藤代博記 (Hiroki Fujishiro) - マイポータル

基本情報

所属: 東京理科大学先進工学部　電子システム工学科教授

学位: 博士(工学)(東京理科大学)
理学修士(東京理科大学)

連絡先: fujisirote.noda.tus.ac.jp
J-GLOBAL ID: 200901073163812792
researchmap会員ID: 1000364398

外部リンク: https://fujishirolab.gitlab.io

研究キーワード

研究分野

経歴

2010年

独立行政法人情報通信研究機構, 特別研究員
2001年 - 2008年

東京理科大学基礎工学部電子応用工学科, 准教授
2008年

東京理科大学基礎工学部電子応用工学科, 教授
2006年 - 2007年

マサチューセッツ工科大学, 客員研究員
1995年 - 2001年

沖電気工業(株)半導体技術研究所, 主任研究員グループリーダ
1984年 - 1995年

沖電気工業(株)半導体技術研究所, 研究員

学歴

- 1984年

東京理科大学, 理工学研究科, 物理学
- 1982年

東京理科大学, 理工学部, 物理学科

委員歴

136

2025年6月 - 2027年6月

電子情報通信学会エレクトロニクスシミュレーション研究専門委員会, 研究専門委員
2025年6月 - 2027年6月

電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会, 学会の顧問・助言委員等
2024年9月 - 2026年10月

16th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2026), TWHM2026 国際会議委員長
2025年6月 - 2026年6月

電子情報通信学会, ソサイエティ論文誌編集委員会査読委員
2023年6月 - 2025年6月

電子情報通信学会エレクトロニクスシミュレーション研究専門委員会, 研究専門委員
2023年6月 - 2025年6月

電子情報通信学会, ソサイエティ論文誌編集委員会査読委員
2023年6月 - 2025年6月

電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会, 学会の顧問・助言委員等
2023年6月 - 2025年6月

電子情報通信学会, ソサイエティ論文誌編集委員会査読委員
2024年5月 - 2025年4月

電子情報通信学会, エレクトロニクスソサイエティ学術奨励賞選定委員会委員
2023年11月 - 2024年10月

15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2024), 論文委員会委員長(TWHM2024)
2023年8月 - 2024年4月

電子情報通信学会, エレクトロニクスソサイエティ学術奨励賞選定委員会委員
2021年6月 - 2023年6月

電子情報通信学会エレクトロニクスシミュレーション研究専門委員会, 研究専門委員
2022年7月 - 2023年3月

電子情報通信学会, エレクトロニクスソサイエティ学術奨励賞選定委員会委員
2021年11月 - 2022年9月

14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022), 運営委員会委員(TWHM2022)
2021年6月 - 2022年6月

電子情報通信学会, ソサイエティ論文誌編集委員会査読委員
2021年6月 - 2022年6月

電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会, 委員長
2021年7月 - 2022年3月

電子情報通信学会, エレクトロニクスソサイエティ学術奨励賞選定委員会委員
2021年7月 - 2021年9月

電子情報通信学会, ソサイエティ大会プログラム編成委員会委員
2019年6月 - 2021年6月

電子情報通信学会電子デバイス研究専門委員会, 副委員長
2019年4月 - 2021年5月

電子情報通信学会エレクトロニクスシミュレーション研究専門委員会, 研究専門委員

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受賞

2011年3月

電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ活動功労表彰

論文

238

Redshift in Photoluminescence Wavelength by Stacking Two-layers of InSb/GaSb Quantum Dot

T. Kito, E. Kuwabara, Y. Onoda, S. Ominato, S. Gozu, A. Endoh, and H. I. Fujishiro

Proc. Compound Semiconductor Week 2025 (CSW2025) (The 51th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2025) and The 36nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2025)) 2025年5月査読有り
Improved Electron Transport Properties in InSb/Ga0.22In0.78Sb Composite Channel HEMT Structures

T. Oba, T. Jinnai, R. Ebihara, W. Nakajima, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh, and H. I. Fujishiro

Proc. Compound Semiconductor Week 2025 (CSW2025) (The 51th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2025) and The 36nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2025)) 2025年5月査読有り
Double δ-doped Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTs with over 450 GHz-fmax

R. Machida, R. Yoshida, R. Kouno, R. Ebihara, T. Jinnai, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh, H. I. Fujishiro

Abstracts of 15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2024) 3-2 2024年8月査読有り
SEnhanced electron mobility in InSb/Ga0.22In0.78Sb composite channel HEMT structure

T. Jinnai, R. Ebihara, T. Oba, W. Nakajima, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro

Proc. Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024) (The 50th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2024) and The 35th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2024)) 3-4 2024年6月査読有り
High fT and fmax of double δ-doped GaInSb channel HEMTs

R. Kouno, R. Yoshida, R. Ebihara, T. Jinnai, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro

Proc. Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024) (The 50th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2024) and The 35th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2024)) 2024年6月査読有り
Size Control and Photoluminescence Characteristics of InSb Quantum Dots on GaSb Substrates Grown by Molecular Beam Epitaxy

Emin Kuwabara, Kyosuke Yamamoto, Keisuke Koseki, Shin-Ichiro Gozu, Akira Endoh, Hiroki I. Fujishiro

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 2300659 2024年3月査読有り
High-Responsivity Ge Schottky Photodetectors With Short-Wave Infrared Transparent Conductive Oxide Electrodes

Hiroto Ishii, Wen Hsin Chang, Hiroyuki Ishii, Takashi Koida, Hiroki Fujishiro, Tatsuro Maeda

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 44(8) 1244-1247 2023年8月査読有り
Size Control and PL Characteristics for InSb/GaSb Quantum Dots

E. Kuwabara, K. Yamamoto, K. Koseki, S. Gozu, A. Endoh, and H. I. Fujishiro

Proc. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)) FrC2-2 2023年5月査読有り
Reduction of Defects in GaInSb HEMT Structure by Using AlSb/GaSb Buffer

R. Ebihara, G. Ogane, M. Hiraoka, T. Hayashi, M. Kunisawa, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro

Proc. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)) TuC1-4 2023年5月査読有り
Performance Comparison of Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMT with Undoped- and Doped-cap Layers to Improve RF Characteristics

R. Machida, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, A. Endoh, H. I. Fujishiro, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, I. Watanabe

Proc. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW2023) (The 49th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2023) and The 34th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2023)) P2-015 2023年5月査読有り
Effect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1−xInxSb High Electron Mobility Transistor Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer

Akira Endoh, Koharu Hatori, Naoyuki Kishimoto, Mizuho Hiraoka, Yuta Kemmochi, Yuki Endoh, Koki Osawa, Takuya Hayashi, Ryuto Machida, Issei Watanabe, Yoshimi Yamashita, Shinsuke Hara, Akifumi Kasamatsu, Hiroki I. Fujishiro

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 220(8) 2200529 2023年1月査読有り
Schottky barrier contact on In0.53Ga0.47As with short-wave infrared transparent conductive oxide

Tatsuro Maeda, Kazuaki Oishi, Hiroto Ishii, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Tetsuji Shimizu, Akira Endoh, Hiroki Fujishiro, and Takashi Koida

APPLIED PHYSICS LETTERS 121(232102) 2022年12月査読有り
Thickness dependence of polarization doped transparent p-contact layer on the efficiency of 230 nm far-UVC AlGaN LED

Kou Sumishi, Noritoshi Maeda, Akira Endoh, Hiroki I. Fujishiro, Tasushi Iwaisako, Hideki Hirayama

Abstracts of The Tenth Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor (APWS 2022) 1114 2022年11月査読有り
Size Control and PL Characteristics for InSb Quantum Dots on GaSb Substrates Grown by MBE

Keisuke Koseki, Kyosuke Yamamoto, Emin Kuwabara, Shin-ichiro Gozu, Akira Endoh, and Hiroki I. Fujishiro

Extended abstracts of 41st Electronic Materials Symposium Th2-8 111 2022年10月査読有り
Schottky Barrier Contact on In0.53Ga0.47As with Short-Wave Infrared Transparent Conductive Oxide

Tatsuro Maeda, Kazuaki Oishi, Hiroto Ishii, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Tetsuji Shimizu, Akira Endoh, Hiroki Fujishiro, and Takashi Koida

Abstracts of 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) MP2-23 2022年9月査読有り
High Sensitivity Schottky Barrier Ge Photodetectors with Transparent Conductive Oxide Electrodes

Hiroto Ishii, Wen-Hsin Chang, Hiroyuki Ishii, Takashi Koida, Hiroki Fujishiro, Tatsuro Maeda

Abstracts of 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) TuA1-3 2022年9月査読有り
Development of GaInSb n-Channel HEMTs Using Experiments and Simulations

A. Endoh, N. Kishimoto, Y. Isomae, T. Hayashi, M. Kunisawa, K. Sawamura, T. Kawasaki, Y. Satou, I. Watanabe, Y. Yamashita, R. Machida, S. Hara, A. Kasamatsu and H. I. Fujishiro

Abstracts of 14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022) 12-3 2022年9月査読有り
Device PerformEffect of Strain in Channel on Electron Transport Properties of Ga1-xInxSb HEMT Structures with Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer

K. Hatori, N. Kishimoto, M. Hiraoka, Y. Endoh, K. Osawa, T. Hayashi, Y. Kemmochi, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro

Proc. Compound Semiconductor Week 2022 (CSW2022) (The 48th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2022) and The 33nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2022)) 67 2022年6月査読有り
Investigation of the growth mechanism and crystallographic structures of GaSb dots nucleation layer and GaSb thin film grown on Si(001) substrate by molecular beam epitaxy

Ryuto Machida, Ryusuke Toda,Shinsuke Hara, Issei Watanabe, Kouichi Akahane, Sachie Fujikawa, Akifumi Kasamatsu, and Hiroki I. Fujishiro

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 40(3) 032703-1-032703-10 2022年5月査読有り
High and broadband sensitivity front-side illuminated InGaAs photo field-effect transistors (photoFETs) with SWIR transparent conductive oxide (TCO) gate

Tatsuro Maeda, Kazuaki Oishi, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Tetsuji Shimizu, Akira Endoh, Hiroki Fujishiro and Takashi Koida

APPLIED PHYSICS LETTERS 119(19) 192101-1-192101-5 2021年11月査読有り

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MISC

158

量子補正モンテカルロシミュレーションによるInAsSb HEMTの特性予測

児玉直也,戸邉康太,上田晟生,田中聖真,遠藤聡,藤代博記

第72回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 2025年3月
ダブルドープInSb/InGaSb 複合チャネルHEMT 構造の電気的特性の向上 ―傾斜バッファ層の組成比制御による貫通転位密度の低減―

小山歩夢,神内智揮,大場達久, 中島渉, 遠藤聡,藤代博記

第72回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 2025年3月
fmax = 450 GHz超を有するダブルδドープGa0.22In0.78SbチャネルHEMT

町田龍人, 吉田陸人, 岸本尚之, 河野亮介, 礒前雄人, 海老原怜央, 林拓也†, 神内智揮, 國澤宗真, 渡邊一世, 山下良美, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記

信学技法 ED2024-61 2024年12月
量子補正モンテカルロシミュレーションによるダブルドープ構造GaInSb HEMT特性解析

上田晟生,戸邉康太,児玉直也,塩澤祐介,遠藤聡,藤代博記

第85回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 18a-P06-1 2024年9月
GaSb上InSb量子ドットからの発光波長の積層による長波長化

小野田悠人, 桑原笑明, 大湊空, 牛頭信一郎, 藤代博記, 遠藤聡

第85回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 19p-P09-12 2024年9月
高fT, fmax を有するダブルドープGaInSb チャネルHEMT

遠藤聡, 吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 藤代博記

電気学会電子デバイス研究会資料 EDD-24-029 2024年7月
Bowing of Energy Gap Curve for InAsSb Calculated Using VASP Based on Hybrid Density Functional Theory

Hiroki I. FUJISHIRO and Akira ENDOH

Activity Report 2023 / Supercomputer Center, Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo 2024年6月
GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減

吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記

第71回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 24p-52A-2 2024年3月
300 GHz 超fT, fmax ダブルドープ構造GaInSb HEMT

吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記

第71回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 24p-52A-3 2024年3月
InSb/Ga0.22In0.78Sb複合チャネルHEMT構造の高電子移動度化

神内智揮,海老原怜央,吉田陸人,河野亮介,町田龍人,渡邊一世,山下良美,原紳介,笠松章史,遠藤聡,藤代博記

国立研究開発法人情報通信研究機構2023年度先端ICTデバイスラボ成果報告書 20-1-20-2 2024年2月
In2O3系透明導電性酸化膜電極を用いたGeショットキーフォトダイオードの感度特性評価

石井寛仁, 張文馨, 石井裕之, 鯉田崇, 藤代博記, 前田辰郎

応用物理学会電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－第29回研究会予稿集 34 2024年2月
有効質量近似を用いた数値計算による積層 InSb 量子ドットの発光エネルギー

小野田悠人、亀岡俊貴、桑原笑明、三田泰継、藤代博記、遠藤聡

第84回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 21p-P05-7 2023年9月
アンドープキャップAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTの特性

町田龍人、岸本尚之、礒前雄人、林拓也、國澤宗真、遠藤聡、藤代博記、山下良美、原紳介、笠松章史、渡邊一世

第84回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 21a-P06-12 2023年9月
LT-InSbを用いたGaAs基板上InAsxSb1-x薄膜成長と評価

三田泰継、小関敬祐、桑原笑明、小野田悠人、遠藤聡、藤代博記

第84回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 21p-P05-6 2023年9月
LT-InSbを用いたGaAs基板上InAsxSb1-x薄膜成長と評価

三田泰継、小関敬祐、桑原笑明、小野田悠人、遠藤聡、藤代博記

第84回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 21p-P05-8 2023年9月
In2O3系近赤外域透明導電性酸化膜電極を用いたGeショットキーフォトダイオードの広帯域光応答検出

石井寛仁、張文馨、石井裕之、鯉田崇、藤代博記、前田辰郎

第84回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 23p-A602-4 2023年9月
221.5 nm far-UVC AlGaN LED における EQE0.008 %動作の実現

中村勇稀、住司光、藤川紗千恵、矢口裕之、遠藤聡、藤代博記、祝迫恭、平山秀樹

第84回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 19p-B101-3 2023年9月
ダブルTe ドープGaInSb HEMT構造の電気的特性

尾曽雅宗、羽鳥小春、海老原怜央、神内智揮、河野亮介、遠藤聡、藤代博記

第70回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 15p-PA05-3 2023年3月
InSb/Ga0.22In0.78Sb 複合チャネルHEMT構造の電気的特性

神内智揮,羽鳥小春,海老原怜央,尾曽雅宗,河野亮介,遠藤聡,藤代博記

第70回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 19p-P09-10 15p-PA05-2 2023年3月
In2O3系近赤外域透明導電性酸化膜を用いたInGaAs ショットキーフォトダイオードの評価

石井寛仁,大石和明,鯉田崇,清水鉄司,石井裕之,張文馨,遠藤聡,藤代博記,前田辰郎

第70回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 17a-A303-5 2023年3月

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書籍等出版物

電気・電子工学電磁気から電子回路まで

兵庫明, 杉山睦, 藤代博記, 山本隆彦, 植田譲, 安藤静敏, 梅田洋太郎, 永田肇, 柴健次, 小泉裕孝, 西川英一, 星伸一, 増田信之, 河原尊之, 福地裕 (担当:共著)

丸善出版 2018年6月30日 (ISBN: 9784621302996)
高速・高周波デバイスの話 −情報通信システムとデバイスの接点−

藤代博記

東京理科大学科学フォーラム 215号 2002年5月

講演・口頭発表等

227

Redshift in Photoluminescence Wavelength by Stacking Two-layers of InSb/GaSb Quantum Dot

T. Kito, E. Kuwabara, Y. Onoda, S. Ominato, S. Gozu, A. Endoh, and H. I. Fujishiro

Compound Semiconductor Week 2025 (CSW2025) (The 51th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2025) and The 36nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2025)) 2025年5月27日
Improved Electron Transport Properties in InSb/Ga0.22In0.78Sb Composite Channel HEMT Structures

T. Oba, T. Jinnai, R. Ebihara, W. Nakajima, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh, and H. I. Fujishiro

Compound Semiconductor Week 2025 (CSW2025) (The 51th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2025) and The 36nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2025)) 2025年5月27日
量子補正モンテカルロシミュレーションによるInAsSb HEMT の特性予測

児玉直也,戸邉康太,上田晟生,田中聖真,遠藤聡,藤代博記

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月14日
ダブルドープInSb/InGaSb 複合チャネルHEMT 構造の電気的特性の向上 ―傾斜バッファ層の組成比制御による貫通転位密度の低減―

小山歩夢,神内智揮,大場達久, 中島渉, 遠藤聡,藤代博記

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月14日
fmax = 450 GHz超を有するダブルδドープGa0.22In0.78SbチャネルHEMT

町田龍人, 吉田陸人, 岸本尚之, 河野亮介, 礒前雄人, 海老原怜央, 林拓也†, 神内智揮, 國澤宗真, 渡邊一世, 山下良美, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記

電子情報通信学会電子デバイス研究会12月研究会 (ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) 2024年12月19日
量子補正モンテカルロシミュレーションによるダブルドープ構造GaInSb HEMT特性解析

上田晟生,戸邉康太,児玉直也,塩澤祐介,遠藤聡,藤代博記

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月17日
ダブルドープInSb/Ga0.22In0.78Sb複合チャネルHEMT構造の電気的特性

中島渉, 神内智揮, 海老原怜央, 大場達久, 渡邊一世, 町田龍人, 山下良美, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月17日
InSb/Ga0.22In0.78Sb複合チャネルHEMT構造における電子移動度の向上

大場達久, 神内智揮, 海老原怜央, 中島渉, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月17日
GaSb上InSb量子ドットからの発光波長の積層による長波長化

小野田悠人, 桑原笑明, 大湊空, 牛頭信一郎, 藤代博記, 遠藤聡

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月17日
Enhanced electron mobility in InSb/Ga0.22In0.78Sb composite channel HEMT structures

T. Jinnai, T. Oba, W. Nakajima, R. Ebihara, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro

15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2024) 2024年8月26日
Double δ-doped Al0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTs with over 450 GHz-fmax

R. Machida, R. Yoshida, R. Kouno, R. Ebihara, T. Jinnai, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh, H. I. Fujishiro

15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2024) 2024年8月26日
高fT, fmax を有するダブルドープGaInSb チャネルHEMT

遠藤聡, 吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 藤代博記

電気学会電子デバイス研究会 2024年7月5日
High fT and fmax of double δ-doped GaInSb channel HEMTs

R. Kouno, R. Yoshida, R. Ebihara, T. Jinnai, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro

Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024) (The 50th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2024) and The 35nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2024)) 2024年6月3日
Enhanced electron mobility in InSb/Ga0.22In0.78Sb composite channel HEMT structure

T. Jinnai, R. Ebihara, T. Oba, W. Nakajima, R. Machida, I. Watanabe, Y. Yamashita, S. Hara, A. Kasamatsu, A. Endoh and H. I. Fujishiro

Compound Semiconductor Week 2024 (CSW2024) (The 50th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2024) and The 35nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2024)) 2024年6月3日
GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減

吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月24日
300 GHz 超fT, fmax ダブルドープ構造GaInSb HEMT

吉田陸人, 河野亮介, 海老原怜央, 神内智揮, 渡邊一世, 山下良美, 町田龍人, 原紳介, 笠松章史, 遠藤聡, 藤代博記

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月24日
In2O3系透明導電性酸化膜電極を用いたGeショットキーフォトダイオードの感度特性評価

石井寛仁, 張文馨, 石井裕之, 鯉田崇, 藤代博記, 前田辰郎

応用物理学会電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－第29回研究会 2024年2月2日
有効質量近似を用いた数値計算による積層 InSb 量子ドットの発光エネルギー

小野田悠人、亀岡俊貴、桑原笑明、三田泰継、藤代博記、遠藤聡

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月19日
アンドープキャップAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb HEMTの特性

町田龍人、岸本尚之、礒前雄人、林拓也、國澤宗真、遠藤聡、藤代博記、山下良美、原紳介、笠松章史、渡邊一世

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月19日
LT-InSbを用いたGaAs基板上InAsxSb1-x薄膜成長と評価

三田泰継、小関敬祐、桑原笑明、小野田悠人、遠藤聡、藤代博記

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月19日

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所属学協会

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共同研究・競争的資金等の研究課題

半導体表面上のナノ構造の作製と評価

共同研究 2007年 - 2009年
ナノデバイスシミュレータの開発

経常研究 2007年 - 2009年
ナローギャップ化合物半導体をチャネルに用いた次世代超高速デバイスの研究

共同研究 2007年 - 2009年
Fabrication and characterization of nano-structures on semiconductor surfaces

Cooperative Research 2007年 - 2009年
Development of nano-device simulator

Ordinary Research 2007年 - 2009年
Development of advanced high-speed devices using narrow-gap compound semiconductors

Cooperative Research 2007年 - 2009年

産業財産権

特許6090767 半導体装置の製造方法