本研究では中心対称性の破れた2次元材料の特性である圧電性を有するSnSを研究対象とした．成長中の原料供給と結晶表面からのSnS脱離のバランスを制御することで，マイカ基板上に0.8 nm厚さの単層SnSの成長に成功した．また．ひずみ印加機構を構築し，SnSの電気特性におけるひずみ応答から圧抵抗効果を検証した．圧縮および引張に対して抵抗値の減少と増加がそれぞれ観察され，圧抵抗効果を観測した．