楊杭生 (sheng Hang Yang) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 旧所属東京大学大学院工学系研究科博士課程マテリアル工学専攻東京大学工学研究系マテリアル工学専攻大学院学生（博士課程）,日本学術振興会外国人特別研究員

学位: 理学修士(中国浙江省杭州大学(今, 浙江大学))
工学博士

J-GLOBAL ID: 200901031253751224
researchmap会員ID: 1000315837

研究キーワード

2

研究分野

1

ナノテク・材料 / 金属生産、資源生産 /

学歴

3

受賞

1

2002年4月

丸文研究助成

MISC

7

6. High-resolution transmission electron microscopy of as-deposited boron nitride on the edge of ultrathin Si flake

J. Appl. Phys. 95(5),2337-2341 2004年
Dynamic and atomistic deformation of sp(2)-bonded boron nitride nanoarrays

C Iwamoto, HS Yang, S Watanabe, T Yoshida

APPLIED PHYSICS LETTERS 83(21) 4402-4404 2003年11月
Interface engineering of cBN films deposited on silicon substrates

HS Yang, C Iwamoto, T Yoshida

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 94(2) 1248-1251 2003年7月
Mass spectrometric study of low-pressure inductively coupled plasma for chemical vapor deposition of cubic boron nitride films

Hangsheng Yang, Toyonobu Yoshida

SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS 4(6) 613-616 2003年
Nanostructures of the turbostratic BN transition layer in cubic BN thin films deposited by low-pressure inductively coupled plasma-enhanced chemical vapor deposition

HS Yang, C Iwamoto, T Yoshida

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 91(10) 6695-6699 2002年5月
High-quality cBN thin films prepared by plasma chemical vapor deposition with time-dependent biasing technique

Thin Solid Films 407, 67-71 2002年
Direct growth of CBN on a mono-structured transition Layer by plasma-enhanced Chemical vapor deposition

Diamond and Related Materials 11, 1854-1857 2002年

所属学協会

1

金属学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

2