青柳克信 (Yoshinobu Aoyagi) - マイポータル

基本情報

所属: 立命館大学総合科学技術研究機構上席研究員
: (兼任)総合科学技術研究機構先端マイクロ・ナノシステム技術研究センター
: (兼任)総合科学技術研究機構 SRセンター

学位: 工学博士(大阪大学)

J-GLOBAL ID: 200901091255681862
researchmap会員ID: 1000321734

研究キーワード

ナノエレクトロニクス、環境エレクトロニクス、窒化物半導体、２光束その場観測法、量子ドット、交互供給コドーピング法、縦型構造深紫外半導体発光素子、殺菌、水浄化、難分解性分子分解、神経情報伝達制御、３端子制御

研究分野

経歴

2000年4月 - 2008年3月

東京工業大学・教授
2007年4月

立命館大学・特別招聘教授
1988年7月 - 2003年3月

理化学研究所・主任研究員
1992年4月 - 1997年3月

東京理科大学理工学部教授兼務
1995年4月 - 1996年4月

北海道大学量子海面研究センター客員教授兼務
1992年10月 - 1993年9月

ルンド大学（スエーデン）材料物理学部客員教授兼務
1992年4月

東洋大学客員教授兼務
1989年4月 - 1992年3月

大阪大学極限物質センター客員教授兼務
1985年7月 - 1988年6月

理化学研究所・副主任研究員
1972年4月 - 1985年6月

理化学研究所半導体工学研究所・研究員
1970年

日本学術振興会・研究員

学歴

委員歴

2010年3月 - 2013年4月

日本ナノ学会理事
1988年4月 - 2013年3月

米国物理学会(AIP)
2009年4月

戦力的国際科学技術協力推進事業評価委員（スペイン）
2007年4月 - 2009年3月

戦力的国際科学技術協力推進事業評価委員（ドイツ）
2008年4月

日本物理・応物系学術誌刊行センターセンター長
2008年4月

日本学術振興会協力会評議委員
2007年4月 - 2008年3月

IPAP（日本物理・応物系学術誌刊行会）副理事長
2007年4月 - 2008年3月

日本科学技術振興機構特任フェロー
2007年10月

国際ナノアーキテクトロニクス研究拠点評価委員
2002年4月 - 2007年3月

Editor in chief of “Materials Science and Technology B”
2006年4月

ナノ電子材料物性国際会議組織委員長
2003年4月 - 2006年3月

電子材料シンポジウム組織委員長
1997年4月 - 2005年3月

レーザー学会理事
1999年10月 - 2004年9月

日本学術振興会戦略的創造研究「量子相関のダイナミクス制御」プロジェクトリーダー
2004年4月

（独）科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業「高度情報処理・通信の実現に向けたナノファクトリーとプロセス観測」領域領域アドバイザー
2003年4月

（独）科学技術振興機構さきがけ研究「ナノと物性」領域領域アドバイザー
2002年4月 - 2003年3月

固体素子・材料国際会議論文委員長
2002年4月 - 2003年3月

科学・技術審議会技術・研究基盤部会産学官連携推進委員会利益相反ワーキンググループ委員
2000年4月 - 2002年3月

マイクロプロセス国際会議実行委員長
1998年4月 - 2002年3月

Editor in chief of “Micoroelectronic Engineering”

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受賞

2007年9月

応用物理学会論文賞, 応用物理学会
2007年8月

応用物理学会フェロー表彰, 応用物理学会
2002年12月

マイクロプロセス国際学会Best Paper Award, マイクロプロセス国際会議組織委員会
1997年4月

科学技術長官賞, 科学技術庁
1995年8月

応用物理学会賞, 応用物理学会
1993年6月

全国発明表彰特別賞弁理士会長賞, 日本発明協会
1991年4月

市村学術賞特別賞, 市村財団
1983年3月

大河内記念技術賞, 大河内記念財団

論文

498

A 2-inch, large-size deep ultraviolet light-emitting device using dynamically controlled micro-plasma-excited AlGaN

Y. Aoyagi, N. Kurose

Applied Physics Letters 102(4) 041114-1-041114-3 2013年
High-sensitivity ozone sensing using 280nm deep ultraviolet light-emitting diode for depletion of natural hazard ozone

Y. Aoyagi, M. Takeuchi, K. Yoshida, M. Kurouchi, Y. Nanishi, H. Sugano, Y. Ahiko, H. Nakamura

Journal of Environmental Protection 3(8) 695-699 2012年8月
Control of neural signal propagation in neuron by three therminal electrodes method

Y. Aoyagi, M. Yano-Mitsui, T. Miyadera, K. Tsukagoshi, H. Kamiguchi

Elec. Letters 48(18) 1093-1095 2012年8月
Formation of AlGaN and GaN epitaxial layer with high p-carrier concentration by pulse supply of source gases

Yoshinobu Aoyagi, Misaichi Takeuchi, Sohachi Iwai, Hideki Hirayama

AIP ADVANCES 2(1) 0012177-0012183 2012年3月
High hole carrier concentration realized by alternative co-doping technique in metal organic chemical vapor deposition

Yoshinobu Aoyagi, Misaichi Takeuchi, Sohachi Iwai, Hideki Hirayama

APPLIED PHYSICS LETTERS 99(11) 112110 2011年9月
Inactivation of bacterial viruses in waterusing deep ultraviolet semiconductor light-emitting diode

Y. Aoyagi, M. Tgakeuchi, K.Yoshida, M. Kurouchi, N. Yasui, N. Kamiko, T. Araki, Y. Nanishi

J.Environmental Engineering 137(12) 1215-1218 2011年
Anisotropic transport in graphene on SiC substrate with periodic nanofacets

S.Odaka, H. Miyazaki, S-L. Li, A. Kanda, K. Morita, S. Tanaka, Y. Miyata, H.Kataura, K. Tsukagoshi, Y. Aoyagi

Appl. Phys. Letters 96 062111-1--062111-3 2010年
AlN/AlGaN short-period super-lattice sacrificial layers in laser lift-off for vertical-type AlGaN-Base deep ultraviolet light emitting diodes

M. Takeuchi, T. Maegawa, H. Shimizu, S. Ooishi, T. Ohtsuka, Y. Aoyagi

Appl. Phys. Letters 94 061117-1-061117-3 2009年
Surface selective deposition of molecular semiconductors for solution-based integration of organic field-effect transistors,

T.Minari, M.Kano, T.Miyadera, S.D.Wang, Y.Aoyagi, K.Tsukagoshi

Applied Physics Letters 94(9) 093307-1-093307-3 2009年
AlGaN channel HEMT's on AlN buffer layer with sufficiently low off-state drain leakage current

T. Nanjo, M. Takeuchi, A. Imai, M. Suita, T. Oishi, Y. Abe, E. Yagyu, T. Kurata, Y. Tokuda, Y. Aoyagi

Electron. Letters 45 1349 2009年
Direct determination of photonic band structure for waveguiding modes in two-dimensional photonic crystals

Inoue, Shin-ichiro, Yokoyama, Shiyoshi, Aoyagi, Yoshinobu

OPTICS EXPRESS 16(4) 2461-2468 2008年2月
Selective organization of solution-processed organic field-effect transistors

T. Minari, M. Kano, T.MIyadera, S.D. Wang, Y. Aoyagi, M.Seto, T. Nemoto, SA. Isoda, K. Tsukagoshi

Appl. Phys. Letters 92 173301-1-173301-3 2008年
Correlation between grain size and device parameters in pentacene thin film transistors

S.D.Wang, T. Miyadera, T.Minari, Y. Aoyagi, K. Tsukagoshi

Appl. Phys. Letters 93 043311-1-043311-3 2008年
Bias stress instability in pentacene thin film transistors: contact resistance chargeand channel threshod voltage shift

S.D.Wang, T. Minari, T. Miyadera, Y. Aoyagi, K. Tsukagoshi

Appl. Phys. Letters 94 063305-1-063305-3 2008年
Charage trapping induced current instability in pentacene thin film transistors: Trapping barrier and effect of surface treatment

T.Miyadera, S.D.Wang, K. Tsukagoshi, Y. Aoyagi

Appl. Phys. Letters 93 033304-1-033304-3 2008年
Coulomb blockade oscillations in patterned ultrathin craphite films

S.Odaka, H. Miyazaki, T. Moriki, T.Sato, A. Kanda, K. Tsukagoshi, Y. Ootuka, Y. Aoyagi

Jpn. J. Appl. Phys. 47(1) 697-699 2008年
Excitation-density dependence of photoluminescence from Si-doped AlGaN/AlGaN multiple quantum wells at low temperature

Y. Kajitani, M. Takeuchi, Y. Aoyagi

Jpn. J. Appl. Phys. 47(1) 47-50 2008年
Remarkable breakdown voltage enhancement in AlGaN channel high electron mobility transistors

T.Nanjo, M. Takeuchi, M.Suita, T.Oisi. Y. Abe, Y.Tokuda, Y. Aoyagi

Appl. Phys. Letters 92 263502-1-263502-3 2008年
First Operation of AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors

T. Nanjo, M. Takeuchi, M. Suita, T. Oishi, Y. Tokuda, Y. Aoyagi

Appl. Phys. Express 1 011101-1-011101-3 2008年
Quasi-periodic coulomb blockade oscilations in a single-wall carbon nanotube bundle

K. Tsukagoshi, S. Uryu, Y. Aoyagi

Solid State Phenom. 121 537-540 2007年

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書籍等出版物

Optical Properties of Advanced Materials

Yoshinobu Aoyagi, Kotaro Kajikawa

Springer 2012年6月 (ISBN: 9783642335266)
基礎からわかるナノデバイス

青柳克信, 石橋幸治, 高柳英明, 中ノ勇人, 平山祥郎

コロナ社 2011年3月
先端材料光物性

青柳克信, 南不二雄, 吉野淳二, 梶川浩太郎

コロナ社 2008年2月
ナノテクノロジーハンドブック

難波進, 青柳克信, 石原直, 横山直樹, 庄子習一, その他

オーム社 2003年5月
自己組織化プロセス技術

村田好正, 青柳克信, その他

培風館 1999年7月
ナノスペースの不思議な世界

高木宣一, 青柳克信, その他

工業調査会 1997年5月
Atomic Layer Epitaxy

M. Ozeki, A. Usui, Y. Aoyagi, J. Nishizawa

North-Holland 1994年5月
Microcrystalline Semiconductors: Materials Science and Devices

P.M.Fauchet, C.C.Tsai, L. T. Canham, I. Shimizu, Y. Aoyagi

Material Research Society 1992年3月
Low Temperature Epitaxial Growth of Semiconductors

Takashi Hariu, Yoshinobu Aoyagi

World Scientific Publishing Co. Ltd. 1991年4月
Atomic Layer Growth and Processing

T.F. Kuech, P.D. Dapkus, Y. Aoyagi

Material Research Society 1991年3月

講演・口頭発表等

Large area micro-plasma exited AlGaN deep ultravioket light emitter

International Display Workshop 2012年12月4日
Development of new deep ultra-violet light emitter using micro-plasma excitation of AlGaN and its application

ICNMS2012 2012年12月1日
Development of large area micro-plasma-excited AlGaN deep ultraviolet light device (MIPE) for disinfection of water

Water Contamination Emergency Conference 5 2012年11月19日
Two inch large area DUV AlGaN light emitter using micro-plasma excitation

Iinternational Workshop on Nitride Semiconductors 2012年10月16日
高出力大面積マイクロプラズマ励起AlGaN 深紫外発光素子の開発

第７３回応用物理学会学術講演会 2012年9月11日
Development of new deep ultra-violet light emitter using micro-plasma excitation of AlGaN and its application

International Symposium on GaN related compounds 2012年7月16日
深紫外線LEDを用いた水の消毒

第57回応用物理学関係連合講演会 2010年3月
AlNボイド形成法によるSi基板上へのクラックフリーAlGaN層成長

第57回応用物理学関係連合講演会 2010年3月
General welcome talk

Int. Symp. on Advanced Nanodevices and Nanotechnollogy 2009年12月
Fabrication of Nonlinear Photonic Crystals and its Application to All Optical Switching

Int. Cof. On Display 2009年12月
Development of high power deep ultraviolet semiconductor light emitting diodes and their application to new water purification system

Symp. Global Water Issues and Nanotechnology 2009年12月
非線形フォトニック結晶の作製とその応用

静岡大学特別講演 2009年12月
ナノテクノロジーを用いた深紫外光の発生

東京大学特別講演 2009年11月
Investigation of AlN MOCVD growth by two-light-beam in-situ monitoring system

The 8th International Conference on Nitride Semiconductors 2009年10月
Drivability Enhancement of AlGaN Channel HEMTs

The 8th International Conference on Nitride Semiconductors 2009年10月
高出力深紫外縦型半導体発光素子の開発と水浄化への応用

第１２回日本水環境学会シンポジウム 2009年10月
“AlN～AlGaN MOCVD成長その場観察-縦型深紫外発光素子実現にむけて-

第１回窒化物半導体結晶成長講演会 2009年9月
AlN MOCVD成長の二光束成長その場観察

秋季第70回応用物理学会学術講演会 2009年9月
AlGaN 量子井戸構造に対するⅢ族元素を用いたポストアニール効果

秋季第70回応用物理学会学術講演会 2009年9月
超格子はく離層を用いた AlGaN 系レーザリフトオフ法によるダメージの評価

秋季第70回応用物理学会学術講演会 2009年9月

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

ナノテクノロジーを用いた高効率、高出力縦型深紫外発光素子の開発とその環境、バイオ、計測への応用

文部科学省知的クラスター創成事業 2008年 - 2012年
高出力深紫外半導体発光素子の開発

独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構・大学発事業創出実用化研究開発事業助成金 2009年 - 2010年
量子相関機能のダイナミクスに関する研究

科学技術振興事業団戦略的基礎研究推進事業（ＣＲＥＳＴ） 1999年 - 2003年
人工ナノ構造の機能探索

科学技術振興事業団戦略的基礎研究推進事業（ＣＲＥＳＴ） 1995年 - 1998年

産業財産権

191

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