横山宏有 (Hirosumi Yokoyama) - マイポータル

基本情報

所属: 宮崎大学工学部電気電子工学科電子基礎工学講座助教

研究者番号: 50315355
J-GLOBAL ID: 200901061365670851
researchmap会員ID: 1000357784

研究キーワード

ナノ・材料領域

経歴

2007年4月 - 現在

宮崎大学, 工学部電気電子工学科電子基礎工学講座, 助教
1999年4月 - 2007年3月

宮崎大学, 工学部電気電子工学科電子基礎工学講座, 助手
1988年11月 - 1999年3月

宮崎大学, 工学部電子工学科, 職員（技術系）

学歴

- 1986年3月

佐賀大学, 理工学部

委員歴

2010年4月 - 現在

平成２２年度ものづくり分野の人材育成・確保事業, WG委員
2017年4月 - 2018年3月

応用物理学会, 2017年度九州支部現地実行委員
2009年7月 - 2011年3月

平成２１年度産業技術人材育成事業プログラム開発委員会, プログラム開発委員
2007年7月 - 2008年12月

応用物理学会, ２００８年度九州支部講演会現地実行委員
2006年4月 - 2006年5月

応用物理学会, 国際会議現地実行委員

論文

ユーロピウム添加アルミン酸ストロンチウムの組成変化と酸化物添加による発光特性

木津, 駿斗, 前田幸治, 横山宏有, 境健太郎

宮崎大学工学部紀要 46 105-108 2017年7月31日
硫黄を添加したアルミン酸ストロンチウム蛍光体の応力発光特性

蛯原正裕, 小牧修也, 横山宏有, 境健太郎, 前田幸治

宮崎大学工学部紀要 46 101-104 2017年7月31日
RFマグネトロンスパッタリング法を用いた薄膜蛍光体の作製とその発光特性の評価

藤原光二郎, 蛯原正裕, 横山宏有, 前田幸治

宮崎大学工学部紀要 45 91-94 2016年7月
力学的刺激により発光する材料の測定条件依存性

木津駿斗, 甲斐朱音, 蛯原正裕, 横山宏有, 前田幸治

宮崎大学工学部紀要 2016年7月
固相反応法によって作製したユーロピウムを添加したLiBaPO4蛍光体の発光特性の評価

木津駿斗, 前田幸治, 横山宏有

宮崎大学工学部紀要 2016年7月
ユーロピウムを添加した蛍光体の光励起および応力による発光特性の評価

藤原光二郎, 蔵元俊己, 横山宏有, 前田幸治

宮崎大学工学部紀要 2015年7月査読有り
Detection of miniband formation in strain-balanced InGaAs/GaAsP quantum well solar cells by using a piezoelectric photothermal spectroscopy

Taketo Aihara, Atsuhiko Fukuyama, Yuki Yokoyama, Michiya Kojima, Hidetoshi Suzuki, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Tetsuo Ikari

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 116(4) 2014年7月
Effect of internal electric field on non-radiative carrier recombination in the strain-balanced InGaAs/GaAsP multiple quantum well solar cells

Atsuhiko Fukuyama, Taketo Aihara, Yuki Yokoyama, Michiya Kojima, Hiromasa Fujii, Hidetoshi Suzuki, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Tetsuo Ikari

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 211(2) 444-448 2014年2月
Determination of Exciton Binding Energy of GaInNAs Quantum Well Structures by Piezoelectric Photothermal Spectroscopy Compared with Photoreflectance Measurements

Koshiro Kashima, Atsuhiko Fukuyama, Kentaro Sakai, Hirosumi Yokoyama, Masahiko Kondow, Tetsuo Ikari

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50(6) 06GH09-06GH09-4 2011年6月
Determination of exciton binding energy of GaInNAs quantum well structures by piezoelectric photothermal spectroscopy compared with photoreflectance measurements

K. Kashima, A. Fukuyama, K. Sakai, H. Yokoyama, M. Kondow, T. Ikari

Japanese Journal of Applied Physics 2011年5月査読有り
Detection of photogenerated carrier leakage from GaInNAs/GaAs single quantum well by piezoelectric photothermal spectroscopy

Shin-ichi Fukushima, Kentaro Sakai, Hirosumi Yokoyama, Atsuhiko Fukuyama, Masashi Ozeki, Masahiko Kondow, Tetsuo Ikari

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47(9) 7060-7064 2008年9月
Detection of photogenerated carrier leakage from GaInNAs/GaAs single quantum well by piezoelectric photothermal spectroscopy

Shin-ichi Fukushima, Kentaro Sakai, Hirosumi Yokoyama, Atsuhiko Fukuyama, Masashi Ozeki, Masahiko Kondow, Tetsuo Ikari

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47(9) 7060-7064 2008年9月査読有り
Piezoelectric photo thermal and surface photo voltage spectra of chalcopyrite CuGaSe2 epitaxial layers fabricated on semi-insulating GaAs

Ohryoji N, Goto A, Yokoyama H, Sakai K, Fukuyama A, Yamada A, Niki S, Ikari T

2005 International Semiconductor Device Research Symposium 2005 412-413 2005年12月
Structural and optical characterization of Sb-doped CuInS₂ thin films grown by vacumm evaporation method

Y.Akaki, K.Komaki, H.Yokoyama, K.Yoshino, K.Maeda, T.Ikari

Journal of Physics and Chemistry of Solids 64 1863-1867 2003年11月査読有り
Effect of three-stage isothermal annealing on the nucleation process in GeSe2 glasses

K Maeda, Y Kai, T Suginohara, H Yokoyama, K Sakai, T Ikari, SO Kasap

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS 14(10-12) 839-840 2003年10月
Structural and optical characterization of Sb-doped CuInS2 thin films grown by vacuum evaporation method

Y Akaki, H Komaki, H Yokoyama, K Yoshino, K Maeda, T Ikari

JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS 64(9-10) 1863-1867 2003年9月
V族元素添加CuInS_2結晶のホットプレス成長

小牧弘典, 赤木洋二, 吉野賢二, 横山宏有, 前田幸治, 碇哲雄

宮崎大學工學部紀要 32 141-145 2003年7月
Ge-Se系ガラスの結晶化過程の組成依存性

水本卓, 境健太郎, 横山宏有, 吉野賢二, 碇哲雄, 前田幸治

宮崎大學工學部紀要 32 135-139 2003年7月
熱処理によるGeSe_2ガラスの結晶核生成過程の研究

甲斐康之, 境健太郎, 横山宏有, 吉野賢二, 碇哲雄, 前田幸治

宮崎大學工學部紀要 32 129-133 2003年7月
熱処理によるGeSe₂ガラスの結晶核生成過程の研究

甲斐康之, 境健太郎, 横山宏有, 吉野賢二, 碇哲雄, 前田幸治

宮崎大学工学部紀要 32 129-134 2003年7月

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MISC

Crystallization of Amorphous GeSe₂ Semiconductor by Isothermal Annealing without Light Radiation

Kentaro Sakai, Kenji Yoshino, Atsuhiko Fukuyama, Hirosumi Yokoyama, Tetsuo Ikari, Kouji Maeda

Japanese Journal of Applied Physics 39(3A) 1058-1061 2000年

講演・口頭発表等

フッ素添加アルミン酸ストロンチウムの応力及び残光発光特性

前田幸治, 小牧修也, 境健太郎, 横山宏有

応用物理学会春季学術講演会 2018年3月17日
希土類を共添加したアルミン酸ストロンチウムの応力及び光励起発光特性のフッ素添加効果

小牧修也, 境健太郎, 横山宏有, 前田幸治

応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日
ホウリン酸塩蛍光体へのX線照射によるサマリウムイオンの価数変化

前田幸治, 小牧修也, 境健太郎, 横山宏有

応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日
Effects of sulfur and fluorine in SrAl2O4 doped Eu and Dy phosphor on mechanoluminescence properties

Koji Maeda, Masahiro Ebibara, Koujiro Fujiwara, Hirosumi Yokoyama, Kentaro Sakai

The 7th International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications 2016年6月13日 ICOOPMA
固相反応法で作製したSrAl2O4 にEu とDy を添加した蛍光体の発光及び応力発光特性

蛯原正裕, 藤原光二郎, 横山宏有, 前田幸治

応用物理学会九州支部会 2015年12月5日応用物理学会九州支部
ユーロピウムを添加した蛍光体の光励起および応力による発光特性の評価

藤原光二郎, 蔵元俊己, 横山宏有, 前田幸治, 境健太郎

第16回分析講演会 2015年3月2日宮崎大学産学・地域連携センター機器分析支援部門
光音響分光法によるポリジヘキシルシランPoly(di-n-hexylsilane)の光分解過程の評価

横山宏有, 境健太郎, 福山敦彦, 古川昌司, 碇哲雄

応用物理学会九州支部講演会 2011年11月26日応用物理学会九州支部
光音響分光法によるハロゲン添加カルコゲナイドガラスの光学的評価

横山宏有, 境健太郎, 福山敦彦, 前田幸治, 碇哲雄

応用物理学会九州支部講演会 2010年11月27日応用物理学会九州支部
Determination of Exciton Binding Energy of GaInNAs Quantum Wells by a Piezoelectric Photo-thermal Spectroscopy comparing with a Photo-reflectance and a Photoluminescence Measurements

K. Kashima, A. Fukuyama, K. Sakai, H. Yokoyama, M. Kondow, T. Ikari

第23回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議 2010年11月9日社団法人応用物理学会
Carrier recombination mechanism in two dimensional electron gas at AlGaN/GaN interface investigated by a photoluminescence, a surface photovoltage and a piezoelectric photothermal spectroscopy

T. Ikari, M. Arimura, H. Ohshige, I. Yano, M. Inoue, T. Touse, H. Yokoyama, K. Sakai, A. Fukuyama

The E-MRS 2008 Spring Meeting 2008年5月26日 E-MRS
表面光起電力の温度依存性解析によるSI-GaAs中の深い準位の解析モデル

小村照太, 福嶋晋一, 福山敦彦, 前田幸治, 横山宏有, 碇哲雄

応用物理学会九州支部講演会 2007年12月1日応用物理学会九州支部
圧電素子光熱分光法によるGaInNAsの変形ポテンシャルの導出

福嶋晋一, 有村光生, 福山敦彦, 横山宏有, 碇哲雄

応用物理学会九州支部講演会 2007年12月1日応用物理学会九州支部
Piezoelectric Photothermal and Surface Photovoltage Spectra in Extremely Thin GaInNAs/GaAs Single Quantum well

S.Fukushima, T.Ikari, A.Fukuyama, K.Sakai, H.Yokoyama

2005 International Semiconductor Device Research Symposium 2005年12月7日 2005 ISDRS Comittee
Piezoelectric Photo Thermal and Surface Photo Voltage Spectra of Chalcopyrite CuGaSe₂ Epitaxial Layers Fabricated on Semi-insulating GaAs

N.Ohryoji,A.Goto, H.Yokoyama, K.Sakai, A.Fukuyama, T.Ikari

2005 International Semiconductor Device Research Symposium 2005年12月7日 2005 ISDRS Comittee
圧電素子光熱分光法によるSi基板上に成長させたβ－FeSi₂薄膜の光学特性の測定

横山宏有, 境健太郎, 福山敦彦, 吉武剛, 碇哲雄

応用物理学会九州支部講演会 2005年11月26日応用物理学会九州支部

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

次世代太陽電池材料単結晶の作製

その他の研究制度 2009年7月 - 現在
非晶質半導体の熱的特性に関する研究開発

国際共同研究 2000年11月 - 現在
光熱分光法による半導体材料の光学的特性評価

1987年11月 - 現在
光音響分光法によるハロゲン添加カルコゲナイドガラスの光学的評価

宮崎大学平成２３年度学部長裁量経費 2011年4月 - 2012年3月
次世代太陽電池の開発

受託研究 2008年6月 - 2009年6月
熱電半導体の開発

1997年4月 - 2002年4月

社会貢献活動

アドベンチャー工学部

講師, 企画, 運営参加・支援, 実演

宮崎大学工学教育研究部宮崎県宮崎市 2017年11月17日 - 2017年11月19日
オープンキャンパス

講師

宮崎県宮崎市 2016年8月10日 - 2016年8月11日
アドベンチャー工学部

宮崎県未設定 2015年11月
平成21年度理数系教員指導力向上研修講師

宮崎県未設定 2009年6月 - 2009年9月
太陽電池教室

宮崎県未設定 2009年6月
科学どっぷり合宿

宮崎県未設定 2003年8月
科学どっぷり合宿

宮崎県未設定 2002年8月
青少年のための科学の祭典全国大会

宮崎県未設定 1999年8月