本田善央 (Yoshio Honda) - マイポータル

Red-emitting μ LEDs based on graded-indium InGaN nanoplatelets

Qingyuan Han, Wentao Cai, Jia Wang, Yuta Furusawa, Haitao Wang, Xigen Li, Heajeong Cheong, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Japanese Journal of Applied Physics 65(2) 026501-026501 2026年1月19日
Highly Oriented Epitaxial Hexagonal Boron Nitride Multilayers on High‐Temperature‐Resistant Single‐Crystal Aluminum Nitride (0001)

Xu Yang, Markus Pristovsek, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma, Takanobu Hiroto, Takayuki Ishida, Michio Ikezawa, Qixin Guo …

Advanced Science 2025年9月29日
On barrier-free vertical GaN PN junction diode enabled by ion-implantation and ex-situ Mg diffusion process

Simranjit Singh, Woong Kwon, Xigen Li, Jia Wang, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Biplab Sarkar

Japanese Journal of Applied Physics 64(9) 090904-090904 2025年9月1日
Quantum efficiency characteristics of low-threading-dislocation-density InGaN photocathode grown on GaN substrate

Mikiya Idei, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 43(3) 2025年5月
Sn-doped n-type GaN freestanding layer: Thermodynamic study and fabrication by halide vapor phase epitaxy

Kazuki Ohnishi, Kansuke Hamasaki, Shugo Nitta, Naoki Fujimoto, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Journal of Crystal Growth 648 2024年12月15日
Impacts of vacancy complexes on the room-temperature photoluminescence lifetimes of state-of-the-art GaN substrates, epitaxial layers, and Mg-implanted layers

Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Hiroko Iguchi, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno …

Journal of Applied Physics 135(18) 2024年5月8日
Optical activation of praseodymium ions implanted in gallium nitride after ultra-high pressure annealing

Shin Ito, Shin ichiro Sato, Michał S. Boćkowski, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Ken ichi Yoshida, Hideaki Minagawa …

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 547 2024年2月
Sn-doped n-type GaN layer with high electron density of 1020 cm−3 grown by halide vapor phase epitaxy

Kansuke Hamasaki, Kazuki Ohnishi, Shugo Nitta, Naoki Fujimoto, Hirotaka Watanabe, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Journal of Crystal Growth 628 127529-127529 2024年2月
Impacts of off-angle and off-direction on surface morphology of GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy on (0001) GaN substrate

Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yuto Ando, Kazuki Ohnishi, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Journal of Crystal Growth 628 127552-127552 2024年2月
Investigation of Photoemission at InGaN Vacuum-Traveling-Carrier Photodiodes for THz-wave Generation

Chengyuan Qian, Yoshimasa Sugimoto, Hiroyuki Ishii, Tatsuro Maeda, Daiki Sato, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Yuya Mikami, Kazutoshi Kato

2024 INTERNATIONAL TOPICAL MEETING ON MICROWAVE PHOTONICS, MWP 2024 2024年
SEM imaging of high aspect ratio trench by selectively controlling the electron beam irradiation using photocathode

Yuta Arakawa, Kotaro Niimi, Yohei Otsuka, Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

METROLOGY, INSPECTION, AND PROCESS CONTROL XXXVIII 12955 2024年
Local voltage contrast changes in MOSFET using scanning electron microscopy with photoelectron beam technology

Daiki Sato, Yuta Arakawa, Kotaro Niimi, Keika Fukuroi, Yutaro Tajiri, Atsushi Koizumi, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda …

METROLOGY, INSPECTION, AND PROCESS CONTROL XXXVIII 12955 2024年
Investigation of Electrical Properties of N‐Polar AlGaN/AlN Heterostructure Field Effect Transistors

Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Wataru Matsumura, Ryo Okuno, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Minagi Miyamoto, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Atsushi Tanaka …

physica status solidi (a) 2023年5月16日
Lateral p-type GaN Schottky barrier diode with annealed Mg ohmic contact layer demonstrating ideal current–voltage characteristic

Shun Lu, Manato Deki, Takeru Kumabe, Jia Wang, Kazuki Ohnishi, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Applied Physics Letters 2023年4月3日査読有り
Temperature field, flow field and temporal fluctuations thereof in ammonothermal growth of bulk GaN - transition from dissolution stage to growth stage conditions

S. Schimmel, D. Tomida, T. Ishiguro, Y. Honda, S. F. Chichibu, H. Amano

Materials 16(5) 2016 1-27 2023年2月28日査読有り
Red emission from InGaN active layer grown on nanoscale InGaN pseudosubstrates

Wentao Cai, Jia Wang, Jeong-Hwan Park, Yuta Furusawa, Heajeong Cheong, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano

Japanese Journal of Applied Physics 62(2) 020902-020902 2023年2月1日
Novel Electron Beam Technology using InGaN Photocathode for High-Throughput Scanning Electron Microscope Imaging

Daiki Sato, Atsushi Koizumi, Haruka Shikano, Shotaro Noda, Yohei Otsuka, Daisuke Yasufuku, Kazumasa Mori, Hokuto Iijima, Tomohiro Nishitani, Yoshio Honda …

METROLOGY, INSPECTION, AND PROCESS CONTROL XXXVII 12496 2023年
Photon extraction enhancement of praseodymium ions in gallium nitride nanopillars

Shin-ichiro Sato, Shuo Li, Andrew D. Greentree, Manato Deki, Tomoaki Nishimura, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Brant C. Gibson …

Scientific Reports 12(1) 2022年12月8日
Scanning electron microscope imaging by selective e-beaming using photoelectron beams from semiconductor photocathodes

Tomohiro Nishitani, Yuta Arakawa, Shotaro Noda, Atsushi Koizumi, Daiki Sato, Haruka Shikano, Hokuto Iijima, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 40(6) 2022年12月
High In content nitride sub-micrometer platelet arrays for long wavelength optical applications

Wentao Cai, Yuta Furusawa, Jia Wang, Jeong-Hwan Park, Yaqiang Liao, Hea-Jeong Cheong, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Markus Pristovsek, Hiroshi Amano

Applied Physics Letters 121(21) 2022年11月21日

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MISC

窒化ガリウムにイオン注入したプラセオジムの電子状態と配位構造

佐藤真一郎, 横塚恵莉, 圓谷志郎, 長澤尚胤, 齋藤寛之, 辻卓也, 松村大樹, 伊藤慎, 渡邉浩崇, 出来真斗 …

希土類 (86) 2025年
窒化ガリウムにイオン注入したプラセオジムのX線吸収微細構造

佐藤真一郎, 横塚恵莉, 圓谷志郎, 長澤尚胤, 齋藤寛之, 辻卓也, 松村大樹, 伊藤慎, 出来真斗, 本田善央 …

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 86th 2025年
異なるアルカリ金属を用いたInGaNフォトカソードの電子放出特性

出射幹也, 佐藤大樹, 小泉淳, 西谷智博, 西谷智博, 本田善央, 天野浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 85th 2024年
窒化ガリウム半導体における単一イオンヒット検出条件の検討

藤田泰樹, 藤田泰樹, 佐藤真一郎, 出来真斗, 渡邊浩崇, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 土田秀次

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
希土類イオン注入したGaNの超高圧熱処理による発光特性および結晶構造の変化

伊藤慎, 伊藤慎, 佐藤真一郎, BOCKOWSKI Michal, 出来真斗, 渡邉浩崇, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 天野浩 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
貫通転移密度の異なるInGaNフォトカソードの電子放出特性

出射幹也, 佐藤大樹, 小泉淳, 西谷智博, 西谷智博, 本田善央, 天野浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
Laser slice thinning of GaN-on-GaN high electron mobility transistors (vol 12, 7363, 2022)

Atsushi Tanaka, Ryuji Sugiura, Daisuke Kawaguchi, Yotaro Wani, Hirotaka Watanabe, Hadi Sena, Yuto Ando, Yoshio Honda, Yasunori Igasaki, Akio Wakejima …

SCIENTIFIC REPORTS 12(1) 2022年5月17日
加熱下でのNEA活性化におけるInGaNの電子放出特性

鹿島将央, 糸川佑也, 金井俊也, 佐藤大樹, 小泉淳, 飯島北斗, 西谷智博, 西谷智博, 本田善央, 天野浩 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
窒化ガリウム中プラセオジムの発光を利用したナノスケール領域温度計測

佐藤真一郎, 佐藤真一郎, 出来真斗, 西村智朗, 渡邉浩崇, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, GREENTREE Andrew D., GIBSON Brant C. …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
NEA活性化方法におけるInGaNフォトカソードの電子放出特性の違い

鹿島将央, 佐藤大樹, 小泉淳, 飯島北斗, 西谷智博, 西谷智博, 本田善央, 天野浩, 目黒多加志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率(3)

長澤陽祐, 小島一信, 平野光, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率(1)

長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 赤崎勇 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率(2)

長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 迫秀樹, 橋本愛, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 小島一信 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
窒化ガリウムナノピラー中プラセオジム(Pr)の室温での発光強度増幅

佐藤真一郎, 佐藤真一郎, 出来真斗, LI Shuo, 渡邉浩崇, 新田州吾, 本田善央, 西村智朗, GIBSON Brant C., GREENTREE Andrew D. …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の物性評価

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 天野浩, 赤崎勇 …

日本結晶成長学会誌(CD-ROM) 47(3) 2020年
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の物性評価 (特集深紫外発光デバイスの実現に向けた窒化物半導体結晶成長の進展)

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 杉江隆一, 本田善央, 天野浩, 赤﨑勇, 秩父重英

日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 47(3) 1-8 2020年
負の電子親和力表面をもつInGaNレーザーフォトカソードによるパルスTEM像観察

保田英洋, 西谷智博, 平山裕之, 市川修平, 畑中修平, 本田善央, 天野浩

日本金属学会講演概要(CD-ROM) 164th 2019年
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(1)

小島一信, 長澤陽祐, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 天野浩, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の構造解析(2)

長澤陽祐, 小島一信, 平野光, 一本松正道, 本田善央, 天野浩, 赤崎勇, 秩父重英

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(1)

谷川智之, 小島一信, 粕谷拓生, 秩父重英, 田中敦之, 本田善央, 天野浩, 上向井正裕, 片山竜二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年

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講演・口頭発表等

Photocurrent and Photoluminescence measurements for InGaN Based LED

Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

LEDIA'17 2017年4月19日招待有り
In-situ monitoring of Laser absorption and scattering method during InGaN growth by MOVPE

Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silocon Material 2016年11月21日招待有り
In-situ monitoring of InGaN growth by Laser absorption and scattering method

Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, Akira Tamura, Shigeyoshi Usami, Kentaro Nagamatsu, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

SPIE 2016年2月16日招待有り
世界を照らす青色LED

本田善央

第20回東海地区分析研究会講演会 2015年10月16日
発光ダイオード

本田善央

応用物理学会赤﨑・天野記念LEDスクール 2015年9月20日
InGaN growth mechanism evaluation by In-situ monitoring based on LAS

Yoshio Honda, Akira Tamura, Tetsuya Yamamoto, Maki Kushimoto, Hiroshi Amano

2015 German-Japanese-Spanish Joint Workshop 2015年7月13日
InGaN 系光デバイスの成長と特性評価

本田善央, 田村彰, 山本哲也, 李昇我, 久志本真希, 天野浩

STR 結晶成長結晶成長とデバイス解析 2015年6月26日
世界を照らす青色発光ダイオード

本田善央

第58回名大カフェ 2015年6月24日
InGaN成長中の光散乱を用いたin situ観察と成長機構

本田善央, 田村彰, 山本哲也, 久志本真希, 天野浩

第23回シンポジウム「窒化物半導体の成長技術とメカニズム理解 2015年5月22日
MOVPE法によるInGaN加圧成長とLAS法によるその場観察

本田善央, 田村彰, 山本哲也, 久志本真希, 天野浩

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2015年春季講演会 2015年5月7日
Semi-polar GaN growth on patterned (001)Si substrate by MOVPE

Y. Honda, M. Kushimoto, H. Amano

2015 MRS Spring Meeting & Exhibit 2015年4月8日
Si基板上半極性面GaN上光デバイスとInGaN結晶成長のその場観察

本田善央, 田村彰, 宇佐美茂佳, 久志本真希, 光成正, 山口雅史, 天野浩

第5回フォトニックデバイス・応用技術研究会 2015年3月4日
In-situ monitoring of InGaN MOVPE-growth by Laser Absorption and Scattering method

Yoshio Honda, Tetsuya Yamamoto, AkiraTamura, Tadashi Mitsunari, Hiroshi Amano

The 1st International Workshop on Quantum Nanostructure; Physics and Solar Cell Applications and Special Meeting of Samukawa-Project in CREST 2015年2月20日
GaN基板上GaN系パワーデバイス開発

本田善央, 出来真斗, 天野浩

JST懇話会 2014年12月17日
Ⅲ族窒化物半導体の結晶成長技術とデバイス応用

本田善央, 久志本真希, 光成正, 山下康平, 山口雅史, 天野浩

第18回VBLシンポジウム 2014年11月17日
Pressurized MOVPE of high-In-content InGaN

A.Tamura, K. Yamashita, T. Mitsunari, Y. Honda, H. Amano

ICMOVPE-17(Tue-Oral-1-1 ) 2014年7月13日
High pressure InGaN growth on Sapphire substrate by MOVPE

Yoshio Honda, Tomohiro Doi, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano

2013 JSAP-MRS Joint Symposia Symposium J(18p-M6-1) 2013年9月16日
加圧MOVPEによるInGaN結晶成長

坂倉誠也, 土井友博, 谷川智之, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

第59回応用物理学関係連合講演会 2012年3月15日
加工Si 基板上(1-101)及び(11-22)GaN へのInGaN ヘテロ成長

本田善央

特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」公開シンポジウム 2008年8月1日
(110)Si 基板を用いた無極性(11-20)GaN の結晶成長

本田善央

特定領域研究「窒化物光半導体のフロンティア－材料潜在能力の極限発現－」公開シンポジウム 2008年8月1日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

OVPE法を用いたMgイオン注入GaNの新規活性化プロセス開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2025年4月 - 2028年3月

宇佐美茂佳, 今西正幸, 本田善央
熱力学に基づく原料分子制御による組成制御されたInGaN混晶厚膜の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2024年4月 - 2027年3月

村上尚, 本田善央
真空光トランジスタの創成と超高周波電磁波発生

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2024年4月 - 2027年3月

加藤和利, 前田辰郎, 西谷智博, 本田善央, 三上裕也
新奇材料エピタキシャル融合による窒化物半導体の機能拡張

日本学術振興会科学研究費助成事業国際共同研究加速基金(海外連携研究) 2023年9月 - 2027年3月

小林篤, 中野貴之, 前田拓也, 本田善央
BGaN検出器を用いた疑似直接検出法による超高解像中性子イメージング技術開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2023年4月 - 2027年3月

中野貴之, 青木徹, 本田善央, 牧野高紘, 若林源一郎
4元混晶AlGaInN分極ドーピング層を用いたヘテロバイポーラトランジスタの作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2023年4月 - 2026年3月

本田善央
HVPE法によるGaNのpn接合周期構造の高速成長とSJダイオードの作製

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2022年6月 - 2024年3月

本田善央, 田中敦之, 新田州吾
BGaN半導体検出器を用いた熱中性子イメージングセンサーの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2019年4月 - 2022年3月

中野貴之, 青木徹, 井上翼, 本田善央, 小島一信, 嶋紘平
実環境下の損傷敏感試料に微細領域の動態観測技術をもたらす半導体電子ビーム源

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2019年4月 - 2022年3月

西谷智博, 目黒多加志, 洗平昌晃, 成田哲博, 本田善央, 石川史太郎, 田渕雅夫, 市川修平, 保田英洋, 七井靖
多次元・マルチスケール特異構造の作製と作製機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 本田善央
アンモニア分解率向上による高In組成InGaN結晶の高品質化のための反応炉設計

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2016年4月 - 2019年3月

新田州吾, 天野浩, 本田善央, 宇佐美茂佳, 永松謙太郎, 出来真斗
中性子半導体検出器に向けたBGaN半導体デバイスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2016年4月 - 2019年3月

中野貴之, 青木徹, 本田善央, 井上翼, 天野浩
戦略的国際共同研究プログラム V4プロジェクト

JST JST 2015年11月 - 2019年3月

天野浩
ＧａＮに関する拠点型共通基盤技術開発/ＧａＮ縦型パワーデバイスの基盤技術開発

NEDO 戦略的イノベーション創造プログラム 2014年4月 - 2019年2月

須田淳
高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発

NEDO NEDO 2015年4月 - 2018年3月

天野浩
分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開

日本学術振興会科学研究費助成事業特別推進研究 2013年4月 - 2016年3月

天野浩, 本田善央, 出来真斗, 大野雄高, 三宅秀人, 成塚重弥, 竹内哲也, 岩谷素顕, 福山博之, 田中成泰
電界効果形窒化物半導体太陽電池の高効率化

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2012年4月 - 2015年3月

澤木宣彦, 本田善央
半極性ＧａＮ／Ｓｉ上へのＩｎＧａＮ高圧成長及び歪制御によるＬＤの作製

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 2012年4月 - 2015年3月
シリコン基板上架橋窒化物半導体ナノワイヤLEDの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2011年 - 2012年

本田善央, 山口雅史, 天野浩
Si基板上半極性GaNの高品質化に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2010年 - 2012年

澤木宣彦, 岩田博之, 本田善央

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産業財産権

特許公開2007-56164 発光層形成用基材、発光体及び発光物質

本田善央, 澤木宣彦, 柳瀬康行, 一柳昌幸, 稲岡宏弥, 森連太郎, 木山明
特許公開2005-277342 カーボンドープ半導体膜、半導体素子、及びこれらの製造方法

澤木宣彦, 山口雅史, 本田善央, 彦坂年輝, 小出典克, 真部勝英
特許公開2005-136200 窒化物半導体結晶層の作製方法、窒化物半導体結晶層、及び窒化物半導体結晶層作製用の基材

澤木宣彦, 本田善央, 西村慶之
特許公開2004-119168 半導体素子構造、電子エミッタ、及び半導体素子構造の作製方法

澤木宣彦, 本田善央
特許公開2003-243702 半導体発光素子およびその製造方法

澤木宣彦, 本田善央, 亀代典史, 山口雅史, 田中成泰, 小出典克
特許公開2003-142728 半導体発光素子の製造方法

小出典克, 山本淳次, 堂北剛, 澤木宣彦, 本田善央, 黒岩洋佑, 山口雅史
特許公開2002-246697 半導体レーザ素子およびその製造方法

澤木宣彦, 本田善央, 亀代典史, 山口雅史, 小出典克, 伊藤茂稔, 大野智輝, 古川勝紀
特許公開2003-8061 窒化物半導体の製造方法

澤木宣彦, 本田善央, 小出典克
特許公開2002-249400 化合物半導体単結晶の製造方法およびその利用

澤木宣彦, 山口雅史, 本田善央
特許公開2002-185041 半導体素子

澤木宣彦, 本田善央, 小出典克