論文

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2002年7月

ケルビンプローブ法によるTPD/Alq3系有機EL素子の接触電位差測定

表面科学

岸野賢悟
太田英二

巻: 23
号: 7
開始ページ: 445-460
終了ページ: 460
記述言語: 日本語
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
DOI: 10.1380/jsssj.23.455
出版者・発行元: 公益社団法人日本表面科学会

いくつかの基板上の有機EL（TPD/Alq3）系の接触電位をケルビンプローブ法により測定した。Alq3/Al界面へのKiF導入は電子注入障壁を低下させ、接触電位は10-20Åの厚さで急速に変化することを見出した。

リンク情報

DOI: https://doi.org/10.1380/jsssj.23.455
CiNii Articles: http://ci.nii.ac.jp/naid/10009298943
CiNii Books: http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN00334149
URL: http://id.ndl.go.jp/bib/6217441

ID情報

DOI : 10.1380/jsssj.23.455
ISSN : 0388-5321
CiNii Articles ID : 10009298943
CiNii Books ID : AN00334149

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