2000年 STM observation of the formation of the smallest DAS domain on a quenched Si((]G0003[))surface Jpn. J. Appl. Phys. 巻 39 号 開始ページ 4408 終了ページ DOI 10.1143/JJAP.39.4408 リンク情報 DOIhttps://doi.org/10.1143/JJAP.39.4408 エクスポート BibTeX RIS