藤代 博記

J-GLOBALへ         更新日: 18/12/11 04:16
 
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研究者氏名
藤代 博記
 
フジシロ ヒロキ
eメール
fujisirote.noda.tus.ac.jp
URL
http://www.te.noda.tus.ac.jp/pub/labs/fujisiro/index-j.html
所属
東京理科大学
部署
東京理科大学
職名
教授
学位
博士(工学)(東京理科大学), 理学修士(東京理科大学)

研究分野

 
 

経歴

 
1984年
 - 
1995年
沖電気工業(株)半導体技術研究所 研究員
 
1995年
 - 
2001年
沖電気工業(株)半導体技術研究所 主任研究員グループリーダ
 
2001年
 - 
2008年
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科 准教授
 
2006年
 - 
2007年
マサチューセッツ工科大学 客員研究員
 
2008年
   
 
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科 教授
 

学歴

 
 
 - 
1982年
東京理科大学 理工学部 物理学科
 
 
 - 
1984年
東京理科大学 理工学研究科 物理学
 

委員歴

 
2018年5月
 - 
2019年4月
電子情報通信学会  『Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices』 AWAD2018英文論文誌小特集編集委員会 編集委員
 
2018年2月
 - 
2018年8月
2018Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2017)  プログラム委員(AWAD2018)
 
2017年5月
 - 
2018年4月
電子情報通信学会  『Special Section on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices』 AWAD2017英文論文誌小特集編集委員会 編集委員
 
2017年4月
 - 
2019年5月
電子情報通信学会 電子デバイス研究専門委員会  研究専門委員
 
2017年4月
 - 
2019年5月
電子情報通信学会 エレクトロニクスシミュレーション研究専門委員会  研究専門委員
 

受賞

 
2011年3月
電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ活動功労表彰
 

論文

 
Comprehensive Study on GaxIn1-xSb High Electron Mobility Transistors Considering Interface Roughness Scattering
T. Suzuki, Y. Fujisawa, S. Kawamura, K. Kumasaka, R. Machida, and H. I. Fujishiro
Proc. Compound Semiconductor Week 2018 (CSW2018) (15th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2018) & 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2018))      2018年5月   [査読有り]
Electron Transport Properties of Novel Ga1-xInxSb Quantum Well Structures with Strained Al0.4In0.6Sb/Al0.3In0.7Sb Stepped Buffer
K. Osawa, M. Hiraoka, T. Kishi, Y. Endoh, J. Takeuchi, R. Machida and H. I. Fujishiro
Proc. Compound Semiconductor Week 2018 (CSW2018) (15th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2018) & 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2018))      2018年5月   [査読有り]
Takahiro Gotow, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Mutsuo Ogura, Wen Hsin Chang, Tetsuji Yasuda, and Tatsuro Maeda
AIP Advances   7 105117   2017年10月   [査読有り]
InSb-based HEMTs fabricated by using two-step-recessed gate procedure
N. Oka, K. Isono, Y. Harada, J. Takeuchi, T. Iwaki, Y. Endoh, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, R. Machida, A. Kasamatsu and H. I. Fujishiro
Abstracts of 12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2017)   83-84   2017年8月   [査読有り]
Electron Transport Properties of InSb/Ga0.35In0.65Sb Composite Channel Structure
S. Fujikawa, T. Iwaki, Y. Harada, J.Takeuchi, Y.Endoh, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, and A. Kasamatsu, H. I. Fujishiro
Proc. Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017) (14th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2017) & 29th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2017))      2017年5月   [査読有り]

Misc

 
ALD-Al2O3膜の熱輸送特性
中島佑太, 内田紀行, 大石佑治, 町田龍人, 藤代博記, 服部淳一, 福田浩一, 前田辰郎
第65回応用物理学会春季学術講演会 予稿集      2018年3月
GaSb薄膜/GaAs(100)基板上のInSb QDs形成の成長温度依存性
伊藤 峰水,岩熊 陽,土屋 隆史,町田 龍人,藤代 博記
第65回応用物理学会春季学術講演会 予稿集      2018年3月
ミリ波・テラヘルツ波帯無線通信用電子デバイスの研究開発
渡邊 一世,山下 良美,遠藤 聡,原 紳介,笠松 章史, 吉田 智洋,井上 和孝,中田 健,眞壁 勇夫,磯野 恭佑,岡 直希,原田 義彬,竹内 淳,町田 龍人,藤代 博記
電気学会電子デバイス研究会技術報告   EDD-18 039-1-039-6   2018年3月
Thermal transport characterization in Ge devices
Y. Nakajima、 N. Uchida、R. Machida、 H. Fujishiro、J. Hattori、K. Fukuda、T. Maeda
電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理―(EDIT23)   78-90   2018年1月
アンチモン系トランジスタの開発
藤代 博記、磯野 恭佑、高橋 択斗、原田 義彬、岡 直希、竹内 淳、藤澤 由衣、藤川 紗千恵、町田 龍人、渡邊 一世、山下 良美、遠藤 聡、原 紳介、笠松 章史
電子情報通信学会技術研究報告   117(364) 33-36   2017年12月

書籍等出版物

 
高速・高周波デバイスの話 −情報通信システムとデバイスの接点−
藤代 博記
東京理科大学科学フォーラム 215号   2002年5月   

講演・口頭発表等

 
Comprehensive Study on GaxIn1-xSb High Electron Mobility Transistors Considering Interface Roughness Scattering
T. Suzuki, Y. Fujisawa, S. Kawamura, K. Kumasaka, R. Machida, and H. I. Fujishiro
Compound Semiconductor Week 2018 (CSW2018) (15th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2018) & 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2018))   2018年5月29日   
Electron Transport Properties of Novel Ga1-xInxSb Quantum Well Structures with Strained Al0.4In0.6Sb/Al0.3In0.7Sb Stepped Buffer
K. Osawa, M. Hiraoka, T. Kishi, Y. Endoh, J. Takeuchi, R. Machida and H. I. Fujishiro
Compound Semiconductor Week 2018 (CSW2018) (15th International Symposium on Compound Simiconductor (ISCS2018) & 30th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2018))   2018年5月29日   
ミリ波・テラヘルツ波帯無線通信用電子デバイスの研究開発
渡邊 一世,山下 良美,遠藤 聡,原 紳介,笠松 章史, 吉田 智洋,井上 和孝,中田 健,眞壁 勇夫,磯野 恭佑,岡 直希,原田 義彬,竹内 淳,町田 龍人,藤代 博記
電気学会 電子デバイス研究会   2018年3月26日   
ALD-Al2O3膜の熱輸送特性
中島佑太, 内田紀行, 大石佑治, 町田龍人, 藤代博記, 服部淳一, 福田浩一, 前田辰郎
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月17日   
GaSb薄膜/GaAs(100)基板上のInSb QDs形成の成長温度依存性
伊藤 峰水,岩熊 陽,土屋 隆史,町田 龍人,藤代 博記
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月17日   

所属学協会

 
10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2013)(1) , 11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2015)(1) , 12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2017)(1) , 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2007)(1) , 2006 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2006)(1) , 2008 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2008)(1) , 2009 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2009)(1) , 2010 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2010)(1) , 2011 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2011)(1) , 2012 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2012)(1) , 2013 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2013)(1) , 2014 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2014)(1) , 2015 Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2014)(1) , 2017Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2017)(1) , 2018Asia-Pasific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconducter Devices(AWAD2017)(1) , 7th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2007)(1) , 8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2009)(1) , 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2011)(1) , IEEE Japan Council(2) , IEEE Metro Area Workshop in Tokyo, 2015(1)

競争的資金等の研究課題

 
ナローギャップ化合物半導体をチャネルに用いた次世代超高速デバイスの研究
共同研究
研究期間: 2007年 - 2009年
次世代光・無線通信システムやポストCOMSのための超高速デバイスの研究
ナノデバイスシミュレータの開発
経常研究
研究期間: 2007年 - 2009年
量子補正モンテカルロ法を用いたナノデバイスシミュレータの開発
半導体表面上のナノ構造の作製と評価
共同研究
研究期間: 2007年 - 2009年
STM を用いたSi表面におけるGa吸着構造の研究