金崎順一 (Junichi Kanasaki) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪公立大学大学院工学研究科教授

学位: 博士(理学)

J-GLOBAL ID: 200901055955050794
researchmap会員ID: 1000322640

研究キーワード

研究分野

経歴

2022年4月 - 現在

大阪公立大学大学院, 工学研究科機械系専攻, 教授
2019年4月 - 2022年3月

大阪市立大学大学院, 工学研究科, 教授
2009年4月 - 2019年3月

大阪大学, 産業科学研究所, 准教授
2007年4月 - 2009年3月

大阪大学, 産業科学研究所産業科学ナノテクノロジーセンター, 准教授
2004年9月 - 2007年3月

大阪大学, 産業科学研究所産業科学ナノテクノロジーセンター, 助教授
1999年9月 - 2004年8月

大阪市立大学, 工学部, 助教授
2003年

阪大産業科学ナノテクノロジーセンター客員助教授
1988年 - 1999年

名古屋大学理学部・助手

学歴

論文

Optical film-thinning of few-layer graphene epitaxially grown on 4H-SiC(0001) surface : Robustness of monolayer-graphene against the photoexcitation

Ryosuke Horie, Ryuichi Hirosue, Jun'ichi Kanasaki, Kenji Kisoda, Isamu Yamamoto, Junpei Azuma, Kazutoshi Takahashi

Journal of Physics: Condensed Matter 35(19) 195401-1-7 2023年2月28日査読有り責任著者
Surface exciton formation on InP(110)-(1x1) studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy

Hiroshi Tanimura, Katsumi Tanimura, Jun'ichi Kanasaki

Physical Review B 107(7) 075304-1-10 2023年2月23日査読有り最終著者
Ultrafast dynamics of photoinjected electrons at the nonthermal regime in the intra-<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"><mml:mi mathvariant="normal">Γ</mml:mi></mml:math>-valley relaxation in InP studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy

Katsumi Tanimura, Hiroshi Tanimura, Jun'ichi Kanasaki

Physical Review B 106(12) 2022年9月16日査読有り
Ultrafast relaxation of photoinjected nonthermal electrons in the Γ valley of GaAs studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy

Hiroshi Tanimura, Katsumi Tanimura, Jun'ichi Kanasaki

Physical Review B 104(24) 2021年12月2日査読有り
Ultrafast relaxation dynamics of highly excited hot electrons in silicon

Hiroshi Tanimura, Jun'ichi Kanasaki, Katsumi Tanimura, Jelena Sjakste, Nathalie Vast

PHYSICAL REVIEW B 100(3) 035201-1-035201-13 2019年7月査読有り
Energy relaxation mechanism of hot-electron ensembles in GaAs: Theoretical and experimental study of its temperature dependence

Jelena Sjakste, Nathalie Vast, Giuliana Barbarino, Matteo Calandra, Francesco Mauri, Junichi Kanasaki, Hiroshi Tanimura, Katsumi Tanimura

PHYSICAL REVIEW B 97(6) 064302-1-064302-9 2018年2月査読有り
Ultrafast dynamics in photoexcited valence-band states of Si studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy of bulk direct transitions

Jun'ichi Kanasaki, Hiroshi Tanimura, Katsumi Tanimura, Philip Ries, Wolfgang Heckel, Kerstin Biedermann, Thomas Fauster

PHYSICAL REVIEW B 97(3) 035201-1-035201-6 2018年1月査読有り筆頭著者
Electronic structure of the surface unoccupied band of Ge(001)-c(4 x 2): Direct imaging of surface electron relaxation pathways

J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma, S. Fukatsu

PHYSICAL REVIEW B 96(11) 115301-1-115301-7 2017年9月査読有り筆頭著者
Comparison of Electronic-Excitation-Induced Structural Modification of Carbon-Based Nanomaterials with that of Semiconductor Surfaces

Noriaki Itoh, Chihiro Itoh, Jun'ichi Kanasaki

NANO 11(6) 1630001-1-1630001-17 2016年6月査読有り責任著者
Formation of hot-electron ensembles quasi-equilibrated in momentum space by ultrafast momentum scattering of highly excited hot electrons photoinjected into Г-valley of GaAs

H. Tanimura, J. Kanasaki, K. Tanimura, J. Sjakste, N. Vast, M. Calandra, F. Mauri

Physical Review B 93(16) 161203(R)-1-161203(R)-5 2016年4月査読有り
Ultrafast scattering processes of hot electrons in InSb studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy

H. Tanimura, J. Kanasaki, K. Tanimura

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 91(4) 2015年1月12日査読有り
Ultrafast scattering processes of hot electrons in InSb studied by time- and angle-resolved photoemission spectroscopy

H. Tanimura, J. Kanasaki, K. Tanimura

PHYSICAL REVIEW B 91(4) 045201-1-045201-16 2015年1月査読有り
Imaging Energy-, Momentum-, and Time-Resolved Distributions of Photoinjected Hot Electrons in GaAs

Jun'ichi Kanasaki, Hiroshi Tanimura, Katsumi Tanimura

PHYSICAL REVIEW LETTERS 113(23) 237401-1-237401-4 2014年12月査読有り筆頭著者
State-resolved ultrafast dynamics of impact ionization in InSb

H. Tanimura, J. Kanasaki, K. Tanimura

SCIENTIFIC REPORTS 4 6849-1-6849-4 2014年10月査読有り
Crucial roles of holes in electronic bond rupture on semiconductor surfaces

J. Tsuruta, E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura

SURFACE SCIENCE 626 49-52 2014年8月査読有り責任著者
Role of applied bias and tip electronic structure in the scanning tunneling microscopy imaging of highly oriented pyrolytic graphite

G. Teobaldi, E. Inami, J. Kanasaki, K. Tanimura, A. L. Shluger

PHYSICAL REVIEW B 85(8) 085423-1-085423-15 2012年2月査読有り
Ultrafast relaxation of highly excited hot electrons in Si: Roles of the L-X intervalley scattering

T. Ichibayashi, S. Tanaka, J. Kanasaki, K. Tanimura, Thomas Fauster

PHYSICAL REVIEW B 84(23) 235210-1-235210-11 2011年12月査読有り
Scanning tunneling microscopic studies of laser-induced modifications of Si(001)-(2x1) surface

Kosuke Yasui, Jun'ichi Kanasaki

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 110(10) 103516-1-103516-10 2011年11月査読有り最終著者責任著者
Intact-sheet double-layer ablation induced by femtosecond-laser excitation of graphite

H. Ohnishi, E. Inami, J. Kanasaki

SURFACE SCIENCE 605(15-16) 1497-1502 2011年8月査読有り最終著者
Formation of sp(3)-Bonded Carbon Nanostructures by Femtosecond Laser Excitation of Graphite

J. Kanasaki, E. Inami, K. Tanimura, H. Ohnishi, K. Nasu

PHYSICAL REVIEW LETTERS 102(8) 087402-1-087402-4 2009年2月査読有り筆頭著者

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MISC

工学的にとらえたGe中の非平衡電子の超高速緩和過程とそれにともなう特異な物性

安武裕輔, 金﨑順一, 深津晋

電子情報通信学会・信学技報 2022年4月
Ultrafast Dynamics of Photoinjected Holes in the Valence Band of Silicon Studied by Two-Photon Photoelectron Differential Spectroscopy

J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma, S. Fukatsu

Active Report, Synchrotron Light Application Center 48-49 2022年3月筆頭著者
Photoinduced Structural Modifications of Few-Layer Graphene Epitaxially Grown on 4H-SiC(0001)

Ryosuke Horie, Ryuichi Hirosue, Jun'ichi Kanasaki, Isamu Yamamoto, Junpei Azuma, Kazutosi Takahashi

Active Report, Synchrotron Light Application Center 68-69 2022年3月責任著者
Ultrafast Dynamics of Photoinjected Holes in the Valence Bands of Silicon Studied by Two-Photon Photoelectron Differential Spectroscopy

J. Kanasaki, I. Yamamoto, J. Azuma

Active Report, Synchrotron Light Application Center 2020年3月筆頭著者
Momentum Space View of Ultrafast Dynamics of Highly Energetic Electrons in Photo-Excited Germanium

Jun’ichi Kanasaki, Isamu Yamamoto, Junpei Azuma, S. Fukatsu

Active Report, Synchrotron Light Application Center 2018年3月筆頭著者
フェムト秒時間分解光電子分光を用いた半導体における励起電子の超高速緩和ダイナミクスの研究

金﨑順一, 谷村洋, 谷村克己

固体物理 50(10) 519-530 2015年10月
レーザー励起による半導体表面構造の不安定性

金崎順一, 谷村克己

表面科学 = Journal of The Surface Science Society of Japan 26(11) 675-680 2005年11月10日
レーザービームによる半導体表面原子結合の局所的切断

金崎順一, 谷村克己

應用物理 73(4) 485-489 2004年4月10日
半導体表面構造の光誘起変化と原子の脱離

アグネ技術センター・固体物理 34 657-668 1999年筆頭著者
レーザービームと非金属固体表面との相互作用

伊藤憲昭, 金崎順一, 岡野晃子, 中井靖男

応用物理学会誌 64 536-546 1995年
表面解析用高分解能陽子エネルギー損失分光装置

伊藤憲昭, 金崎順一, 松波紀明, 松田耕二, 青木正彦

加速器科学 2(4) 73-83 1988年4月

講演・口頭発表等

光励起による半導体価電子正孔系の緩和動力学：時間・角度分解光電子分光による観測

谷村克己, 谷村洋, 金崎順一

日本物理学会講演概要集 2016年一般社団法人日本物理学会
19pBH-4 GaAsにおける超高速無輻射電子・正孔再結合 : 時間分解光電子分光による観測

谷村克己, 金崎順一, 谷村洋

日本物理学会講演概要集 2016年一般社団法人日本物理学会
24aCP-12 半導体励起電子系の超高速運動量緩和とエネルギー緩和 II

谷村克己, 谷村洋, 金崎順一, Sjakste J., Vast N.

日本物理学会講演概要集 2015年一般社団法人日本物理学会
24aCP-11 狭ギャップ半導体中におけるimpact ionizationの時間分解光電子分光

谷村洋, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 2015年一般社団法人日本物理学会
24aAS-11 半導体における光励起キャリアのバルク-表面散乱過程 : Ge(111)-c(2x8)

金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 2015年一般社団法人日本物理学会
Ge(111)-c(2x8)における光励起電子系の超高速緩和動力学

金崎順一

表面科学学術講演会要旨集 2015年公益社団法人日本表面科学会
7aAJ-2 ゲルマニウムにおける光生成非平衝キャリアの超高速動力学(7aAJ 超高速現象(磁性体・磁性半導体),領域5(光物性))

金崎順一, 谷村洋, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 2014年8月22日一般社団法人日本物理学会
7pAJ-6 時間分解二光子光電子分光によるInSb結晶中のimpact ionization(7pAJ 超高速現象,領域5(光物性))

谷村洋, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 2014年8月22日一般社団法人日本物理学会
27pCK-4 半導体中の高励起電子状態の超高速緩和過程II(27pCK 超高速現象,領域5(光物性))

谷村洋, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 2014年3月5日一般社団法人日本物理学会
27pCK-5 半導体における光生成非平衡キャリアの超高速動力学 : エネルギー緩和速度の励起強度依存性(27pCK 超高速現象,領域5(光物性))

金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 2014年3月5日一般社団法人日本物理学会
27pCK-6 GaAsにおける励起電子の超高速intervalley scattering(27pCK 超高速現象,領域5(光物性))

谷村克己, 谷村洋, 金崎順一

日本物理学会講演概要集 2014年3月5日一般社団法人日本物理学会
グラファイトにおけるフェムト秒レーザー誘起sp³ドメイン形成のパルス幅依存性

西岡圭太, 稲見栄一, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 2014年
27pDB-9 半導体中の高励起電子状態の超高速緩和過程(超高速現象,領域5(光物性))

谷村洋, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 2013年8月26日一般社団法人日本物理学会
23pTC-5 励起パルス時間幅に依存するグラファイト光構造相転移の核形成過程(23pTC 領域5,領域7合同光誘起相転移,領域5(光物性))

稲見栄一, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 2011年8月24日一般社団法人日本物理学会
21aRB-1 フェムト秒時間分解光電子分光によるSi価電子正孔系の超高速動力学II(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))

金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 2011年8月24日一般社団法人日本物理学会
28aHC-4 フェムト秒時間分解光電子分光によるSi価電子正孔系の超高速動力学(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))

金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 2011年3月3日一般社団法人日本物理学会
25aHC-11 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : パルス幅依存性(25aHC 光誘起相転移(錯体化合物,TTF-CA,グラファイト),領域5(光物性))

稲見栄一, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 2011年3月3日一般社団法人日本物理学会
23aWX-2 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学III(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 2010年8月18日一般社団法人日本物理学会
23aWX-3 Siにおける結晶伝導帯ホットエレクトロンの高速表面状態遷移(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

谷村克己, 金崎純一

日本物理学会講演概要集 2010年8月18日一般社団法人日本物理学会
23aRC-10 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : 励起波長依存性(23aRC 光誘起相転移(錯体化合物,グラファイト),領域5(光物性))

稲見栄一, 金崎順一, 谷村克己

日本物理学会講演概要集 2010年8月18日一般社団法人日本物理学会

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

光励起法によるグラフェン薄膜の原子層数精密制御法の確立

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2023年4月 - 2026年3月

金崎順一
光励起による炭素系２次元原⼦層物質の超精密構造制御

公益社団法人池谷科学技術振興財団単年度研究助成 2023年4月 - 2024年3月
マルチ軸機械歪を印加した超高歪ウルトラ薄膜化ゲルマニウムによる室温電流注入光利得

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2020年4月 - 2024年3月

深津晋, 安武裕輔, 金崎順一
時間・角度分解光電子差分分光による正孔動力学多次元イメージ法の開発

日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(B)（一般） 2019年4月 - 2023年3月

金崎順一
極限時空間分光法の開発と光誘起構造相転移研究への応用

日本学術振興会挑戦的萌芽研究 2016年4月 - 2019年3月

金崎順一
フェムト秒時間分解光電子分光による半導体価電子正孔系の超高速動力学

日本学術振興会基盤研究C 2011年4月 - 2014年3月

金崎順一
池谷科学技術振興財団国際交流等助成金

2014年

金崎順一
光誘起構造相転移動力学の研究

日本学術振興会特別推進研究 2007年4月 - 2013年3月

谷村克己
低エネルギー電子線励起による半導体表面構造の不安定性

日本学術振興会基盤研究C 2005年4月 - 2008年3月

金崎順一
半導体表面二次元凝縮相における励起物性の研究

日本学術振興会基盤研究 A 2005年4月 - 2008年3月

谷村克己
可視光励起によるグラファイト・ダイヤモンド構造相転移に関する研究

日本学術振興会萌芽研究 2007年4月

谷村克己
光励起プロセスによる半導体表面構造のナノ制御

池谷科学技術振興財団単年度研究助成 2007年

金崎順一
シリコン(001)表面における光誘起結合切断と新表面構造相の創成

日本学術振興会基盤研究B 2003年4月 - 2005年3月

金崎順一
電子励起を用いた原子分子操作

文部科学省特定領域研究 1999年4月 - 2002年3月

前田康二
レーザー光による表面原子操作に関する研究

文部科学省特定領域研究 1999年4月 - 2002年3月

金崎順一
化合物半導体における光誘起構造変化に関する研究

基盤研究C 1999年4月 - 2001年3月

金崎順一
フェムト秒分光法による半導体再構成表面の光誘起原子過程の研究

基盤研究B 1997年4月 - 2000年3月

谷村克己
半導体表面における光誘起構造変化

基盤研究C 1996年4月 - 1999年3月

金崎順一
「レーザー誘起原子放出を用いた表面微量欠陥の定量法の確立

一般研究B 1993年4月 - 1996年3月

中井靖男
半導体表面欠陥のキャラクタライゼイションおよびレーザー誘起原子放出法を用いた欠陥制御・除去に関する研究

池谷科学技術振興財団単年度研究助成 1995年

金崎順一

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