二層グラフェンに電場を印加するとバンドギャップが開く。この特性はスイッチングデバイスに応用できると期待され、盛んに研究されている。しかし、電場印加による量子キャパシタンスの変化の測定結果は、物理的な意味がまだ理解できていない。そこで本研究では、第一原理計算によって電子状態を解析し、キャパシタンスを議論する。