2015年4月 - 2018年3月
AB積層二層グラフェンの成長技術開発とトランジスタへの応用
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
究極的な二次元原子膜材料であるグラフェンは、高いキャリア移動度や機械的柔軟性、光透過性などを有し、今後のIoT社会にとって極めて有望な材料である。本研究では半導体応用等に有用な二層グラフェンを、化学蒸着法によって均一、かつ大面積・高品質に合成する手法の開発に成功した。さらに、層間への分子挿入などにより電気特性を向上させ、太陽電池をはじめとした応用研究も推進することができた。
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- 課題番号 : 15H03530
- 体系的課題番号 : JP15H03530