碇智徳 (Tomonori Ikari) - マイポータル

基本情報

所属: 宇部工業高等専門学校電気工学科教授

学位: (工学)博士(九州工業大学)

J-GLOBAL ID: 200901050438995051
researchmap会員ID: 1000361176

研究キーワード

研究分野

経歴

2017年4月 - 現在

宇部工業高等専門学校, 電気工学科, 教授
2009年4月 - 2017年3月

宇部工業高等専門学校, 電気工学科, 准教授
2007年4月 - 2009年3月

宇部工業高等専門学校, 電気工学科, 助教
2006年4月 - 2007年3月

宇部工業高等専門学校, 電気工学科, 助手
2005年4月 - 2006年3月

九州工業大学, 工学部, 科学研究支援員

学歴

2001年4月 - 2005年3月

九州工業大学, 大学院工学研究科, 電気工学科
1999年4月 - 2001年3月

九州工業大学, 大学院工学研究科, 電気工学専攻
1995年4月 - 1999年3月

九州工業大学, 工学部, 電気工学科

委員歴

論文

Observation of Metal-free Phthalocyanine Adsorbed on SiC Reconstructed Surface

Satoru Emoto, Asuta Isobe, Tomonori Ikari, Kazuya Kawamura, Shin-ichiro Kuroki, Masamichi Naitoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (20) 2022年8月4日査読有り責任著者
Effect of ion-beam irradiation on the epitaxial growth of graphene via the SiC surface decomposition method

Junko Ishii, Takayuki Yamasaki, Yosuke Motokawa, Tomonori Ikari, Masamichi Naitoh

Japanese Journal of Applied Physics 56(085104) 1-4 2017年6月査読有り
Electronic structure of MePc/Si(100) surface studied using metastable-atom induced electron spectroscopy

Tomonori Ikari, Kohei Matsuo, Shohei Uesugi, Daichi Todo, Junko Ishii, Masamichi Naitoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 14 141-143 2016年5月7日査読有り筆頭著者
Growth of graphene on SiC(111) surfaces via ion-beam irradiation

Junko Ishii, Yasuhiro Miyawaki, Naoya Tsuboi, Tomonori Ikari, Masamichi Naitoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 14 121-124 2016年4月9日査読有り
First-principles calculation study of epitaxial graphene layer on 4H-SiC (0001) surface

Junko Ishii, Shigenori Matsushima, Hiroyuki Nakamura, Tomonori Ikari, Masamichi Naitoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 14 107-112 2016年4月2日査読有り
Oxidation at Cs pre-adsorbed Si/6H-SiC(0001)-(3×3) reconstructed surfaces studied using metastable induced electron spectroscopy

Tomonori Ikari, Takuto Nakamura, Kaede Hirayama, Kousuke Muraoka, Junko Ishii, Masamichi Naitoh

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, Vol. 14, pp. 103-106 14 103-106 2016年4月2日査読有り筆頭著者
Surface structure of [XMIm]Tf2N ultrathin ionic liquid films probed by metastable He atoms and photoelectron spectroscopies (UPS and XPS)

S. Krischok, A. Ulbrich, T. Ikari, V. Kempter, M. Marschewski, O. Hoefft

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 340 51-57 2014年12月査読有り
SOI基板を用いたグラフェン形成に関する研究

枝元太希, 早久和希, 岡野資睦, 坪井直也, 碇智徳, 中尾基, 内藤正路

Journal of the Vacuum Society of Japan, Vol. 57, No. 4, pp. 144-146 57(4) 144-146 2014年査読有り
鉛直柱状プラズマシースにおける球状カーボン微粒子の成長

中山泰輔, 菅祐志, 長友和輝, 碇智徳, 内藤正路, 長井達三, 生地文也

Journal of the Vacuum Society of Japan, Vol. 57, No. 4, pp. 155-158 57(4) 155-158 2014年査読有り
SiC表面へのイオンビーム照射を用いたカーボンナノチューブ生成の制御

瀬尾甲太郎, 高松草平, 近藤利紀, 碇智徳, 内藤正路

Journal of the Vacuum Society of Japan, Vol. 57, No. 5, pp. 182-184 57(5) 182-184 2014年査読有り
Ion-Beam Irradiation Effect in the Growth Process of Graphene on Silicon Carbide-on-Insulator Substrates

M. Okano, D. Edamoto, K. Uchida, I. Omura, T. Ikari, M. Nakao, M. Naitoh

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780 1170-+ 2014年査読有り
Fine structure analysis of spherical carbon particles produced in a methane plasma

M. Onoue, H. Okado, T. Ikari, M. Naitoh, T. Nagai, F. Shoji

DIAMOND AND RELATED MATERIALS 27-28 10-13 2012年7月査読有り
Ion-Beam Irradiation Effect on the Growth of Carbon Nanotubes in the SiC Surface Decomposition Method

Masamichi Naitoh, Yoshinori Karayama, Hiroshi Ohaze, Tomonori Ikari

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51(1) 2012年1月査読有り
STM OBSERVATION OF GRAPHENE FORMATION USING SiC-ON-INSULATOR SUBSTRATES

M. Naitoh, M. Okano, Y. Kitada, Y. Sasaki, Y. Okubo, D. Edamoto, M. Nakao, I. Omura, T. Ikari

SURFACE REVIEW AND LETTERS 18(5) 163-167 2011年10月査読有り
SiC表面分解法を利用した絶縁基板上へのグラフェン形成に関する研究

北田祐介, 佐々木悠祐, 大久保雄平, 碇智徳, 内藤正路, 中尾基

表面科学, Vol. 32, No. 7, pp.459-460 2011年7月査読有り
イオンビーム照射による表面変性効果を用いたカーボンナノチューブ形成に関する研究

辛山慶訓, 大櫨浩司, 山崎絢哉, 碇智徳, 山内貴志, 内藤正路

表面科学, Vol. 32, No. 7, pp.457-458 2011年4月査読有り
Changes of the near-surface chemical composition of the [EMIm]Tf2N room temperature ionic liquid under the influence of irradiation

A. Keppler, M. Himmerlich, T. Ikari, M. Marschewski, E. Pachomow, O. Höff, W. Maus-Friedrichs, F. Endres, S. Krischok

Physical Chemistry Chemical Physics 13 1174-1181 2011年1月査読有り
Theoretical reconstruction and elementwise analysis of photoelectron spectra for imidazolium-based ionic liquids

Markus Reinmoeller, Angela Ulbrich, Tomonori Ikari, Julia Preiss, Oliver Hoefft, Frank Endres, Stefan Krischok, Wichard J. D. Beenken

PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS 13(43) 19526-19533 2011年査読有り
CVD法によるカーボンナノチューブ成長におけるBuffer層の影響に関する研究

上村一平, 古賀光, 小島健志, 植田謙介, 碇智徳, 内藤正路, 西垣敏

表面科学 31(10) 551-553 2010年6月査読有り
Surface electronic structure of imidazolium-based ionic liquids studied by electron spectroscopy

T. Ikari, A. Keppler, M. Reinmöller, W.J.D. Beenken, S. Krischok, M. Marschewski, W. Maus-Friedrichs, O. Höff, F. Endres

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 8 241-245 2010年5月査読有り筆頭著者

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MISC

Si基板上3C-SiC薄膜へのイオンビーム照射を用いたグラフェン成長に関する研究

石井純子, 坪井直也, 早久和希, 岡野資睦, 碇智徳, 中尾基, 内藤正路

表面科学学術講演会講演要旨集 34th 2014年
Hydrogen-assisted reduction of oxidized Ni(110) surfaces studied by metastable-induced electron spectroscopy

T. Ikari, T. Matsuoka, T. Kawamoto, K. Murakami, K. Yamada, A. Watanabe, M. Naitoh, S. Nishigaki

Proceedings of the 7th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces 164-168 2006年筆頭著者
Growth of iron-silicide thin layers on clean and hydrogen-terminated Si(100) surfaces studied by AES and LEED

K. Tachibana, T. Ikari, M. Naitoh, S. Nishigaki

Proceedings of the 5th Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces 2002年

書籍等出版物

エネルギー管理士電気分野模擬問題集

碇智徳 (担当:共著)

電気書院全471貢 2016年2月

講演・口頭発表等

[EMIm]Tf2Nを蒸着したグラファイト/SiC(000-1)表面の電子状態解析

宮本弥凪, 田中晶貴, 益田純奨, 内藤正路, 碇智徳

令和3年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2021) 2021年6月5日
準安定原子誘起電子分光法によるH2Pc/SiC再構成表面の電子状態の観測

江本暁, 河村和哉, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇智徳

令和3年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2021) 2021年6月5日
イオン液体を吸着したSiC再構成表面における電子状態の観測

宮本弥凪, 田中晶貴, 渡邉拓斗, 内藤正路, 碇智徳

2020年日本表面真空学会学術講演会 2020年11月19日
Si表面上に形成されたCuPc薄膜の走査トンネル顕微鏡観察

荒海成, 金丸廉二朗, 廣木竜徳, 内藤正路, 碇智徳

2020年日本表面真空学会学術講演会 2020年11月19日
イオンビーム照射を用いたSiC基板上のグラフェン形成に関する研究（Ⅲ）

山田雄也, 白土恵輝, 井田孟, 小野魁士, 内藤正路, 碇智徳

2020年日本表面真空学会学術講演会 2020年11月19日
プラズマ浸漬格子状ターゲット法による機能性薄膜作製に関する研究

宗岡絢太, 徳永浩之, 本田亘, 森田知希, 内藤正路, 碇智徳

2020年日本表面真空学会学術講演会 2020年11月19日
SiC表面におけるH2Pc分子の吸着形態の観察

江本暁, 河村和哉, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇智徳

2020年日本表面真空学会学術講演会 2020年11月19日
Carbon Nanotube Growth on Fe Pre-Adsorbed 6H-SiC(000-1) Surface by Surface Decomposition Method

T. Watanabe, A. Hamada, S. Emoto, M. Miyamoto, M. Naitoh, T. Ikari

23rd International Workshop on Inelastic Ion-Surface Collisions (IISC-23) 2019年11月20日
Oxidation of Potassium Adsorbed 4H-SiC(0001) Reconstructed Surface Studied by Metastable-Atom Induced Electron Spectroscopy

M. Tanaka, R. Iida, K. Hirayama, K. Muraoka, S. Kuroki, S. Tanaka, M. Naitoh, T. Ikari

23rd International Workshop on Inelastic Ion-Surface Collisions (IISC-23) 2019年11月20日
格子状ターゲットを用いた新規成膜法に関する研究

徳永浩之, 内藤正路, 碇智徳

2019年度電気・情報関係学会九州支部連合大会（第72回連合大会） 2019年9月27日
表面分解法によるSiC(0001)基板上のグラフェン形成に関する研究

山田雄也, 今浪聡史, 内藤正路, 碇智徳

2019年度電気・情報関係学会九州支部連合大会（第72回連合大会） 2019年9月27日
プラズマ浸漬格子状ターゲット法による表面改質に関する研究

徳永浩之, 内藤正路, 碇智徳

令和元年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(兼九州表面・真空研究会2019) 2019年6月1日
準安定原子誘起電子分光法によるO/Cs/SiC(3×3)表面の電子状態測定

田中晶貴, 飯田涼, 柏谷拓実, 渡邉拓斗, 平山楓, 田中悟, 内藤正路, 碇智徳

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月11日
ZnPc蒸着したSiC(0001)-(3×3)表⾯上の電⼦状態の観察

河村和哉, 山田稜汰, 志賀大真, 村岡幸輔, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇智徳

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月10日
MIESによる異種原子吸着したSiC再構成表面上の電子状態観測

碇智徳

第11回九大2D 物質研究会 2019年2月22日
走査トンネル顕微鏡による Si(100)面上のCuPc吸着過程に関する研究

倉橋渉太, 梅田恭誠, 滝川塁, 内藤正路, 碇智徳

2018年日本表面真空学会学術講演会 2018年11月20日
グラファイト表面上でのZnPc分子の吸着状態の観察

梅田恭誠, 倉橋渉太, 滝川塁, 碇智徳, 内藤正路

2018年日本表面真空学会学術講演会 2018年11月20日
イオンビーム照射を用いた SiC 基板上のグラフェン形成に関する研究

元川陽介, 山﨑誉之, 今浪聡史, 山田雄也, 内藤正路, 碇智徳

2018年日本表面真空学会学術講演会 2018年11月19日
SiC表面分解法を用いたカーボンナノチューブの生成条件の研究

濱田聖, 内藤正路, 碇智徳

2018年日本表面真空学会学術講演会 2018年11月19日
Formation of Adsorbed ZnPc on Graphene/SiC Surface with Annealing

14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) & 26st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26) 2018年10月22日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

不織布型CNTを基材とする廃SiからのLiイオン電池用Si系負極活物質の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2016年4月 - 2019年3月

友野和哲, 碇智徳, 島袋勝弥
グラフェン/SiC表面及び界面におけるイオン液体分子の挙動制御技術の開拓

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2016年4月 - 2019年3月

碇智徳, 内藤正路
電極表面+超薄膜系のスピン依存電子トンネリングと表面ナノ構造磁性制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2007年 - 2009年

西垣敏, 西谷龍介, 渡邉晃彦, 山田健二, 碇智徳, 山田健二, 碇智徳
イオン液体表面における構造・電子状態の解明
プラズマCVD法を用いたダイヤモンド半導体の作製
遷移金属触媒を用いたCVD法によるカーボンナノチューブの合成
スピン偏極準安定原子脱励起分光法によるO/Ni(110)表面の研究
Surface electronic structure of imidazolium-based ionic liquids studied by electron spectroscopy
Fabrication of Diamond Semiconductors using Plasma CVD
Growth of Carbon-nanotubes with transition metal using CVD method
Spin-polarized metastable atom deexcitation spectroscopy study of O/Ni(110)surface.

碇智徳

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