本研究室では、高品質高温高圧合成ダイヤモンド半導体基板、あるいはCVDダイヤモンド薄膜に高温でドーパントをイオン注入することで、電気的に活性化させることを最終目的としている。その前段階として本研究では、ダイヤモンド半導体の電気特性評価に必須である、オーミック電極構造について検討した。特にn型ダイヤモンドにおいては、有効なオーミック電極構造は発見されていない。これまでの研究から、n型ダイヤモンドIb基板に対して、Ti照射により形成したGraphite like carbon(GLC) とTiCが混在した、Au/Pt/GLC&TiC (300/50/≈100 nm)の3層電極構造でオーミック特性が得られることを確認している。今回は、更に電極構造の簡略化を目指して研究を行った。