藤原航三 (Kozo Fujiwara) - マイポータル

基本情報

所属: 東北大学金属材料研究所先端エネルギー材料理工共創研究センター光エネルギー材料研究部教授

学位: 博士(工学)(九州大学)

J-GLOBAL ID: 200901076003379650
researchmap会員ID: 1000365372

外部リンク: http://www.imr.tohoku.ac.jp/ja/about/divisions-and-centers/research-division/02.html

研究キーワード

融液成長. その場観察. シリコン. 太陽電池. 結晶方位制御. 結晶粒界. 混晶半導体. 化合物半導体

研究分野

委員歴

2021年4月 - 現在

日本学術振興会 R032 産業イノベーションのための結晶成長委員会, 運営委員
2010年4月 - 現在

日本結晶成長学会, 理事
2010年4月 - 現在

日本結晶成長学会, 理事

受賞

2020年4月

文部科学大臣表彰科学技術賞（研究部門）, 太陽電池用シリコン多結晶インゴットの高品質化の研究, 文部科学省

中嶋一雄, 藤原航三
2013年5月

第34回本多記念研究奨励賞, Siの融液成長メカニズムの解明および太陽電池用Si多結晶インゴットの成長技術開発, （公財）本多記念会

藤原航三
2011年11月

日本結晶成長学会論文賞, 日本結晶成長学会
2006年7月

原田研究奨励賞, 本多記念会
2005年8月

日本結晶成長学会奨励賞, 日本結晶成長学会
2003年7月

Photo Contest Award, American Conference on Crystal Growth and Epitaxy

論文

222

Multistep Crystallization of the Heteroepitaxially Grown Binary Colloidal Crystals

Jun Nozawa, Masahide Sato, Satoshi Uda, Lu-Chung Chuang, Kozo Fujiwara

Crystal Growth & Design 2025年8月18日
Polymorphic transitions during nonclassical nucleation and growth in the colloidal heteroepitaxy

Jun Nozawa, Masahide Sato, Satoshi Uda, Kozo Fujiwara

Communications Physics 8(1) 2025年4月9日
The effect of phonon-phonon interaction in Ta based Heusler alloys for accurate phonon transport properties

Shobana Priyanka D., Srinivasan Manickam, Fujiwara K.

Journal of the Taiwan Institute of Chemical Engineers 169 105956-1-105956-13 2025年4月査読有り
Ultra-low lattice thermal conductivity in 18 VEC quaternary Heusler alloys—Efficient thermoelectric materials

Shobana Priyanka D, M. Srinivasan, Kozo Fujiwara

Journal of Applied Physics 137(12) 2025年3月26日査読有り
Single Crystal Growth of Type-II Si Clathrate Containing Fully Occupied Na and Ba from a Na-Based Metal Complex Solution

Haruhiko Morito, Yutaka IIjima, Masaya Fujioka, Rodion V. Belosludov, Masami Terauchi, Hisanori Yamane, Kozo Fujiwara

Crystal Growth & Design 2025年3月11日査読有り
Multi-layer kagome lattices assembled with isotropic spherical colloids via heteroepitaxial growth

Jun Nozawa, Masahide Sato, Satoshi Uda, Kozo Fujiwara

Colloid and Interface Science Communications 64 100815-100815 2025年1月査読有り
In situ observation and numerical analysis of temperature gradient effects on growth velocity during directional solidification of silicon

Peiyao Hao, Lu-Chung Chuang, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Haruhiko Morito, Kozo Fujiwara, Lili Zheng

Journal of Materials Science 59(39) 18446-18460 2024年10月1日査読有り
Computational analysis on novel half Heusler alloys X PdSi ( X = Ti, Zr, H f ) for waste heat recycling process

D.S. Priyanka, M. Srinivasan, J.B. Sudharsan, K. Fujiwara

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 180 108524-1-108524-12 2024年9月査読有り
Dislocation interaction with vicinally faceted groove at grain boundary in multi-crystalline silicon

Fan Yang, Lu-Chung Chuang, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Haruhiko Morito, Kozo Fujiwara, Thierry Duffar

Journal of Crystal Growth 639 127722-127722 2024年8月査読有り
Misorientation increase of small-angle grain boundaries during directional solidification of silicon

Lu-Chung Chuang, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Haruhiko Morito, Kozo Fujiwara

Journal of Crystal Growth 127822-127822 2024年7月査読有り
Vicinal (111) surfaces at Si solid-liquid interface during unidirectional solidification

Shashank Shekhar Mishra, Lu Chung Chuang, Jun Nozawa, Kensaku Maeda, Haruhiko Morito, Kozo Fujiwara, Thierry Duffar

Scripta Materialia 247 2024年7月1日査読有り
In situ study of growth kinetics of {1 0 0} and {1 1 0} crystal/melt interfaces during unidirectional solidification of silicon

Shashank Shekhar Mishra, Lu Chung Chuang, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Haruhiko Morito, Thierry Duffar, Kozo Fujiwara

Journal of Crystal Growth 627 2023年12月8日査読有り
Ferrimagnetic half Heusler alloys for waste heat recovery application- First principle study using different exchange-correlation functionals

2023年10月査読有り
Visualizing crystal twin boundaries of bismuth by high-spatial-resolution ARPES

2023年6月査読有り
Epitaxial growth of SiGe films by annealing Al–Ge alloyed pastes on Si substrate

Keisuke Fukuda, Satoru Miyamoto, Masahiro Nakahara, Shota Suzuki, Marwan Dhamrin, Kensaku Maeda, Kozo Fujiwara, Yukiharu Uraoka, Noritaka Usami

Scientific Reports 12(1) 14770-14770 2022年9月12日査読有り
Difference in growth rates at {1 1 0} and {1 1 1} crystal/melt interfaces of silicon

Shashank Shekhar Mishra, Lu-Chung Chuang, Kensaku Maeda, Jun Nozawa, Haruhiko Morito, Kozo Fujiwara

Journal of Crystal Growth 593 126784-126784 2022年9月査読有り
Thermoelectric performance of multiphase <scp>GeSe‐CuSe</scp> composites prepared by hydrogen decrepitation method

D. Sidharth, A.S. Alagar Nedunchezhian, R. Rajkumar, K. Kalaiarasan, M. Arivanandhan, K. Fujiwara, G. Anbalagan, R. Jayavel

International Journal of Energy Research 46(12) 17455-17464 2022年7月20日査読有り
Facet formation during the solidification of pure antimony

Keiji Shiga, Kensaku Maeda, Haruhiko Morito, Kozo Fujiwara

Journal of Crystal Growth 586 126633-126633 2022年5月査読有り
In situ observation of solidification and subsequent evolution of Ni-Si eutectics

Lu Chung Chuang, Kensaku Maeda, Haruhiko Morito, Kozo Fujiwara

Scripta Materialia 211 2022年4月査読有り
Dynamics at crystal/melt interface during solidification of multicrystalline silicon

Kozo Fujiwara, Lu-Chung Chuang, Kensaku Maeda

HIGH TEMPERATURE MATERIALS AND PROCESSES 41(1) 31-47 2022年2月査読有り

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MISC

研究室紹介:液相成長ダイナミクスの総合理解と高機能結晶創製への挑戦

藤原航三, 森戸春彦, 前田健作, 志賀敬次

Crystal letters = 結晶工学ニュース / 応用物理学会結晶工学分科会編 (76) 50-55 2021年1月
不純物添加したニオブ酸リチウムの点欠陥形態

小山千尋, 野澤純, 藤原航三, 宇田聡

日本結晶成長学会誌 43(3) 131-138 2016年10月31日
コロイド結晶成長中の不純物分配

野澤純, 胡素梦, 小泉晴比古, 藤原航三, 宇田聡

日本結晶成長学会誌 43(2) 88-96 2016年7月29日
第45回結晶成長国内会議(NCCG-45)開催報告(学会活動報告)

佐藤元, 島村清史, 谷口尚, 三宅秀人, 寒川義裕, 長嶋剣, 丸山美帆子, 吉川彰, 手嶋勝弥, 藤原航三 …

日本結晶成長学会誌 42(4) 299-304 2016年1月
第45回結晶成長国内会議(NCCG-45)開催報告(学会活動報告)

佐藤元, 藤原航三, 樋口幹雄, 太子敏則, 片山竜二, 山中淳平, 鈴木良尚, 小泉晴比古, 三浦均, 野澤純 …

日本結晶成長学会誌 42(4) 299-304 2016年
第88回バルク成長分科会研究会「太陽電池用シリコン-結晶育成から加工まで-」(学会活動報告)

藤原航三

日本結晶成長学会誌 40(3) 203-203 2013年10月
交流電場を利用したタンパク質核形成過程の制御

小泉晴比古, 宇田聡, 藤原航三, 野澤純

日本結晶成長学会誌 40(2) 98-106 2013年7月
Improvement of photovoltaic characteristics of B-doped Czochralski-Silicon by Ge codoping (シリコン材料・デバイス)

ARIVANANDHAN Mukannan, GOTOH Raira, FUJIWARA Kozo

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(41) 105-109 2013年5月16日
Siのファセットデンドライトの成長機構

藤原航三

日本結晶成長学会誌 39(3) 122-127 2012年10月31日
太陽電池用高品質シリコン結晶の実現へ向けて

藤原航三, 宇田聡

日本結晶成長学会誌 39(3) 109-109 2012年10月31日
周期双晶を利用した常誘電体ボレート結晶への擬似位相整合構造の作製

前田健作, 宇田聡, 藤原航三

（独）日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会第126回研究会資料 33-38 2012年7月25日
Enhancement of Crystal Perfection for Tetragonal Hen-egg White Lysozyme Crystals under Application of an External AC Electric Field

Haruhiko Koizumi, Satoshi Uda, Kozo Fujiwara, Masaru Tachibana, Kenichi Kojima, Jun Nozawa

Photon Factory Activity Report 2011 Part B: Users' Report 29 198-1-198-2 2012年
Arrangement of dendrite crystals grown along the bottom of Si ingots using the dendritic casting method by controlling thermal conductivity under crucibles

Kazuo Nakajima, Kentaro Kutsukake, Kozo Fujiwara, Kohei Morishita, Satoshi Ono

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 319(1) 13-18 2011年3月
Generation mechanism of dislocations in multicrystalline Si during 2D growth

Kentaro Kutsukake, Takuro Abe, Noritaka Usami, Kozo Fujiwara, Ichiro Yonenaga, Kohei Morishita, Kazuo Nakajima

Proceedings of 26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition 1934-1937 2011年
FORMATION MECHANISM OF TWIN BOUNDARIES IN SILICON MULTICRYSTALS DURING CRYSTAL GROWTH

K. Kutsukake, T. Abe, N. Usami, K. Fujiwara, K. Morishita, K. Nakajima

35TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE 810-811 2010年
HIGH EFFICIENCY SOLAR CELLS OBTAINED FROM SMALL SIZE INGOTS WITH 30 CM Phi BY CONTROLLING THE DISTRIBUTION AND ORIENTATION OF DENDRITE CRYSTALS GROWN ALONG THE BOTTOM OF THE INGOTS

K. Nakajima, K. Kutsukake, K. Fujiwara, N. Usami, S. Ono, Yamasaki

35TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE 817-819 2010年
Enhancement of Ga doping in Czochralski-grown Si crystal by B- or Ge- codoping

S. Uda, X. Huang, M. Arivanandhan, R. Gotoh, K. Fujiwara

Proceedings of the 3rd International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells, Trondheim, Norway, 3-5 June, 2009 2009年6月
Change of phase equilibria by an application of an external electric field

S. Uda, H. Koizumi, K. Fujiwara

Proceedings of EUROTHERM Seminar Nr.84, Thermodynamics of phase changes, Namur, Belgium, 24-27 May, 2009 2009年5月
結晶成長過程におけるシリコン多結晶の亜粒界発生メカニズム

宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 藤原航三, 中嶋一雄

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 109(16) 31-34 2009年4月16日
太陽電池用高品質シリコンバルク多結晶の製造技術

Noritaka Usami, Kozo Fujiwara, Kentaro Kutsukake, Kazuo Nakajima

電子材料,株式会社工業調査会 48(2) 10-16 2009年

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書籍等出版物

Handbook of Crystal Growth, Second Edition, Vol. I

Kozo Fujiwara

2014年
太陽電池の基礎と応用

藤原航三, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄 (担当:共著, 範囲:第Ⅱ部太陽電池の基礎と応用第3章 3.3結晶成長 3.3.3多結晶成長技術)

培風館 2010年7月
Crystal Growth of Si for Solar Cells

K. Fujiwara, K. Nakajima (担当:共著, 範囲:Chap. 5 pp71-81)

Springer 2009年

講演・口頭発表等

Dynamics at solid-liquid Interface of Si

Kozo FUJIWARA

The 12th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells 2024年5月29日招待有り
Instability of crystal/melt interface of Si and Si1-xGex

Kozo Fujiwara

3rd International Symporium on "Modeling of Crystal Growth Processes and Devices" (MCGPD-2023) 2023年3月6日招待有り
In-situ observation of crystal/melt interface morphology during directional solidification of semicondustor materials

Kozo Fujiwara

5th International Workshop on Advanced Functional Nanomaterials (IWAN-5, 2023) 2023年3月3日招待有り
In-situ observations of crystal growth behaviors of silicon during solidification

Kozo Fujiwara

2022 international conferences on the science and technology of devices and materials（SSDM2022） 2022年9月27日招待有り
Morphology of Crystals in Melt Growth Processes

Kozo Fujiwara

The 4th Symposium for The Core Research Cluster for Materials Science andthe 3rd Symposium on International Joint Graduate Program in Materials Science 2020年11月18日招待有り
Siの固液界面現象に及ぼす結晶粒界の影響

藤原航三

応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月8日招待有り
In situ observation of melt growth behaviors of silicon

Kozo Fujiwara

MRS Fall meeting 2019年12月4日招待有り
CZ-Si単結晶より高品質なSi多結晶の実現を目指して

藤原航三

第３回『各種SiC結晶成長法における高品質化とその応用』 2015年12月11日
In situ observations of crystal/melt interface during unidirectional growth of silicon

K. Fujiwara

11th International Conference on Ceramic Materials and Components for Energy and Environmental Applications 2015年6月14日
Si多結晶の一方向成長過程における固液界面形状に及ぼす結晶粒界の影響

藤原航三, 石井雅也, 前田健作, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

第43回結晶成長国内会議 2013年11月
Analysis of silicon solidification by in-situ techniques

Kozo Fujiwara

Workshop: Polycrystalline growth of Si - new insights from experiment and modeling 2013年9月
Cryatal/melt interface morphology at grain boundaries of multicrystalline silicon

Kozo Fujiwara, Masaya Ishii, kensaku Maeda, Haruhiko Koizumi, Jun Nozawa, Satoshi Uda

17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17) 2013年8月
シリコンの一方向凝固過程における不純物偏析

藤原航三

日本結晶成長学会バルク成長分科会第88回研究会 2013年6月
Crystal growth mechanisms of silicon during melt growth processes

Kozo Fujiwara, Haruhiko Koizumi, Jun Nozawa, Satoshi Uda

2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012) 2012年9月25日
太陽電池用Si系材料の融液成長メカニズムと結晶成長技術

藤原航三, 後藤頼良, 前田健作, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

電気化学会第79回大会 2012年3月29日
Siファセットデンドライトの成長メカニズム

藤原航三

第41回結晶成長国内会議 2011年11月
Siの一方向成長過程における成長界面の形状変化

藤原航三, 後藤頼良, Xinbo Yang, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

第41回結晶成長国内会議 2011年11月
Si<110>デンドライトの成長メカニズム

藤原航三, Xinbo Yang, 小泉晴比古, 野澤純, 宇田聡

日本金属学会 2011年11月
Siの結晶成長界面の形状変化

日本金属学会秋期(第147回)大会 2010年9月
Growth mechanism of Si faceted dendrites and its application to the casting method for growing structure-controlled polycrystalline Si ingots

The 16th International Conference on Crystal Growth 2010年8月