長汐晃輔 (Kosuke Nagashio) - マイポータル

基本情報

所属: 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻教授

学位: Ph.D(The University of Tokyo)

連絡先: nagashiomaterial.t.u-tokyo.ac.jp
研究者番号: 20373441
J-GLOBAL ID: 200901020415152700
researchmap会員ID: 1000315844

外部リンク: http://webpark1753.sakura.ne.jp/nagashio_lab/

研究キーワード

研究分野

経歴

2020年6月 - 現在

東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻教授
2011年4月 - 2020年5月

東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻准教授
2007年9月 - 2011年3月

東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻講師
2003年10月 - 2007年8月

国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構宇宙環境利用科学研究系助手
2002年4月 - 2003年9月

学振海外特別研究員 Stanford University
1999年4月 - 2002年3月

学振特別研究員(DC1)

学歴

1999年4月 - 2002年3月

東京大学大学院工学系研究科博士課程材料学専攻
1997年4月 - 1999年3月

東京大学大学院工学系研究科修士課程材料学専攻
1993年4月 - 1997年3月

京都大学工学部金属加工学科

論文

203

Shift Current Photovoltaics based on A Noncentrosymmetric Phase in in‐plane Ferroelectric SnS

Yih‐Ren Chang, Ryo Nanae, Satsuki Kitamura, Tomonori Nishimura, Haonan Wang, Yubei Xiang, Keisuke Shinokita, Kazunari Matsuda, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio

Advanced Materials 2023年5月6日
Is the Bandgap of Bulk PdSe ₂ Located Truly in the Far‐Infrared Region? Determination by Fourier‐Transform Photocurrent Spectroscopy

Wataru Nishiyama, Tomonori Nishimura, Masao Nishioka, Keiji Ueno, Satoshi Iwamoto, Kosuke Nagashio

Advanced Photonics Research 3(11) 2200231-2200231 2022年11月
Quantization of Mode Shifts in Nanocavities Integrated with Atomically Thin Sheets

Nan Fang, Daiki Yamashita, Shun Fujii, Keigo Otsuka, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio, Yuichiro K. Kato

Advanced Optical Materials 2022年7月10日査読有り
Science of 2.5 dimensional materials: paradigm shift of materials science toward future social innovation

Hiroki Ago, Susumu Okada, Yasumitsu Miyata, Kazunari Matsuda, Mikito Koshino, Kosei Ueno, Kosuke Nagashio

Science and Technology of Advanced Materials 2022年4月7日
Identification of the position of piezoelectric polarization at the MoS2/metal interface

Masaya Umeda, Naoki Higashitarumizu, Ryo Kitaura, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio

APPLIED PHYSICS EXPRESS 14(12) 2021年12月
Thickness-dependent Raman active modes of SnS thin films

Itsuki Yonemori, Sudipta Dutta, Kosuke Nagashio, Katsunori Wakabayashi

AIP Advances 2021年9月1日
Thermodynamic Perspective on the Oxidation of Layered Materials and Surface Oxide Amelioration in 2D Devices

Yih-Ren Chang, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio

ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES 13(36) 43282-43289 2021年9月
Intrinsic Electronic Transport Properties and Carrier Densities in PtS 2 and SnSe 2 : Exploration of n + ‐Source for 2D Tunnel FETs

Yuichiro Sato, Tomonori Nishimura, Dong Duanfei, Keiji Ueno, Keisuke Shinokita, Kazunari Matsuda, Kosuke Nagashio

Advanced Electronic Materials 2100292-2100292 2021年8月5日
Ion conductive character of low-yttria-content yttria-stabilized zirconia at low temperature

Tomonori Nishimura, Toshiya Kojima, Kosuke Nagashio, Masaaki Niwa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60(SB) 2021年5月
Material and Device Structure Designs for 2D Memory Devices Based on the Floating Gate Voltage Trajectory

Taro Sasaki, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio

ACS NANO 15(4) 6658-6668 2021年4月
Atomic-Step-Induced Screw-Dislocation-Driven Spiral Growth of SnS

Yih-Ren Chang, Naoki Higashitarumizu, Hayami Kawamoto, Fu-Hsien Chu, Chien-Ju Lee, Tomonori Nishimura, Rong Xiang, Wen-Hao Chang, Shigeo Maruyama, Kosuke Nagashio

CHEMISTRY OF MATERIALS 33(1) 186-194 2021年1月
Purely in-plane ferroelectricity in monolayer SnS at room temperature

Naoki Higashitarumizu, Hayami Kawamoto, Chien-Ju Lee, Bo-Han Lin, Fu-Hsien Chu, Itsuki Yonemori, Tomonori Nishimura, Katsunori Wakabayashi, Wen-Hao Chang, Kosuke Nagashio

Nature Communications 11(1) 2020年12月査読有り
All 2D Heterostructure Tunnel Field-Effect Transistors: Impact of Band Alignment and Heterointerface Quality

Keigo Nakamura, Naoka Nagamura, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio

ACS Applied Materials & Interfaces 12(46) 51598-51606 2020年11月18日
Understanding the Memory Window Overestimation of 2D Materials Based Floating Gate Type Memory Devices by Measuring Floating Gate Voltage

Taro Sasaki, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio

SMALL 16(47) 2020年11月
Carrier Distribution Control in van der Waals Heterostructures of MoS2 and WS2 by Field-Induced Band-Edge Engineering

Mina Maruyama, Kosuke Nagashio, Susumu Okada

Physical Review Applied 14(4) 2020年10月16日
Hexagonal boron nitride as an ideal substrate for carbon nanotube photonics

Nan Fang, Keigo Otsuka, Akihiro Ishii, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio, Yuichiro K. Kato

ACS Photonics 2020年6月2日査読有り
Influence of Interlayer Stacking on Gate-Induced Carrier Accumulation in Bilayer MoS2

Mina Maruyama, Kosuke Nagashio, Susumu Okada

ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS 2(5) 1352-1357 2020年5月26日査読有り
Isothermal Growth and Stacking Evolution in Highly Uniform Bernal-Stacked Bilayer Graphene

Pablo Solís-Fernández, Yuri Terao, Kenji Kawahara, Wataru Nishiyama, Teerayut Uwanno, Yung-Chang Lin, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima, Kosuke Nagashio, Hiroki Hibino, Kazu Suenaga, Hiroki Ago

ACS Nano 14(6) 6834-6844 2020年5月18日査読有り
Micrometer-scale monolayer SnS growth by physical vapor deposition

H. Kawamoto, N. Higashitarumizu, N. Nagamura, M. Nakamura, K. Shimamura, N. Ohashi, K. Nagashio

Nanoscale 12(45) 23274-23281 2020年
Quantum-mechanical effect in atomically thin MoS2 FET

Nan Fang, Kosuke Nagashio

2D MATERIALS 7(1) 2020年1月査読有り

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MISC

オペランドX線顕微分光によるグラフェントランジスタの界面電荷分析

永村直佳, 永村直佳, 吹留博一, 長汐晃輔, 尾嶋正治

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年
2次元層状ヘテロFETにおける界面特性制御

長汐晃輔

応用物理 89(3) 139-146 2020年
2次元原子膜応用のためのゲートスタック形成

長汐晃輔

表面科学学術講演会要旨集 37 54-54 2017年
Analytical formulation of interfacial SiO₂ scavenging in HfO₂/SiO₂/Si stacks (シリコン材料・デバイス) -- (先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

李秀妍, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(421) 1-4 2015年1月27日
第一原理計算による二層グラフェンデバイスのキャパシタンスの解析

森雄太郎, 南谷英美, 安藤康伸, 笠松秀輔, 金山薫, 長汐晃介, 渡邉聡

表面科学学術講演会要旨集 35 275-275 2015年
21pPSB-54 理論計算による二層グラフェンデバイスのキャパシタンス解析

森雄太郎, 南谷英美, 安藤康伸, 笠松秀輔, 金山薫, 長汐晃輔, 渡邉聡

日本物理学会講演概要集 70 2580-2580 2015年
9pPSA-144 電場下の二層グラフェンにおける量子キャパシタンスの理論計算(9pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

森雄太郎, 南谷英美, 安藤康伸, 笠松秀輔, 金山薫, 長汐晃輔, 渡邉聡

日本物理学会講演概要集 69(2) 671-671 2014年8月22日
電界印加による2層グラフェンのギャップ形成

長汐晃輔

半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 = Proceedings of Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology 78 77-80 2014年7月17日
依頼講演 VO₂単結晶薄膜中の転移応力制御による急峻な金属絶縁体転移の実現 (シリコン材料・デバイス)

矢嶋赳彬, 二宮裕磨, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88) 65-67 2014年6月19日
招待講演基板からみたGe n-MOSFETsにおける電子移動度の考察 (シリコン材料・デバイス先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

李忠賢, 西村知紀, 田畑俊行, 魯辞莽, 張文峰, 長汐晃輔, 鳥海明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(420) 5-8 2014年1月29日
二層グラフェンのキャパシタンスの第一原理計算

森雄太郎, 南谷英美, 安藤康伸, 金山薫, 笠松秀輔, 長汐晃輔, 渡邉聡

表面科学学術講演会要旨集 34 79-79 2014年
29aXP-6 3次元nanoESCAを用いたグラフェンデバイス構造の実空間界面電子状態分析(29aXP 領域7,領域4合同グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))

永村直佳, 豊田智史, 黒角翔大, 篠原稔宏, 堀場弘司, 尾嶋正治, 井出隆之, 吹留博一, 末光眞希, 長汐晃輔, 島海明

日本物理学会講演概要集 68(1) 961-961 2013年3月26日
3次元NanoESCAによるグラフェンデバイス構造の電子状態解析 II

永村直佳, 永村直佳, 永村直佳, 豊田智史, 豊田智史, 黒角翔大, 篠原稔宏, 堀場弘司, 堀場弘司, 堀場弘司, 尾嶋正治, 尾嶋正治, 尾嶋正治, 井出隆之, 吹留博一, 末光眞希, 長汐晃輔, 鳥海明

日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集 26th 2013年
グラフェンFETの界面電子状態制御に関する3次元nanoESCA空間分析

永村直佳, 堀場弘司, 篠原稔宏, 尾嶋正治, 吹留博一, 末光眞希, 長汐晃輔, 鳥海明

表面科学学術講演会要旨集 33 179-179 2013年
グラフェンFETの可能性と課題

鳥海明, 長汐晃輔

表面科学学術講演会要旨集 33 200-200 2013年
In-situ Observation of Exfoliated-Graphene Transistors by Using 3D Nano ESCA

H. Fukidome, N. Nagamura, K. Horiba, S. Toyoda, S. Kurosumi, T. Shinohara, M. Oshima, M. Suemitsu, K. Nagashio, A. Toriumi

ISSP-LASOR Activity Report 2012 2013年
グラフェンFETの界面に対する理解と制御

長汐晃輔, 鳥海明

電子情報通信学会誌 = The journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 95(4) 284-288 2012年4月1日
3次元nanoESCAによるグラフェンデバイスの界面電子状態解析

永村直佳, 永村直佳, 永村直佳, 堀場弘司, 堀場弘司, 堀場弘司, 豊田智史, 豊田智史, 黒角翔大, 篠原稔宏, 井出隆之, 吹留博一, 末光眞希, 長汐晃輔, 鳥海明, 尾嶋正治, 尾嶋正治, 尾嶋正治

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 73rd 2012年
3次元NanoESCAによるグラフェンの電子状態解析

永村直佳, 永村直佳, 永村直佳, 豊田智史, 豊田智史, 黒角翔大, 篠原稔宏, 堀場弘司, 堀場弘司, 堀場弘司, 尾嶋正治, 尾嶋正治, 尾嶋正治, 井出隆之, 吹留博一, 末光眞希, 長汐晃輔, 鳥海明

日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム予稿集 25th 2012年
3次元nanoESCAを用いたグラフェンデバイス構造の実空間分解界面電子状態分析

永村直佳, 堀場弘司, 豊田智史, 黒角翔大, 篠原稔宏, 井出隆之, 吹留博一, 末光眞希, 長汐晃輔, 鳥海明, 尾嶋正治

表面科学学術講演会要旨集 32 148-148 2012年

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書籍等出版物

グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用 : 世界の動向、CVD合成、転写積層、量子物性、センサ・デバイス、THz応用

吾郷, 浩樹, 斎藤, 理一郎

エヌ・ティー・エス 2020年 (ISBN: 9784860436636)
グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用 : 世界の動向、CVD合成、転写積層、量子物性、センサ・デバイス、THz応用

吾郷, 浩樹, 斎藤, 理一郎 (担当:共著, 範囲:"完全二次元層状ヘテロ2層グラフェントランジスタ", pp. 33-41.)

エヌ・ティー・エス 2020年 (ISBN: 9784860436636)

講演・口頭発表等

109

“Understanding interface properties in 2D heterostructure FETs”,

K, Nagashio

MRS spring meeting 2020, (April, 13-17, Phenix, AZ, USA). 2020年4月13日招待有り
“Room temperature ferroelectricity in monolayer SnS”,

K. Nagashio

“Room temperature ferroelectricity in monolayer SnS”, 4th International Workshop on 2D Materials 2020, (Feb., 26-28, Yonsei University, Seoul, Korea). 2020年2月26日招待有り
”Photoresponse in h-BN encapsulated bilayer graphene field-effect phototransistor”

T. Uwanno, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio

Materials Research Meeting 2019 2019年12月13日
”Direct observation of electron capture & emission processes by the time domain charge pumping measurement of MoS2 FET”

K. Nagashio, K. Taniguchi, N. Fang

Materials Research Meeting 2019 2019年12月13日
Ferroelectricity in monolayer SnS

K. Nagashio

JSPS/EPSRC C2C meeting 2019年11月22日
"Understanding interface properties in 2D heterostructure FETs"

長汐晃輔

2019 Int. Workshop on Dielectric thin films for future electron devices -science and technology -, (Nov. 19, 2019, Tokyo Tech. Tokyo, Japan). 2019年11月19日招待有り
"Full energy spectra of interface states density for n- and p-type MoS2 field effect transistors"

K. Nagashio

Recent Progress in Graphene Research(RPGR) 2019年10月10日招待有り
"High Temperature Retention Study of MoS2/h-BN/MoS2 Hetero-Stack Based Non-Volatile Memory"

T. Sasaki

Recent Progress in Graphene Research(RPGR) 2019年10月9日
"Selection Mechanism of Band Alignment in 2D p+/n Tunnel FET"

K. Nakamura

Recent Progress in Graphene Research(RPGR) 2019年10月8日
"All-2D Flexible Device with Piezoelectric Layered Materials for Highly Sensitive Sensor and Generator Applications"

N. Higashitarumizu

Recent Progress in Graphene Research(RPGR) 2019年10月8日
"2次元層状トランジスタの界面の理解と制御"

長汐晃輔

2019年電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 2019年10月7日招待有り
"Growth and Characterization of High Quality Monolayer SnS"

H. Kawamoto

Recent Progress in Graphene Research(RPGR) 2019年10月7日
"2次元層状SnSの圧電・強誘電特性"

長汐晃輔

第23回VBLシンポジウム ,（2019年10月6日, 名古屋大学 2019年10月6日招待有り
PtS2/WSe2によるp型2D-TFETにおけるBTBT電流の観測

佐藤雄一朗, 中村圭吾, 上野啓司, 長汐晃輔

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月19日
中心対称性の破れた2次元層状物質の圧電特性

東垂水直樹, 川元颯巳, 梅田雅也, 北浦良, 長汐晃輔

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月19日
2次元層状SnSの室温強誘電特性

東垂水直樹, 川元颯巳, 西村知紀, 張文豪, 長汐晃輔

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月19日
MoS2/h-BN/Graphite積層構造による不揮発性メモリデバイスの動作解析

佐々木太郎, 谷口尚, 渡邊賢司, 西村知紀, 長汐晃輔

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月9日
"388 K High Temperature Retention Study of 2D Hetero-stack Based Non- Volatile Memory",

T. Sasaki, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 5, 2019, Nagoya University, Nagoya). 2019年9月5日
"Demonstration of Electromechanical Device Based on 2D Piezoelectric Materials for Nanogenerator Applications"

N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Nagashio

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 5, 2019, Nagoya University, Nagoya). 2019年9月5日
"Band Alignment in Charge- Transfer-Type p+-WSe2/MoS2 Tunnel FET",

K. Nakamura, N. Nagamura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (September. 4, 2019, Nagoya University, Nagoya). 2019年9月4日

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担当経験のある科目(授業)

2017年 - 現在

マテリアル工学実験 (東京大学)
2017年 - 現在

材料速度論 (東京大学)
2007年 - 現在

マテリアル自由研究 (東京大学)
2011年 - 2019年

ナノカーボンマテリアル特論 (東京大学)
2008年 - 2019年

Advanced Materials Engineering (東京大学)
2010年 - 2018年

輸送現象論特論及び演習 (東京大学)
2011年 - 2016年

マテリアル速度論 (東京大学)
2008年 - 2016年

マテリアル数学及び演習 (東京大学)
2011年 - 2012年

マテリアル輪講 (東京大学)
2009年 - 2012年

マテリアル物理及び演習 (東京大学)
2009年 - 2009年

ニューマテリアル特論 (東京大学)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

2Dヘテロ界面特性の理解に基づく2DトンネルFETの構築

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2019年4月 - 2022年3月

長汐晃輔, 吾郷浩樹
グラフェンのテーラーメイド合成とその展開

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2018年4月 - 2022年3月

吾郷浩樹, 長汐晃輔
ナノ発電素子実現のための革新的層状圧電材料の特性実証

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2019年6月 - 2021年3月

長汐晃輔
2次元原子層チャネルにユニバーサルなゲートスタック技術の構築

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2016年4月 - 2019年3月

長汐晃輔
原子層物質の国際的提供と共同研究の推進

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2015年11月 - 2019年3月

齋藤理一郎, 楠美智子, 依光英樹, 長汐晃輔, 長田俊人, 塚越一仁, 上野啓司, 越野幹人, 若林克法, 町田友樹, 坂本良太, 仁科勇太, 柳和宏, 河野行雄
触媒金属蒸気を利用したh-BN上へのグラフェンのCVD直接成長

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2016年4月 - 2018年3月

長汐晃輔
AB積層二層グラフェンの成長技術開発とトランジスタへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2015年4月 - 2018年3月

吾郷浩樹, 水野清義, 長汐晃輔, 日比野浩樹
原子層科学の推進

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2013年6月 - 2018年3月

齋藤理一郎, 長田俊人, 依光英樹, 町田友樹, 楠美智子, 長汐晃輔, 上野啓司, 塚越一仁, 若林克法, 越野幹人
複合原子層の界面特性理解と原子層デバイスへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2013年6月 - 2018年3月

長汐晃輔, 長谷川雅考, 上野啓司, 塚越一仁, 渡邊賢司, 山田貴壽
グラフェンをベースとしたホットエレクトロントランジスタの電流利得向上

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2014年4月 - 2016年3月

長汐晃輔
状態密度の大きく異なるグラフェン・金属界面での電流注入の理解と制御

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 2012年4月 - 2015年3月

長汐晃輔
触媒金属のクロライド化除去によるＣＶＤグラフェンの高移動度化

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2012年4月 - 2014年3月

長汐晃輔
外部電場バンドギャップエンジニアリングによる2層グラフェンの電気的オフの実現

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2009年 - 2010年

長汐晃輔
Cо系過冷融液の磁気特性

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2007年 - 2009年

稲富裕光, 栗林一彦, 長汐晃輔, 樋口健介
赤外線カメラを用いたメルトスピンによる急速凝固過程の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 2006年 - 2008年

長汐晃輔
ソーラーセル用完全軸対称シリコンティアドロップ結晶の製造

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2006年 - 2008年

栗林一彦, 長汐晃輔, 野崎潔
electric transport of graphene FET and its application for H2 sensor

2007年
準安定相の生成・分解を利用したNd-Fe-Bナノコンポジット磁石の創成

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2005年 - 2006年

栗林一彦, 長汐晃輔, 小澤俊平
ゲルマニウムおよびシリコン過冷却融液における熱・物質の輸送特性

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2004年 - 2006年

稲富裕光, 栗林一彦, 長汐晃輔
大過冷を利用した新しい非線形光学材料創成プロセスの提案

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2004年 - 2005年

長汐晃輔, 栗林一彦

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論文

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書籍等出版物

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

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