太子敏則 (Toshinori TAISHI) - マイポータル

基本情報

所属: 信州大学工学部　電子情報システム工学科教授

学位: 博士（工学）(2001年3月信州大学)

J-GLOBAL ID: 200901022476524816
researchmap会員ID: 1000361089

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

- 2001年

信州大学, 工学研究科, 材料工学専攻
- 1998年

長岡技術科学大学, 工学研究科, 生物機能工学専攻

受賞

2009年7月

本多記念会第49回原田研究奨励賞
2003年7月

第33回日本結晶成長学会論文賞
2002年8月

第32回日本結晶成長学会講演奨励賞
1999年12月

平成11年度日本物理学会北陸支部応用物理学会北陸・信越支部合同講演会講演奨励賞

論文

Effective thermal conductivity of poly-silicon chunks and its size dependence in a melting process of silicon Czochralski crystalgrowth: Part 2. Numerical simulations and comparison with measurements,

Michio Kida, Toshinori Taishi

Journal of Crystal Growth 636 127703 2024年4月14日
Effective thermal conductivity of poly-silicon chunks and its size dependence in a melting process of silicon Czochralski crystal growth: Part 1. Temperature measurement

Michio Kida, Toshinori Taishi

Journal of Crystal Growth 636 127704 2024年4月14日
The effect of the decomposition of CH4 gas on polycrystalline SiC coating on SiC ceramics using Si vapor

Y. Kagami, S. Yamamoto, R. Uchida, T. Taishi

Jpn. J. Appl. Phys. 63 02SP01 2023年12月27日
Evaluation of numerical simulation of constitutional supercooling during heavily Boron-Doped silicon crystal growth using Cz method

Y. Mukaiyama, Y. Fukui, T. Taishi, Y. Noda, K. Sueoka

Journal of Crystal Growth 619 127333 2023年10月1日
Lithiation/delithiation of silicon heavily doped with boron synthesized using the Czochralski process

Energy Adv., 2 813 2023年4月
Line-shaped defects in β-Ga2O3 crystals grown by the vertical Bridgman (VB) method

T. Taishi, N. Kobayashi, E. Ohba, K. Hoshikawa

Jpn. J. Appl. Phys. 62 SF1025 2023年3月
Polycrystalline SiC coating on large-sized SiC ceramics using Si vapor

Yuuki KAGAMI, Syuuichi YAMAMOTO, Yuta YOKOBAYASHI, Ryunosuke,UCHIDA, Koki SUZUKI, Seiichi TARUTA and Toshinori TAISHI

J. Ceram. Soc. Japan 129(12) 1-7 2021年9月6日
Dopant Effect on Lithiation/Delithiation of Highly Crystalline Silicon Synthesized Using the Czochralski Process

Masahiro Shimizu, Kohei Kimoto, Takuya Kawai, Toshinori Taishi, Susumu Arai

ACS Applied Energy Materials 4 7922 2021年7月22日査読有り
Growth of (100), (010) and (001) b-Ga2O3 single crystals by vertical Bridgman method

E. Ohba, T. Kobayashi, T. Taishi, K. Hoshikawa

J. Cryst. Growth 556 125990 2021年2月15日
酸化物および化合物半導体バルク結晶成長における温度勾配

宇田聡, 川瀬智博, 太子敏則

日本結晶成長学会誌 47(2) 47-2-05 2020年7月31日
バルク結晶育成における融液中および結晶中の温度勾配測定

太子敏則

日本結晶成長学会誌 47(2) 47-2-01-09 2020年7月31日
Effect of cobalt addition to Si–Cr solvent in top-seeded solution growth

K. Hyun, S.J. Kim, T. Taishi

Applied Surface Science 513 145798 2020年2月15日
The effect of Al addition to a Cr solvent without molten Si on the surface morphology in a solution growth of SiC

K. Suzuki, T. Taishi

Japanese Journal of AppliedPhysics 59 025504(1-6)-6) 2020年1月9日
TSSG 法によるSiC 結晶成長における溶液中の炭素濃度の経時変化と種子づけ後の結晶品質に与える影響

太子敏則,土本直道,高橋大,玄光龍,鈴木皓己

J. Flux Growth 14 25-29 2019年6月30日
タンタル酸ニオブ酸カリウムの電気光学効果とその単結晶製造技術

小松貴幸, 太子敏則, 小島孝広, 笹浦正弘

応用物理 88(5) 341-347 2019年5月10日
固体電解質LixLa(1-x)/3NbO3のバルク単結晶

藤原靖幸, 太子敏則, 干川圭吾, 小浜恵一, 胡肖兵, 小林俊介, 幾原裕美, Craig Fisher, 幾原雄一, 射場英紀

日本結晶成長学会誌 46(1) 04(1-9)-9) 2019年4月26日
The effect of the structure of seed attachment on polytype and morphology in solution growth of SiC by TSSG method

K. Suzuki, K. Hyun, T. Taishi

Mater. Sci. Forum 924 35-38 2018年6月
Experimental Determination of Carbon Solubility in Si0.56Cr0.4M0.04 (M=Transition Metals) Solvents for the Solution Growth of SiC

K. Hyun, T. Taishi, K. Teshima

Mater. Sci. Forum 924 43-46 2018年
Solution growth of SiC from the crucible bottom with dipping under unsaturation state of carbon in solvent

T. Taishi,M. Takahashi,N. Tsuchimoto,K. Suzuki, K. Hyun

Mater. Sci. Forum 924 51-54 2018年
垂直ブリッジマン法によるタンタル酸ニオブ酸カリウム（KTN）単結晶の育成と組成均一化

太子敏則, 干川圭吾, 小島孝広, 笹浦正弘, 小松貴幸

日本結晶成長学会誌 43 23-31 2016年10月

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MISC

103

Segregation of boron in germanium crystal

T. Taishi, Y. Murao, Y. Ohno, I. Yonenaga

Journal of Crystal Growth 311(1) 59-61 2008年12月15日
Single crystal growth of langataite (La3Ta0.5Ga5.5O14) by vertical Bridgman (VB) method along [2(1)over-bar(1)over-bar0] in air and in an Ar atmosphere

Toshinori Taishi, Noriko Bamba, Keigo Hoshikawa, Ichiro Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311(1) 205-209 2008年12月
Optical properties of dislocations in wurtzite ZnO single crystals introduced at elevated temperatures

Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 104(7) 073515 2008年10月
Formation of multiple nanoscale twin boundaries that emit intense light in indirect-gap AlGaAs epilayers

Y. Ohno, K. Shoda, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

Applied Surface Science 254(23) 7633-7637 2008年9月30日
High-temperature strength and dislocation mobility in the wide band-gap ZnO: Comparison with various semiconductors

I. Yonenaga, H. Koizumi, Y. Ohno, T. Taishi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 103(9) 093502 2008年5月
High-temperature strength and dislocation mobility in the wide band-gap ZnO: Comparison with various semiconductors

YONENAGA I, KOIZUMI H, OHNO Y, TAISHI T

Journal of Applied Physics 103(9) 093502 2008年
Optical properties of dislocations in wurtzite ZnO single crystals introduced at elevated temperatures

Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

Journal of Applied Physics 104(7) 073515 2008年
Light emission due to dislocations in wurtzite ZnO bulk single crystals freshly introduced by plastic deformation

Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao

APPLIED PHYSICS LETTERS 92(1) 011922-1-011922-3 2008年1月
Atomistic structure of Si atoms agglomerated nearby a stacking fault in a commercial GaAs : Si

Y. Ohno, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 9 5(9) 2944-+ 2008年
Influence of seed/crystal interface shape on dislocation generation in Czochralski Si crystal growth

Toshinori Taishi, Yutaka Ohna, Ichiro Yonenaga, Keigo Hoshikawa

PHYSICA B-CONDENSED MATTER 401 560-563 2007年12月
Oxygen defects in langasite (La3Ga5SiO14) single crystal grown by vertical Bridgman (VB) method

T. Taishi, T. Hayashi, N. Bamba, Y. Ohno, I. Yonenaga, K. Hoshikawa

PHYSICA B-CONDENSED MATTER 401 437-440 2007年12月
Atomistic structure of stacking faults in a commercial GaAs : Si wafer revealed by cross-sectional scanning tunneling microscopy

Y. Ohno, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda

PHYSICA B-CONDENSED MATTER 401 230-233 2007年12月
Influence of high-magnetic-field on dislocation-oxygen interaction in silicon

I. Yonenaga, K. Takahashi, T. Taishi, Y. Ohno

PHYSICA B-CONDENSED MATTER 401 148-150 2007年12月
Control of the stacking fault areas in pseudomorphic ZnSe layers by photo-molecular beam epitaxy

Y. Ohno, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Ichikawa, R. Hirai, S. Takeda

PHYSICA B-CONDENSED MATTER 401 650-653 2007年12月
Si multicrystals grown by the Czochralski method with multi-seeds

Takeshi Hoshikawa, Toshinori Taishi, Xinming Huang, Satoshi Uda, Muneyoshi Yamatani, Katsuhiko Shirasawa, Keigo Hoshikawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 307(2) 466-471 2007年9月
Influence of crystalline defects in Czochralski-grown Si multicrystal on minority carrier lifetime

Toshinori Taishi, Takeshi Hoshikawa, Muneyoshi Yamatani, Katsuhiko Shirasawa, Xinming Huang, Satoshi Uda, Keigo Hoshikawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 306(2) 452-457 2007年8月
Single-crystal growth of langasite (La3Ga5SiO14) by the vertical Bridgman (VB) method in air and in an Ar atmosphere

Toshinori Taishi, Takayuki Hayashi, Tatsuo Fukami, Keigo Hoshikawa, Ichiro Yonenaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 304(1) 4-6 2007年6月
Electronic properties of twin boundaries in AlGaAs

Y. Ohno, N. Yamamoto, T. Taishi, I. Yonenaga and S. Takeda

Physical B 401 270-274 2007年
Electronic properties of twin boundaries in AlGaAs in indirect-gap AlGaAs

Y. Ohno, N. Yamamoto, T. Taishi, I. Yonenaga and S. Takeda

Physica B 401 270-274 2007年
Segregation of Ga during growth of Si single crystal

T Hoshikawa, Huang, X, S Uda, T Taishi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 290(2) 338-340 2006年5月

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書籍等出版物

液相からの結晶成長入門育成技術と評価方法

太子敏則(分担執筆)

日刊工業新聞社 2021年12月

講演・口頭発表等

垂直ブリッジマン(VB)法とβ-Ga2O3 単結晶育成

太子敏則

ワイドギャップ半導体学会（WideG）特別公開シンポジウム 2023年9月7日招待有り
Segregation and constitutional supercooling in heavily doped silicon single crystal growth by Czochralski method

Toshinori Taishi

The 9th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies, 2023年6月5日招待有り
バルク単結晶およびその育成技術からの新たな研究アプローチ

太子敏則

応用物理学会北陸・信越支部第5回有機無機シンポジウム 2020年11月27日招待有り
垂直ブリッジマン（VB）法によるバルク単結晶・混晶の育成と特徴

太子敏則

第4１回結晶成長討論会 2018年9月5日
TSSG法によるSiC溶液成長における溶媒中の炭素の溶解・輸送解析と結晶品質に与える影響

太子敏則

第12回日本フラックス成長研究発表会 2017年12月7日
Solution growth of SiC -Unique approach by vertical-Bridgman-like technique-

Toshinori Taishi

Third International Workshop on Advanced Functional Nanomaterials 2015年12月
Growth of potassium tantalate niobate (KTaxNb1-xO3: KTN) crystals by the vertical Bridgman (VB) method

Toshinori Taishi, Kazuya Hosokawa, Keigo Hoshikawa, Takahiro Kojima, Junya Osada, Masahiro Sasaura, Yasunori Furukawa, Takayuki Komatsu

11th International Conference on Ceramic Materials and Components for Energy and Environmental Applications 2015年
SiC溶液成長～溶剤添加効果と炭素の溶解・輸送・成長のバランス～

太子敏則, 日根賢人

応用物理学会第1回先進パワー半導体分科会 2014年11月20日
VB 法によるKTa1-xNbxO3 結晶育成

太子敏則, 細川和也, 干川圭吾, 羽生真之, 小島孝広, 宮本晃男, 小松貴幸

第43回結晶成長討論会07aA06 2013年11月
B2O3 を用いた引き上げ法による高品質・高強度Ge 単結晶の育成

太子敏則, 米永一郎, 干川圭吾

第43回結晶成長討論会06aB06 2013年11月
成長開始直後に決まるバルク結晶の品質 ~ CZシリコン単結晶成長における種子づけと転位挙動 ~

太子敏則, 干川圭吾

第37回結晶成長討論会 2013年9月
B2O3で覆われた融液からのCZ-Ge結晶育成における酸素の偏析

太子敏則, 米永一郎, 干川圭吾

第60回応用物理学会学術講演会30p-G19-3 2013年3月
垂直ブリッジマン法によるKTaO3単結晶育成と光学特性

太子敏則, 竹中貴之, 番場教子, 干川圭吾

第42回結晶成長国内会議10aB02 2012年11月
溶液法によるるつぼ底からのSiC単結晶育成

太子敏則, 干川圭吾, 坂元秀光, 鈴木寛

第42回結晶成長国内会議09aB03 2012年11月
液状B2O3で覆った融液から育成したCZ-Ge結晶中の欠陥評価

太子敏則

第22回格子欠陥フォーラム・励起ナノプロセス研究会・理研シンポジウム合同シンポジウム「材料科学のための欠陥制御・評価」 2012年9月
B2O3で覆われた融液からのCZ-Ge結晶育成におけるB、Si、Oの反応

太子敏則, 米永一郎, 干川圭吾

14a-H9-6 2012年9月
VB法によるKTaO3結晶育成における原料組成の検討

太子敏則, 竹中貴之, 番場教子, 干川圭吾

第73回応用物理学会学術講演会 2012年9月
液状酸化ホウ素（B2O3）を用いた無転位・酸素添加ゲルマニウム結晶の育成

太子敏則, 米永一郎

まてりあ 2011年5月
CZ-Ge結晶成長における酸素添加と酸素ドナー挙動

太子敏則, 橋本佳男, 伊勢秀彰, 村尾優, 米永一郎

第41回結晶成長国内会議 2010年11月
Evaluation of oxygen-related defects in Ge crystals grown from the melt covered by B2O3

Toshinori Taishi, Yoshio Hashimoto, Hideaki Ise, Yu Murao, Takayuki Ohsawa, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2010 2010年11月

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所属学協会

2023年4月

応用物理学会半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会
2012年10月 - 2023年3月

日本学術振興会第145委員会幹事/運営委員
2018年1月 - 2022年3月

日本学術振興会第161委員会運営委員
2019年8月

International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2021 Local Arrangement Committee Chair
2019年4月

応用物理学会先進パワー半導体分科会幹事
2018年11月

The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2024 Chair
2017年4月

応用物理学会シリコンテクノロジー分科会幹事
2016年4月

日本結晶成長学会理事
2007年4月

日本フラックス成長研究会
2002年7月

応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
2002年4月

日本学術振興会第R032産業イノベーションのための結晶成長委員会運営委員
2001年7月

応用物理学会結晶工学分科会
1999年7月

日本結晶成長学会
1999年3月

応用物理学会
8th International Symposium onAdvanced Science and Technology of Silicon Materials 2022 Vice Chair
The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2022 Chair
応用物理学会先進パワー半導体分科会委員

共同研究・競争的資金等の研究課題

CZシリコン結晶成長における組成的過冷却および転位挙動評価

2021年 - 2025年
多結晶SiCコーティングに関する研究

2019年 - 2021年
β型酸化ガリウムの結晶成長および評価

2016年 - 2021年
炭化ケイ素（SiC）の溶液成長に関する研究

2012年 - 2021年
全率固溶混晶の結晶成長および評価

2013年 - 2018年
高品質ゲルマニウム単結晶成長に関する研究

2006年 - 2013年
垂直ブリッジマン法による機能性酸化物結晶成長

2003年 - 2006年
CZシリコン結晶成長および欠陥挙動解析

1998年 - 2003年

太子敏則

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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