤﨑勇, 秩父重英

日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 47(3) 1-8 2020年
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(1)

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(2)

長澤陽祐, 小島一信, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(1)

谷川智之, 小島一信, 粕谷拓生, 秩父重英, 田中敦之, 本田善央, 天野浩, 上向井正裕, 片山竜二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年
多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(2)

小島一信, 谷川智之, 粕谷拓生, 上向井正裕, 片山竜二, 田中敦之, 本田善央, 天野浩, 秩父重英, 秩父重英

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年
位相シフト電子線ホログラフィーを用いたGaNナノワイヤー内部のドーパント分布の可視化

仲野靖孝, 松本実子, 穴田智史, 山本和生, BAE Si Young, 田中敦之, 本田善央, 石川由加里, 天野浩, 平山司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.20a‐331‐1 2018年9月5日
Osteogenic differentiation in dedifferentiated liposarcoma: a study of 36 cases in comparison to the cases without ossification

Yamashita Kyoko, Kohashi Kenichi, Yamada Yuichi, Ishii Takeaki, Nishida Yoshihiro, Urakawa Hiroshi, Ito Ichiro, Takahashi Mitsuru, Inoue Takeshi, Ito Masafumi …

HISTOPATHOLOGY 72(5) 729-738 2018年4月査読有り
電子線ホログラフィーによるGaNナノワイヤーのドーパント分布観察

仲野靖孝, 穴田智史, 山本和生, BAE Si Young, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

JFCC研究成果集 2018 15 2018年
-c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究 (電子部品・材料)

河野司, 久志本真希, 永松謙太郎, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(332) 19-22 2017年11月30日
液滴エピタキシー法により作製したGaAs QDsの発光再結合特性

杉原圭二, 中野真理菜, 岩元杏里, 大堀大介, 本田善央, 天野浩, 碇哲雄, 福山敦彦

宮崎大学工学部紀要 46 85-88 2017年7月1日
NEA‐InGaNフォトカソードの量子効率に対する熱処理の効果

鹿島将央, 飯島北斗, 西谷智博, 佐藤大樹, 本田善央, 天野浩, 目黒多加志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.15a‐P6‐7-1554 2017年3月1日
絶対吸収率と光電流測定とを組み合わせた発光ダイオードの光励起キャリア濃度定量

宇佐美茂佳, 小島一信, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 秩父重英, 秩父重英, 天野浩, 天野浩 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th 2017年
マクロステップを有するc面AlGaN量子井戸発光ダイオード構造の発光特性

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th 2017年
Si基板上GaNのPLスペクトルへの熱処理効果

澤木宣彦, 小林宙主, 神谷俊輝, 亀井亮吾, 入江将嗣, 本田善央, 天野浩, 安亨洙

愛知工業大学総合技術研究所研究報告 (18) 43-48 2016年9月
フォトルミネッセンス法による加工Si基板上半極性(1-101)面GaN薄膜の発光再結合特性評価

杉原圭二, 中野真理菜, 岩元杏里, 大堀大介, 本田善央, 天野浩, 碇哲雄, 福山敦彦

宮崎大学工学部紀要 45 105-110 2016年7月1日
Single-crystalline semipolar GaN on Si(001) using a directional sputtered AlN intermediate layer

Tadashi Mitsunari, Ho Jun Lee, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Journal of Crystal Growth 431 60-63 2015年12月1日査読有り

もっとみる

講演・口頭発表等

Photocurrent and Photoluminescence measurements for InGaN Based LED

Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

LEDIA'17 2017年4月19日招待有り
In-situ monitoring of Laser absorption and scattering method during InGaN growth by MOVPE

Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silocon Material 2016年11月21日招待有り
In-situ monitoring of InGaN growth by Laser absorption and scattering method

Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

SPIE 2016年2月16日招待有り
世界を照らす青色LED

本田善央

第20回東海地区分析研究会講演会 2015年10月16日
発光ダイオード

本田善央

応用物理学会赤﨑・天野記念LEDスクール 2015年9月20日
InGaN growth mechanism evaluation by In-situ monitoring based on LAS

Yoshio Honda, Akira Tamura, Tetsuya Yamamoto, Maki Kushimoto, Hiroshi Amano

2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop 2015年7月13日
InGaN 系光デバイスの成長と特性評価

本田善央, 田村彰, 山本哲也, 李昇我, 久志本真希, 天野浩

STR 結晶成長結晶成長とデバイス解析 2015年6月26日
世界を照らす青色発光ダイオード

本田善央

第58回名大カフェ 2015年6月24日
InGaN成長中の光散乱を用いたin situ観察と成長機構

本田善央, 田村彰, 山本哲也, 久志本真希, 天野浩

第23回シンポジウム「窒化物半導体の成長技術とメカニズム理解 2015年5月22日
MOVPE法によるInGaN加圧成長とLAS法によるその場観察

本田善央, 田村彰, 山本哲也, 久志本真希, 天野浩

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2015年春季講演会 2015年5月7日
Semi-polar GaN growth on patterned (001)Si substrate by MOVPE

Y. Honda, M. Kushimoto, H. Amano

2015 MRS Spring Meeting & Exhibit 2015年4月8日
Si基板上半極性面GaN上光デバイスとInGaN結晶成長のその場観察

本田善央, 田村彰, 宇佐美茂佳, 久志本真希, 光成正, 山口雅史, 天野浩

第5回フォトニックデバイス・応用技術研究会 2015年3月4日
In-situ monitoring of InGaN MOVPE-growth by Laser Absorption and Scattering method

Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, AkiraTamura, Tadashi Mitsunari, Hiroshi Amano

The 1st International Workshop on Quantum Nanostructure; Physics and Solar Cell Applications and Special Meeting of Samukawa-Project in CREST 2015年2月20日
GaN基板上GaN系パワーデバイス開発

本田善央, 出来真斗, 天野浩

JST懇話会 2014年12月17日
Ⅲ族窒化物半導体の結晶成長技術とデバイス応用

本田善央, 久志本真希, 光成正, 山下康平, 山口雅史, 天野浩

第18回VBLシンポジウム 2014年11月17日
Pressurized MOVPE of high-In-content InGaN

A.Tamura, K. Yamashita, T. Mitsunari, Y. Honda, H. Amano

ICMOVPE-17(Tue-Oral-1-1 ) 2014年7月13日
High pressure InGaN growth on Sapphire substrate by MOVPE

Yoshio Honda, Tomohiro Doi, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano

2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium J(18p-M6-1) 2013年9月16日
加圧MOVPEによるInGaN結晶成長

坂倉誠也, 土井友博, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

第59回応用物理学関係連合講演会 2012年3月15日
加工Si 基板上(1-101)及び(11-22)GaN へのInGaN ヘテロ成長

本田善央

特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」公開シンポジウム 2008年8月1日
(110)Si 基板を用いた無極性(11-20)GaN の結晶成長

本田善央

特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」公開シンポジウム 2008年8月1日

もっとみる

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

真空光トランジスタの創成と超高周波電磁波発生

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2024年4月 - 2027年3月

加藤和利, 前田辰郎, 西谷智博, 本田善央, 三上裕也
新奇材料エピタキシャル融合による窒化物半導体の機能拡張

日本学術振興会科学研究費助成事業国際共同研究加速基金(海外連携研究) 2023年9月 - 2027年3月

小林篤, 中野貴之, 前田拓也, 本田善央
BGaN検出器を用いた疑似直接検出法による超高解像中性子イメージング技術開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2023年4月 - 2027年3月

中野貴之, 青木徹, 本田善央, 牧野高紘, 若林源一郎
HVPE法によるGaNのpn接合周期構造の高速成長とSJダイオードの作製

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2022年6月 - 2024年3月

本田善央, 田中敦之, 新田州吾
BGaN半導体検出器を用いた熱中性子イメージングセンサーの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2019年4月 - 2022年3月

中野貴之, 青木徹, 井上翼, 本田善央, 小島一信, 嶋紘平
実環境下の損傷敏感試料に微細領域の動態観測技術をもたらす半導体電子ビーム源

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2019年4月 - 2022年3月

西谷智博, 目黒多加志, 洗平昌晃, 成田哲博, 本田善央, 石川史太郎, 田渕雅夫, 市川修平, 保田英洋, 七井靖
多次元・マルチスケール特異構造の作製と作製機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 本田善央
アンモニア分解率向上による高In組成InGaN結晶の高品質化のための反応炉設計

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2016年4月 - 2019年3月

新田州吾, 天野浩, 本田善央, 宇佐美茂佳, 永松謙太郎, 出来真斗
中性子半導体検出器に向けたBGaN半導体デバイスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2016年4月 - 2019年3月

中野貴之, 青木徹, 本田善央, 井上翼, 天野浩
戦略的国際共同研究プログラム V4プロジェクト

JST JST 2015年11月 - 2019年3月

天野浩
ＧａＮに関する拠点型共通基盤技術開発/ＧａＮ縦型パワーデバイスの基盤技術開発

NEDO 戦略的イノベーション創造プログラム 2014年4月 - 2019年2月

須田淳
高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発

NEDO NEDO 2015年4月 - 2018年3月

天野浩
分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開

日本学術振興会科学研究費助成事業特別推進研究 2013年4月 - 2016年3月

天野浩, 本田善央, 出来真斗, 大野雄高, 三宅秀人, 成塚重弥, 竹内哲也, 岩谷素顕, 福山博之, 田中成泰
電界効果形窒化物半導体太陽電池の高効率化

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2012年4月 - 2015年3月

澤木宣彦, 本田善央
半極性ＧａＮ／Ｓｉ上へのＩｎＧａＮ高圧成長及び歪制御によるＬＤの作製

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 2012年4月 - 2015年3月
シリコン基板上架橋窒化物半導体ナノワイヤLEDの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2011年 - 2012年

本田善央, 山口雅史, 天野浩
Si基板上半極性GaNの高品質化に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2010年 - 2012年

澤木宣彦, 岩田博之, 本田善央
圧力印加MOVPEによる高品質InGaN厚膜成長

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2010年 - 2012年

天野浩, 山口雅史, 本田善央
Si基板上半極性GaNの積層欠陥、点欠陥抑制による光学的特性の改善

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2008年4月 - 2011年3月

本田善央
パルス状窒素ラジカル供給による超高品質InGaN超格子PAMBE成長

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2011年 - 2011年

天野浩, 山口雅史, 本田善央

もっとみる

産業財産権

特許公開2007-56164 発光層形成用基材、発光体及び発光物質

本田善央, 澤木宣彦, 柳瀬康行, 一柳昌幸, 稲岡宏弥, 森連太郎, 木山明
特許公開2005-277342 カーボンドープ半導体膜、半導体素子、及びこれらの製造方法

澤木宣彦, 山口雅史, 本田善央, 彦坂年輝, 小出典克, 真部勝英
特許公開2005-136200 窒化物半導体結晶層の作製方法、窒化物半導体結晶層、及び窒化物半導体結晶層作製用の基材

澤木宣彦, 本田善央, 西村慶之
特許公開2004-119168 半導体素子構造、電子エミッタ、及び半導体素子構造の作製方法

澤木宣彦, 本田善央
特許公開2003-243702 半導体発光素子およびその製造方法

澤木宣彦, 本田善央, 亀代典史, 山口雅史, 田中成泰, 小出典克
特許公開2003-142728 半導体発光素子の製造方法

小出典克, 山本淳次, 堂北剛, 澤木宣彦, 本田善央, 黒岩洋佑, 山口雅史
特許公開2002-246697 半導体レーザ素子およびその製造方法

澤木宣彦, 本田善央, 亀代典史, 山口雅史, 小出典克, 伊藤茂稔, 大野智輝, 古川勝紀
特許公開2003-8061 窒化物半導体の製造方法

澤木宣彦, 本田善央, 小出典克
特許公開2002-249400 化合物半導体単結晶の製造方法およびその利用

澤木宣彦, 山口雅史, 本田善央
特許公開2002-185041 半導体素子

澤木宣彦, 本田善央, 小出典克