中田穣治 (Nakata Jyoji) - マイポータル

基本情報

所属: 神奈川大学理学部数理・物理学科教授

学位: 理学博士(東京大学)
理学修士(東京大学大学院)
理学学士(東京大学)

研究者番号: 90333145
J-GLOBAL ID: 200901097058321585
researchmap会員ID: 1000316427

外部リンク: https://www.sci.kanagawa-u.ac.jp/math-phys/jyojin/

研究キーワード

研究分野

経歴

2003年4月 - 2015年3月

神奈川大学理学研究科（兼担）教授情報科学専攻専攻主任
2012年4月 - 2014年3月

神奈川大学理学部数理・物理学科学科主任
2001年4月 - 2002年3月

独立行政法人産業技術総合研究所客員研究員
1999年6月 - 2001年3月

通産省電子技術総合研究所客員研究員
1996年7月 - 1999年3月

日本電信電話株式会社基礎研究所先端デバイス研究部
1992年4月 - 1997年3月

明治大学理工学部非常勤講師
1987年4月 - 1996年6月

日本電信電話公社 LSI研究所主幹研究員
1986年11月 - 1987年3月

日本電信電話公社 LSI研究所主任研究員
1985年2月 - 1986年10月

日本電信電話公社 LSI研究所集積加工研究部
1982年6月 - 1985年1月

日本電信電話公社厚木電気通信研究所開設準備室調査員
1978年10月 - 1982年5月

日本電信電話公社研究主任
1976年4月 - 1978年9月

日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所集積回路研究部

学歴

1974年4月 - 1976年3月

東京大学大学院, 理学系研究科, 物理学専門課程
1970年4月 - 1974年3月

東京大学, 理学部, 物理学科

委員歴

2015年4月 - 現在

萬谷記念かながわ奨学基金選考委員, 選考委員
1999年4月 - 現在

学協会「ニューダイヤモンドフォーラム」, 会員
2004年4月 - 2006年3月

応用物理学会, 代議員
1998年7月 - 1999年6月

法令検討委員会, 委員
1996年6月 - 1998年6月

法令検討委員会, 委員長
1996年6月 - 1998年6月

主任者部会本部運営委員会, 委員
1994年1月 - 1996年5月

日本アイソトープ協会、放射線取扱主任者部会、法令検討委員会, 副委員長

受賞

1989年10月

研究開発本部長報道特別賞 [同上]
1989年10月

NTT社長表彰 [産業用超電導小型電子蓄積リング（小型SOR）開発]

論文

167

The remarkable p-type carrier transport induced by 1000C B and C ion implantation into the IIa diamond substrates followed by 1150C annealing

Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, yoji Nakata

Abstracts of 29-th International Conference of Diamond and Carbon Materials 2018年9月査読有り
n-型ダイヤモンド半導体へのオーミック電極構造形成法の研究(1)

中田穣治, 新井健, 佐藤秀人, 関裕平, 内藤隆平, 星野靖

神奈川大学理学誌 29 19-32 2018年7月
The epitaxial growth of deposited amorphous Si layer on hydrogen-terminated surfaces using ion beam mixing

G. Yachida, Y. Hoshino, K. Inoue, J. Nakata

Abstracts of International Conference on IBMM 2018 2018年6月査読有り
The RBS analysis for a thin amorphous Si layer formed on clean and H-terminated Si(001) surfaces followed by medium-energy IBIEC treatments

G. Yachida, K. Inoue, Y. Hoshino, J. Nakata

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B 2018年5月査読有り
SIMPLIFICATION OF OHMIC ELECTRODE STRUCTURE ON n-TYPE DIAMOND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE BY Ar ION IMPLANTATION

Ryuhei Naito, Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, Yasunao Saito, Jyoji Nakata

Proceedings of the 36-th symposium on ion beam technology Hosei University, December13,2017 75-78 2018年3月
PREPARATION OF SAMPLE FOR STM LUMINESCENCE SPECTROSCOPY OF SINGLE SiC NANOCRYSTAL USING CT PROBE

Yu Soga, Yasushi Hoshino, Yasunao Saito, yoji Nakata

Proceedings of the 36-th symposium on ion beam technology Hosei University, December 13,2017 71-74 2018年3月
Oxygen ion implantation into the crystalline (001)Si substrates through the patterned SiO2 structures -Evaluation of surface morphology-

Taiga Toyohara, Shun Kikuchi, Yutaro Tuyama, Kenta Mata, Gosuke Yachida, Yasushi Hoshino, Yasunao Saito, yoji Nakata

Proceedings of the 36-th symposium on ion beam technology Hosei University, December 13,2017 79-82 2018年3月
INVESTIGATION OF HOMOEPITAXIAL Si GROWTH DEPOSITED BY ELECTRON BOMBARDMENT ONTO THE Si (100) SUBSTRATE (II)

Kodai Inoue, Gosuke Yachida, Yasushi Hoshino, Yasunao Saito, Jyoji Nakata

Proceedings of the 36-th symposium on ion beam technology Hosei University, December 13,2016 83-86 2018年3月
Depth profiling of interfacial fluctuation with nanometer order in ultrathin silicon-on-insulator structure by classical Rutherford backscattering using 10B ions

Y. Hoshino, T. Toyohara, S. Takada, G. Yachida, J. Nakata

Nuclear Instrum. & Methods in Physics Research B 2018年3月査読有り
パタン化されたSOI構造形成に向けた電子衝突蒸着Si層のホモエピタキシャル成長条件の検討

井上航大, 谷地田剛介, 星野靖, 斎藤保直, 中田穣治

第36回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム予稿集 32-32 2017年12月
The RBS analysis for a thin amorphous Si layer formed on clean and H-terminated Si(001) surfaces followed by medium-energy IBIEC treatments

G. Yachida, Y. Hoshino, K. Inoue, J. Nakata

Abstracts of 18-th special conference on surface and interface analysis by ion beam 18-18 2017年12月
Si基板上に形成されたパタンSiO2膜をマスクにした酸素イオン注入 ― 基板表面モホロジーの評価 ―

豊原太雅, 菊地隼, 津山優太郎, 又健太, 谷地田剛介, 星野靖, 斎藤保直, 中田穣治

第36回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム予稿集 31-31 2017年12月
SiC単結晶基板の酸素イオン注入による埋込絶縁層の形成

高田慎之介, 星野靖, 中田穣治

第36回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム予稿集 29-29 2017年12月
n型ダイヤモンド半導体基板におけるオーミック電極構造の簡略化

内藤隆平, 関裕平, 星野靖, 斎藤保直, 中田穣治

第36回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム予稿集 30-30 2017年12月
CTプローブを用いた単一SiC微結晶のSTM発光分光のための試料作製

曽我優, 星野靖, 斎藤保直, 中田穣治

第36回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム予稿集 28-28 2017年12月
1000°C高温イオン注入したIIaダイヤモンド基板の1150°C熱処理後の著しい電気特性改善

関裕平, 星野靖, 中田穣治

2017年ダイヤモンドシンポジウム予稿集 2017年11月
The RBS analysis for a thin amorphous Si layer formed on clean and H-terminated Si(001) surfaces followed by medium-energy IBIEC treatments

G. Yachida, Y. Hoshino, K. Inoue, J. Nakata

Abstracts of 23rd International Conference on Ion Beam Analysis IBA-2017 191 2017年10月査読有り
Depth profiling of interfacial fluctuation with nanometer order in ultrathin silicon-on-insulator structure by classical Rutherford backscattering using 10B ions

Y. Hoshino, T. Toyohara, S. Takada, G. Yachida, J. Nakata

192-192 2017年10月査読有り
Substrate temperatures dependence during B+-implantation for electrical and optical properties in forming p-type diamond

Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, Jyoji Nakata, Department of Mathematics, Physics, Kanagawa Universi

Abstracts of 28-th International Conference of Diamond and Carbon Materials 2017年9月査読有り
MeV級イオン照射による新しいSOI構造形成法の研究 ---超高真空中における電子衝撃(EB)加熱型蒸着法による非晶質Si層形成の検討---

中田穣治, 井上航大, 谷地田剛介, 栗田紳平, 斎藤保直, 村下達, 星野靖

Science Journal of Kanagawa University 28(1) 19-29 2017年7月

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書籍等出版物

半導体用語辞典

中田穣治 (担当:共著)

日刊工業新聞社 1999年3月

講演・口頭発表等

Bイオンを用いたMeV級古典RBS法によるナノメートルオーダ界面揺らぎの定量解析

星野靖, 豊原太雅, 高田慎之介, 谷地田剛介, 中田穣治

日本物理学会2017年秋季大会 2017年9月23日日本物理学会
清浄および水素終端化Si(001)表面上に形成した極薄非晶質Si層の中エネルギーIBIECによる再結晶化レートと界面水素量依存性

谷地田剛介, 井上航大, 星野靖, 中田穣治

第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月7日応用物理学会
真空一貫プロセスによる CNT 成長用 Co ナノ粒子形成法の研究

桑田大輔, 竹山隆之介, 中野博貴, 知念優弥, 星野靖, 斎藤保直, 中田穣治

応用物理学会 2015年3月
Arイオン照射によるダイヤモンド半導体用オーミック電極の形成

関裕平, 星野靖, 斎藤保直, 中田穣治

応用物理学会 2015年3月
Ｓｉ基板中への高温酸素イオン注入により形成したＳＯＩ構造の評価

神川智洋, 星野靖, 斎藤保直, 中田穣治

応用物理学会 2014年9月
マイクロ波プラズマによるイオン注入形成クラスターからの低温成長

谷地田剛介, 刈部美里, 星野靖, 斎藤保直, 中田穣治

応用物理学会 2012年3月
高温Fe イオン注入形成微粒子からのマイクロ波プラズマCVD による単層カーボンナノチューブ成長

星野靖, 有馬広記, 斎藤保直, 中田穣治

日本物理学会 2011年9月
「SiO2/Si膜中へイオン注入されたFeの拡散・反応過程の研究」

横山愛, 星野靖, 斎藤保直, 中田穣治

日本物理学会 2011年9月
「高温イオン注入によるSiO2/Si界面へのCoクラスターの形成と評価及びCVD法によるカーボンナノチューブ成長」

横山愛, 星野靖, 有馬広記, 斎藤保直, 中田穣治

応用物理学会 2011年8月
SiO2膜中への高温イオン注入により形成した Feナノ微粒子からの単層カーボンナノチューブ成長

星野靖, 有馬広記, 横山愛, 斎藤保直, 中田穣治

応用物理学会 2011年8月
高温イオン注入によるSiO2/Si界面へのFeクラスター形成と評価の研究 Characterization of Fe clusters near the SiO2/Si interface formed by hot ion implantation

星野靖, 有馬広記, 斎藤保直, 中田穣治

応用物理学会 2010年9月
ホットイオン注入形成微粒子を種触媒とするCNT生成法の研究 Research on CNT growth from hot ion-implantation-formed clusters

有馬広記, 星野靖, 斎藤保直, 中田穣治

応用物理学会 2010年9月
ホットイオン注入形成Fe微結晶粒子を種触媒とするCNT生成法の研究

有馬広記, 星野靖, 斎藤保直, 中田穣治

応用物理学会 2010年3月
ダイヤモンド基板上に形成したAu/TiおよびAu/Pt/Ti膜のRBS分析

星野靖, 加藤健一, 斎藤保直, 中田穣治

応用物理学会 2010年3月
『MeV級イオンビーム照射によるPイオン注入高品質CVDダイヤモンド層の電気的活性化』

中田穣治, 李, 山中, 竹内, 大串, 長谷川, 小倉, 小林

応用物理学会 2000年9月
『イオンビーム誘起結晶成長の特徴とダイヤモンドへの応用』

中田穣治

応用物理学会 1999年3月
『非晶質C層のMeV級イオンビーム照射によるダイヤモンドエピタキシャル成長』

中田穣治

応用物理学会 1998年9月
『RBS測定による高温高圧合成ダイヤモンド基板の結晶性と不純物の評価』

中田穣治

応用物理学会 1998年9月
『Arイオン注入Siの昇温脱離信号と非晶質Si内Ar分布変化との関係』

中田穣治, 薮本

応用物理学会 1998年9月
『イオン照射に伴う電子的非弾性散乱による非晶質Si層界面酸素の増速拡散と非晶質Si層の増速単結晶化』

中田穣治

応用物理学会 1997年10月

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

電子ビーム露光装置を利用したカイラリティー制御カーボンナノチューブ形成法の研究

東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター 2008年11月 - 2009年3月

産業財産権

特許第548306号カーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、カーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法

中田穣治
特願2009-200704 カーボンナノチューブ製造用基材の製造方法、カーボンナノチューブの製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法

中田穣治
特願平11-345410 アニ―ル法

中田穣治, 小林, 長谷川, 小倉, 大串, 竹内
特願平9-76957 堆積非晶質Si層のエピタキシャル単結晶化法

中田穣治
特願平9-62885 '非晶質Si層の低温単結晶化法

中田穣治
特願平8-239445 薄膜太陽電池の製造方法

中田穣治, 西岡, 山田巧, 川上剛司, 山田武
特願平6-124917 金属シリサイド薄膜の形成法

中田穣治, 山口
特願平5-1329368 薄膜形成法

中田穣治, 今井
特許第4996496号 Bending Magnet

Bending Magnet, J.Nakata, Y.Uno, M.Kitamura, T.Kobayashi, S.Kakiuchi, K.Yamaguchi, H.Tomeoku
特許第306966号 Bending Magnet

J.Nakata, Y.Uno, M.Kitamura, T.Kobayashi, S.Kakiuchi, K.Yamaguchi, H.Tomeoku
特許第296587号 Bending Magnet

J.Nakata, M.Nakajima, NTT, K.Tsumaki, M.Nishi
特許第296587号 Bending Magnet

J.Nakata, M.Nakajima, K.Tsumaki, M.Nishi
特願平4-1587385 イオンビーム分析法

中田穣治
特願平3-324348 酸化防止法

酸化防止法, 中田穣治, 柴田, 名西, 本, 特願
特願平3-181185 'ビームアニール法

ビームアニール法
特願平1-202928 磁界型偏向器

磁界型偏向器, 中田穣治, 北山, 宇野, 中島, 早坂, 川, 特願
特願昭62-303143 荷電粒子蓄積リング

荷電粒子蓄積リング(中田穣治, 妻木, 中島
特願昭62-303142 荷電粒子蓄積リング

荷電粒子蓄積リング(中田穣治, 妻木, 中島
特許第2064061号偏向電磁石

偏向電磁石, 中田穣治, 宇野, 北村, 小林, 垣内, 山口)\underline
特許第2044351号補正コイル付き偏向電磁石

補正コイル付き偏向電磁石, 中田穣治)\underline

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学術貢献活動

ICCF（Inter-City Communication Forum）という郵政省外郭団体からサポートを受け、『ビーム照射による新物質創製に関する研究会』を主催した。（至平成9年6月）

1996年7月 - 1997年6月

社会貢献活動

東京工業大学大岡山キャンパスへ2.5-MeV Van-de-Graaff型加速器システムの移設完了

2003年10月 - 2011年10月
東京工業大学大岡山キャンパスへ2.5-MeV Van-de-Graaff型加速器システムの一部移設

2003年5月 - 2011年10月
横浜パシフィコにおける展示

2004年3月 - 2005年3月
神奈川新聞から神奈川大学中田研究室における研究内容について取材を受ける

2005年1月
神奈川大学横浜キャンパスにおいて、初めて応用物理学会を開催すべく、現地副実行委員長として尽力した。

2002年4月 - 2003年3月
横浜パシフィコにおける、横浜テクニカルショウにおいて神奈川大学・理学部から「ダイヤモンド半導体」を展示。

2000年2月
日本アイソトープ協会からＮＴＴ厚木研究開発センタでの放射線関連研究施設の取材を受ける

1998年12月