GaAs基板上に自己組織的に成長するInAs量子ドット(QD)を用いて、光コヒーレンストモグラフィー(OCT)の光源として有用な近赤外広帯域光源の開発を行った。InAs-QDは生体透過性の高い発光波長(1.2-1.3ミクロン)を有し、また、一定のサイズ分布による広帯域発光というOCT光源として有用な特長をもつ。我々は、このInAs-QDの発光中心波長を制御し基板上に複数モノリシックに成長させるという独自手法により、従来光源よりも広帯域(約160nm)かつスペクトル形状制御可能な光源作製に成功した。この成果は、OCTの更なる性能向上に寄与する新規光源への応用が期待される。